Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.Rs" 的文章:
127201 刘青, 蒲红斌, 王曦
  Ultra-high voltage 4H-SiC gate turn-off thyristor forlow switching time
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 127201-127201 [摘要] (77) [HTML 1 KB] [PDF 1162 KB] (63)
108502 王曦, 蒲红斌, 刘青, 安丽琪
  Shortening turn-on delay of SiC light triggered thyristor by 7-shaped thin n-base doping profile
    中国物理B   2018 Vol.27 (10): 108502-108502 [摘要] (219) [HTML 1 KB] [PDF 741 KB] (91)
108505 王曦, 蒲红斌, 刘青, 陈春兰, 陈治明
  Injection modulation of p+–n emitter junction in 4H–SiC light triggered thyristor by double-deck thin n-base
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 108505-108505 [摘要] (150) [HTML 0 KB] [PDF 374 KB] (213)
77304 齐钊, 乔明, 何逸涛, 张波
  High holding voltage SCR for robust electrostatic discharge protection
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77304-077304 [摘要] (189) [HTML 1 KB] [PDF 1057 KB] (291)
108502 张帅, 董树荣, 吴晓京, 曾杰, 钟雷, 吴健
  An improved GGNMOS triggered SCR for high holding voltage ESD protection applications
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 108502-108502 [摘要] (207) [HTML 1 KB] [PDF 370 KB] (436)
47303 马金荣, 乔明, 张波
  Novel substrate trigger SCR-LDMOS stacking structure for high-voltage ESD protection application
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 47303-047303 [摘要] (304) [HTML 0 KB] [PDF 308 KB] (715)
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