Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.Tv" 的文章:
118501 周璋, 吴良妹, 陈建翠, 马佳俊, 黄元, 申承民, 鲍丽宏, 高鸿钧
  Electrostatic gating of solid-ion-conductor on InSe flakes and InSe/h-BN heterostructures
    中国物理B   2020 Vol.29 (11): 118501-118501 [摘要] (28) [HTML 1 KB] [PDF 1860 KB] (5)
107401 王斌, 胡晟, 冯越, 李鹏, 胡辉勇, 舒斌
  Simulation study of device physics and design of GeOI TFET with PNN structure and buried layer for high performance
    中国物理B   2020 Vol.29 (10): 107401-107401 [摘要] (9) [HTML 1 KB] [PDF 4436 KB] (10)
108502 许会芳, 韩新风, 孙雯
  Design and investigation of dopingless double-gate line tunneling transistor:Analog performance, linearity, and harmonic distortion analysis
    中国物理B   2020 Vol.29 (10): 108502-108502 [摘要] (6) [HTML 1 KB] [PDF 648 KB] (4)
98101 汪翔, 葛琛, 李格, 郭尔佳, 何萌, 王灿, 杨国桢, 金奎娟
  A synaptic transistor with NdNiO3
    中国物理B   2020 Vol.29 (9): 98101-098101 [摘要] (60) [HTML 1 KB] [PDF 649 KB] (106)
87305 胡晟, 杨凌, 宓珉瀚, 侯斌, 刘晟, 张濛, 武玫, 朱青, 武盛, 卢阳, 祝杰杰, 周小伟, 吕玲, 马晓华, 郝跃
  Trap analysis of composite 2D-3D channel in AlGaN/GaN/graded-AlGaN: Si/GaN: C multi-heterostructure at different temperatures
    中国物理B   2020 Vol.29 (8): 87305-087305 [摘要] (56) [HTML 1 KB] [PDF 744 KB] (43)
78503 张美娜, 邵龑, 王晓琳, 吴小晗, 刘文军, 丁士进
  Photoresponsive characteristics of thin film transistors with perovskite quantum dots embedded amorphous InGaZnO channels
    中国物理B   2020 Vol.29 (7): 78503-078503 [摘要] (43) [HTML 1 KB] [PDF 945 KB] (55)
88503 张美娜, 邵龑, 王晓琳, 吴小晗, 刘文军, 丁士进
  Photoresponsive characteristics of thin film transistors with perovskite quantum dots embedded amorphous InGaZnO channels
    中国物理B   0 Vol. (): 88503-088503 [摘要] (29) [HTML 0 KB] [PDF 818 KB] (73)
57401 宋航, 吴昊, 陆海阳, 杨志浩, 巴龙
  Application of graphene vertical field effect to regulation of organic light-emitting transistors
    中国物理B   2020 Vol.29 (5): 57401-057401 [摘要] (59) [HTML 1 KB] [PDF 1772 KB] (73)
58501 吕智军, 吕红亮, 张玉明, 张义门, 芦宾, 朱翊, 孟凡康, 孙佳乐
  Characteristic enhancement in tunnel field-effect transistors via introduction of vertical graded source
    中国物理B   2020 Vol.29 (5): 58501-058501 [摘要] (63) [HTML 1 KB] [PDF 606 KB] (64)
40703 钟海, 孙勤超, 李果, 杜剑宇, 黄河意, 郭尔佳, 何萌, 王灿, 杨国桢, 葛琛, 金奎娟
  High-performance synaptic transistors for neuromorphic computing
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 40703-040703 [摘要] (350) [HTML 1 KB] [PDF 7578 KB] (383)
38104 马刘红, 韩伟华, 杨富华
  Coulomb blockade and hopping transport behaviors of donor-induced quantum dots in junctionless transistors
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38104-038104 [摘要] (67) [HTML 1 KB] [PDF 2676 KB] (107)
38503 姚佳飞, 郭宇锋, 张振宇, 杨可萌, 张茂林, 夏天
  Numerical and analytical investigations for the SOI LDMOS with alternated high-k dielectric and step doped silicon pillars
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38503-038503 [摘要] (85) [HTML 1 KB] [PDF 637 KB] (87)
38505 张先乐, 常鹏鹰, 杜刚, 刘晓彦
  Role of remote Coulomb scattering on the hole mobility at cryogenic temperatures in SOI p-MOSFETs
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38505-038505 [摘要] (72) [HTML 1 KB] [PDF 667 KB] (92)
107301 葛梅, 蔡青, 张保花, 陈敦军, 胡立群, 薛俊俊, 陆海, 张荣, 郑有炓
  Negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs by traps in unintentionally doped GaN buffer layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107301-107301 [摘要] (105) [HTML 1 KB] [PDF 1005 KB] (183)
107303 郭仰岩, 韩伟华, 赵晓松, 窦亚梅, 张晓迪, 吴歆宇, 杨富华
  Observation of hopping transitions for delocalized electrons by temperature-dependent conductance in siliconjunctionless nanowire transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107303-107303 [摘要] (94) [HTML 1 KB] [PDF 1057 KB] (78)
108501 许会芳, 崔健, 孙雯, 韩新风
  Analysis of non-uniform hetero-gate-dielectric dual-material control gate TFET for suppressing ambipolar nature and improving radio-frequency performance
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 108501-108501 [摘要] (110) [HTML 1 KB] [PDF 564 KB] (109)
87302 霍文星, 梅增霞, 卢毅成, 韩祖银, 朱锐, 王涛, 隋妍心, 梁会力, 杜小龙
  Effects of active layer thickness on performance and stability of dual-active-layer amorphous InGaZnO thin-film transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 87302-087302 [摘要] (181) [HTML 1 KB] [PDF 1824 KB] (93)
88502 韩朝阳, 刘远, 刘玉荣, 陈雅怡, 王黎, 陈荣盛
  Negative gate bias stress effects on conduction and low frequency noise characteristics in p-type poly-Si thin-film transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 88502-088502 [摘要] (116) [HTML 1 KB] [PDF 558 KB] (109)
68504 温正欣, 张峰, 申占伟, 陈俊, 何亚伟, 闫果果, 刘兴昉, 赵万顺, 王雷, 孙国胜, 曾一平
  Design and fabrication of 10-kV silicon-carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 68504-068504 [摘要] (124) [HTML 1 KB] [PDF 1521 KB] (142)
47302 韩铁成, 赵红东, 彭晓灿
  Short-gate AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with BGaN buffer
    中国物理B   2019 Vol.28 (4): 47302-047302 [摘要] (172) [HTML 1 KB] [PDF 496 KB] (143)
27302 吴浩, 段宝兴, 杨珞云, 杨银堂
  Theoretical analytic model for RESURF AlGaN/GaN HEMTs
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27302-027302 [摘要] (265) [HTML 1 KB] [PDF 504 KB] (158)
18505 韩茹, 张海潮, 王党辉, 李翠
  Optimization of ambipolar current and analog/RF performance for T-shaped tunnel field-effect transistor with gate dielectric spacer
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 18505-018505 [摘要] (210) [HTML 1 KB] [PDF 792 KB] (126)
97310 赵晓松, 韩伟华, 郭仰岩, 窦亚梅, 杨富华
  Transport spectroscopy through dopant atom array in silicon junctionless nanowire transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97310-097310 [摘要] (234) [HTML 1 KB] [PDF 2113 KB] (113)
98501 毕津顺, 习凯, 李博, 王海滨, 季兰龙, 李金, 刘明
  Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 98501-098501 [摘要] (171) [HTML 1 KB] [PDF 774 KB] (117)
87308 王慧德, David K Sang, 郭志男, 曹睿, 赵劲来, Muhammad Najeeb Ullah Shah, 范涛健, 范滇元, 张晗
  Black phosphorus-based field effect transistor devices for Ag ions detection
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 87308-087308 [摘要] (158) [HTML 1 KB] [PDF 2698 KB] (254)
88106 马刘红, 韩伟华, 赵晓松, 郭仰岩, 窦亚梅, 杨富华
  Influence of dopant concentration on electrical quantum transport behaviors in junctionless nanowire transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 88106-088106 [摘要] (193) [HTML 0 KB] [PDF 2083 KB] (130)
88501 陈伟中, 黄垚, 贺利军, 韩郑生, 黄义
  A snapback-free TOL-RC-LIGBT with vertical P-collector and N-buffer design
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 88501-088501 [摘要] (178) [HTML 1 KB] [PDF 800 KB] (131)
78502 李聪, 闫志蕊, 庄奕琪, 赵小龙, 郭嘉敏
  Ge/Si heterojunction L-shape tunnel field-effect transistors with hetero-gate-dielectric
    中国物理B   2018 Vol.27 (7): 78502-078502 [摘要] (170) [HTML 0 KB] [PDF 1485 KB] (142)
66105 雷志锋, 张战刚, 恩云飞, 黄云
  Mechanisms of atmospheric neutron-induced single event upsets in nanometric SOI and bulk SRAM devices based on experiment-verified simulation tool
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 66105-066105 [摘要] (180) [HTML 1 KB] [PDF 1455 KB] (146)
67402 王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 史小卫
  Enhancement of off-state characteristics in junctionless field effect transistor using a field plate
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 67402-067402 [摘要] (202) [HTML 0 KB] [PDF 628 KB] (145)
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