Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.Tv" 的文章:
40703 钟海, 孙勤超, 李果, 杜剑宇, 黄河意, 郭尔佳, 何萌, 王灿, 杨国桢, 葛琛, 金奎娟
  High-performance synaptic transistors for neuromorphic computing
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 40703-040703 [摘要] (26) [HTML 1 KB] [PDF 7578 KB] (19)
38104 马刘红, 韩伟华, 杨富华
  Coulomb blockade and hopping transport behaviors of donor-induced quantum dots in junctionless transistors
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38104-038104 [摘要] (26) [HTML 1 KB] [PDF 2676 KB] (12)
38503 姚佳飞, 郭宇锋, 张振宇, 杨可萌, 张茂林, 夏天
  Numerical and analytical investigations for the SOI LDMOS with alternated high-k dielectric and step doped silicon pillars
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38503-038503 [摘要] (30) [HTML 1 KB] [PDF 637 KB] (15)
38505 张先乐, 常鹏鹰, 杜刚, 刘晓彦
  Role of remote Coulomb scattering on the hole mobility at cryogenic temperatures in SOI p-MOSFETs
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38505-038505 [摘要] (38) [HTML 1 KB] [PDF 667 KB] (43)
107301 葛梅, 蔡青, 张保花, 陈敦军, 胡立群, 薛俊俊, 陆海, 张荣, 郑有炓
  Negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs by traps in unintentionally doped GaN buffer layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107301-107301 [摘要] (62) [HTML 1 KB] [PDF 1005 KB] (90)
107303 郭仰岩, 韩伟华, 赵晓松, 窦亚梅, 张晓迪, 吴歆宇, 杨富华
  Observation of hopping transitions for delocalized electrons by temperature-dependent conductance in siliconjunctionless nanowire transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107303-107303 [摘要] (57) [HTML 1 KB] [PDF 1057 KB] (36)
108501 许会芳, 崔健, 孙雯, 韩新风
  Analysis of non-uniform hetero-gate-dielectric dual-material control gate TFET for suppressing ambipolar nature and improving radio-frequency performance
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 108501-108501 [摘要] (75) [HTML 1 KB] [PDF 564 KB] (44)
87302 霍文星, 梅增霞, 卢毅成, 韩祖银, 朱锐, 王涛, 隋妍心, 梁会力, 杜小龙
  Effects of active layer thickness on performance and stability of dual-active-layer amorphous InGaZnO thin-film transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 87302-087302 [摘要] (122) [HTML 1 KB] [PDF 1824 KB] (65)
88502 韩朝阳, 刘远, 刘玉荣, 陈雅怡, 王黎, 陈荣盛
  Negative gate bias stress effects on conduction and low frequency noise characteristics in p-type poly-Si thin-film transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 88502-088502 [摘要] (76) [HTML 1 KB] [PDF 558 KB] (68)
68504 温正欣, 张峰, 申占伟, 陈俊, 何亚伟, 闫果果, 刘兴昉, 赵万顺, 王雷, 孙国胜, 曾一平
  Design and fabrication of 10-kV silicon-carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 68504-068504 [摘要] (97) [HTML 1 KB] [PDF 1521 KB] (94)
47302 韩铁成, 赵红东, 彭晓灿
  Short-gate AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with BGaN buffer
    中国物理B   2019 Vol.28 (4): 47302-047302 [摘要] (135) [HTML 1 KB] [PDF 496 KB] (102)
27302 吴浩, 段宝兴, 杨珞云, 杨银堂
  Theoretical analytic model for RESURF AlGaN/GaN HEMTs
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27302-027302 [摘要] (217) [HTML 1 KB] [PDF 504 KB] (119)
18505 韩茹, 张海潮, 王党辉, 李翠
  Optimization of ambipolar current and analog/RF performance for T-shaped tunnel field-effect transistor with gate dielectric spacer
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 18505-018505 [摘要] (181) [HTML 1 KB] [PDF 792 KB] (100)
97310 赵晓松, 韩伟华, 郭仰岩, 窦亚梅, 杨富华
  Transport spectroscopy through dopant atom array in silicon junctionless nanowire transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97310-097310 [摘要] (194) [HTML 1 KB] [PDF 2113 KB] (86)
98501 毕津顺, 习凯, 李博, 王海滨, 季兰龙, 李金, 刘明
  Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 98501-098501 [摘要] (142) [HTML 1 KB] [PDF 774 KB] (87)
87308 王慧德, David K Sang, 郭志男, 曹睿, 赵劲来, Muhammad Najeeb Ullah Shah, 范涛健, 范滇元, 张晗
  Black phosphorus-based field effect transistor devices for Ag ions detection
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 87308-087308 [摘要] (127) [HTML 1 KB] [PDF 2698 KB] (172)
88106 马刘红, 韩伟华, 赵晓松, 郭仰岩, 窦亚梅, 杨富华
  Influence of dopant concentration on electrical quantum transport behaviors in junctionless nanowire transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 88106-088106 [摘要] (148) [HTML 0 KB] [PDF 2083 KB] (88)
88501 陈伟中, 黄垚, 贺利军, 韩郑生, 黄义
  A snapback-free TOL-RC-LIGBT with vertical P-collector and N-buffer design
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 88501-088501 [摘要] (152) [HTML 1 KB] [PDF 800 KB] (99)
78502 李聪, 闫志蕊, 庄奕琪, 赵小龙, 郭嘉敏
  Ge/Si heterojunction L-shape tunnel field-effect transistors with hetero-gate-dielectric
    中国物理B   2018 Vol.27 (7): 78502-078502 [摘要] (148) [HTML 0 KB] [PDF 1485 KB] (95)
66105 雷志锋, 张战刚, 恩云飞, 黄云
  Mechanisms of atmospheric neutron-induced single event upsets in nanometric SOI and bulk SRAM devices based on experiment-verified simulation tool
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 66105-066105 [摘要] (136) [HTML 1 KB] [PDF 1455 KB] (112)
67402 王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 史小卫
  Enhancement of off-state characteristics in junctionless field effect transistor using a field plate
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 67402-067402 [摘要] (157) [HTML 0 KB] [PDF 628 KB] (126)
68504 王黎, 刘远, 耿魁伟, 陈雅怡, 恩云飞
  Degradation of current-voltage and low frequency noise characteristics under negative bias illumination stress in InZnO thin film transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 68504-068504 [摘要] (99) [HTML 0 KB] [PDF 1319 KB] (176)
68505 刘彧千, 柴常春, 张宇航, 史春蕾, 刘阳, 樊庆扬, 杨银堂
  Physics-based analysis and simulation model of electromagnetic interference induced soft logic upset in CMOS inverter
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 68505-068505 [摘要] (104) [HTML 0 KB] [PDF 887 KB] (99)
47305 毛维, 王海永, 石朋毫, 王晓飞, 杜鸣, 郑雪峰, 王冲, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Low specific on-resistance GaN-based vertical heterostructure field effect transistors with nonuniform doping superjunctions
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47305-047305 [摘要] (185) [HTML 1 KB] [PDF 1596 KB] (185)
48503 戴丽华, 毕大炜, 胡志远, 刘小年, 张梦映, 张正选, 邹世昌
  Research on the radiation hardened SOI devices with single-step Si ion implantation
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48503-048503 [摘要] (227) [HTML 1 KB] [PDF 1624 KB] (176)
48504 栗旭阳, 喻志农, 程锦, 陈永华, 薛建设, 郭建, 薛唯
  Water-based processed and alkoxide-based processed indium oxide thin-film transistors at different annealing temperatures
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48504-048504 [摘要] (159) [HTML 1 KB] [PDF 4283 KB] (139)
127102 崔鹏, 林兆军, 付晨, 刘艳, 吕元杰
  Effects of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
    中国物理B   2017 Vol.26 (12): 127102-127102 [摘要] (156) [HTML 0 KB] [PDF 495 KB] (127)
128101 齐栋宇, 张冬利, 王明湘
  Positive gate bias stress-induced hump-effect in elevated-metal metal-oxide thin film transistors
    中国物理B   2017 Vol.26 (12): 128101-128101 [摘要] (149) [HTML 0 KB] [PDF 443 KB] (336)
107301 韩铁成, 赵红东, 杨磊, 王杨
  Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transistor with AlInN back barrier
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 107301-107301 [摘要] (179) [HTML 1 KB] [PDF 349 KB] (460)
96103 郑齐文, 崔江维, 刘梦新, 苏丹丹, 周航, 马腾, 余学峰, 陆妩, 郭旗, 赵发展
  Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 96103-096103 [摘要] (168) [HTML 0 KB] [PDF 432 KB] (237)
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