Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含  号为 "85.30.Mn" 的文章:
108502 许会芳, 韩新风, 孙雯
  Design and investigation of dopingless double-gate line tunneling transistor:Analog performance, linearity, and harmonic distortion analysis
    中国物理B   2020 Vol.29 (10): 108502-108502 [摘要] (5) [HTML 1 KB] [PDF 648 KB] ()
68503 朱玲, 梁海莲, 顾晓峰, 许杰
  Design of a novel high holding voltage LVTSCR with embedded clamping diode
    中国物理B   2020 Vol.29 (6): 68503-068503 [摘要] (46) [HTML 1 KB] [PDF 645 KB] (47)
58501 吕智军, 吕红亮, 张玉明, 张义门, 芦宾, 朱翊, 孟凡康, 孙佳乐
  Characteristic enhancement in tunnel field-effect transistors via introduction of vertical graded source
    中国物理B   2020 Vol.29 (5): 58501-058501 [摘要] (61) [HTML 1 KB] [PDF 606 KB] (61)
18501 郁扬, 胡雯婕, 李强, 时倩, 朱银燕, 林汉轩, 苗田, 白羽, 王艳梅, 杨文婷, 王文彬, 郭杭闻, 殷立峰, 沈健
  Visualization of tunnel magnetoresistance effect in single manganite nanowires
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 18501-018501 [摘要] (178) [HTML 1 KB] [PDF 675 KB] (140)
108501 许会芳, 崔健, 孙雯, 韩新风
  Analysis of non-uniform hetero-gate-dielectric dual-material control gate TFET for suppressing ambipolar nature and improving radio-frequency performance
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 108501-108501 [摘要] (110) [HTML 1 KB] [PDF 564 KB] (106)
18505 韩茹, 张海潮, 王党辉, 李翠
  Optimization of ambipolar current and analog/RF performance for T-shaped tunnel field-effect transistor with gate dielectric spacer
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 18505-018505 [摘要] (210) [HTML 1 KB] [PDF 792 KB] (123)
78502 李聪, 闫志蕊, 庄奕琪, 赵小龙, 郭嘉敏
  Ge/Si heterojunction L-shape tunnel field-effect transistors with hetero-gate-dielectric
    中国物理B   2018 Vol.27 (7): 78502-078502 [摘要] (169) [HTML 0 KB] [PDF 1485 KB] (138)
77304 齐钊, 乔明, 何逸涛, 张波
  High holding voltage SCR for robust electrostatic discharge protection
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77304-077304 [摘要] (210) [HTML 1 KB] [PDF 1057 KB] (341)
78502 张文豪, 李尊朝, 关云鹤, 张也非
  Double-gate-all-around tunnel field-effect transistor
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 78502-078502 [摘要] (200) [HTML 1 KB] [PDF 429 KB] (188)
18504 张书琴, 梁仁荣, 王敬, 谭桢, 许军
  Heteromaterial-gate line tunnel field-effect transistor based on Si/Ge heterojunction
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 18504-018504 [摘要] (182) [HTML 1 KB] [PDF 329 KB] (430)
128501 张立忠, 王源, 何燕冬
  Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 128501-128501 [摘要] (177) [HTML 1 KB] [PDF 2266 KB] (213)
118501 康海燕, 胡辉勇, 王斌
  Analytical threshold voltage model for strained silicon GAA-TFET
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118501-118501 [摘要] (186) [HTML 0 KB] [PDF 354 KB] (266)
108502 关云鹤, 李尊朝, 骆东旭, 孟庆之, 张也非
  Characteristics of cylindrical surrounding-gate GaAsxSb1-x/InyGa1-yAs heterojunction tunneling field-effect transistors
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 108502-108502 [摘要] (176) [HTML 1 KB] [PDF 460 KB] (209)
48502 马达, 罗小蓉, 魏杰, 谭桥, 周坤, 吴俊峰
  Ultra-low specific on-resistance high-voltage vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with continuous electron accumulation layer
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 48502-048502 [摘要] (222) [HTML 1 KB] [PDF 788 KB] (336)
27701 蒋智, 庄奕琪, 李聪, 王 萍, 刘予琪
  Influence of trap-assisted tunneling on trap-assisted tunneling current in double gate tunnel field-effect transistor
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 27701-027701 [摘要] (272) [HTML 1 KB] [PDF 356 KB] (461)
108502 张帅, 董树荣, 吴晓京, 曾杰, 钟雷, 吴健
  An improved GGNMOS triggered SCR for high holding voltage ESD protection applications
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 108502-108502 [摘要] (229) [HTML 1 KB] [PDF 370 KB] (489)
108503 张立忠, 王源, 陆光易, 曹健, 张兴
  A novel diode string triggered gated-PiN junction device for electrostatic discharge protection in 65-nm CMOS technology
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 108503-108503 [摘要] (247) [HTML 1 KB] [PDF 1613 KB] (321)
47303 马金荣, 乔明, 张波
  Novel substrate trigger SCR-LDMOS stacking structure for high-voltage ESD protection application
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 47303-047303 [摘要] (322) [HTML 0 KB] [PDF 308 KB] (757)
57203 王向东, 邓小川, 王永维, 王勇, 文译, 张波
  Experimental and numerical analyses of high voltage 4H-SiC junction barrier Schottky rectifiers with linearly graded field limiting ring
    中国物理B   2014 Vol.23 (5): 57203-057203 [摘要] (170) [HTML 1 KB] [PDF 498 KB] (522)
27101 吕元杰, 冯志红, 林兆军, 顾国栋, 敦少博, 尹甲运, 韩婷婷, 蔡树军
  Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 27101-027101 [摘要] (192) [HTML 1 KB] [PDF 268 KB] (681)
38501 李妤晨, 张鹤鸣, 张玉明, 胡辉勇, 王斌, 娄永乐, 周春宇
  Two-dimensional threshold voltage model of nanoscale silicon-on-insulator tunneling field-effect transistor
    中国物理B   2013 Vol.22 (3): 38501-038501 [摘要] (404) [HTML 0 KB] [PDF 417 KB] (1464)
108502 乔明, 庄翔, 吴丽娟, 章文通, 温恒娟, 张波, 李肇基
  Breakdown voltage model and structure realization of a thin silicon layer with linear variable doping on a silicon on insulator high voltage device with multiple step field plates
    中国物理B   2012 Vol.21 (10): 108502-108502 [摘要] (671) [HTML 1 KB] [PDF 2606 KB] (1536)
118401 黄健华, 吕红亮, 张玉明, 张义门, 汤晓燕, 陈丰平, 宋庆文
  Simulation study of a mixed terminal structure for 4H-SiC merged PiN/Schottky diode
    中国物理B   2011 Vol.20 (11): 118401-118401 [摘要] (965) [HTML 0 KB] [PDF 304 KB] (1011)
47310 李秋柱, 王楷群, 菅傲群, 刘鑫, 张斌珍
  Pressure effect study on the IV property of the GaAs-based resonant tunnelling structure by photoluminescence measurement
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47310-047310 [摘要] (1025) [HTML 0 KB] [PDF 363 KB] (550)
1242 熊继军, 毛海央, 张文栋, 王楷群
  A novel micro accelerometer with adjustable sensitivity based on resonant tunneling diodes
    中国物理B   2009 Vol.18 (3): 1242-1247 [摘要] (678) [HTML 0 KB] [PDF 1230 KB] (807)
4645 张杨, 张予, 曾一平
  Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53a0.47s/InAs resonant tunneling diodes on quantum well widths
    中国物理B   2008 Vol.17 (12): 4645-4647 [摘要] (984) [HTML 0 KB] [PDF 1208 KB] (639)
1472 张杨, 韩春林, 高建峰, 朱战平, 王保强, 曾一平
  Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
    中国物理B   2008 Vol.17 (4): 1472-1474 [摘要] (990) [HTML 0 KB] [PDF 157 KB] (500)
1150 王建, 张文栋, 薛晨阳, 熊继军, 刘俊, 谢斌
  Pressure effects in AlAs/InxGa1-xAs/GaAs resonant tunnelling diodes for application in micromachined sensors
    中国物理B   2007 Vol.16 (4): 1150-1154 [摘要] (847) [HTML 0 KB] [PDF 496 KB] (681)
2422 马 龙, 黄应龙, 张 杨, 杨富华, 王良臣
  A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
    中国物理B   2006 Vol.15 (10): 2422-2426 [摘要] (1150) [HTML 0 KB] [PDF 408 KB] (503)
2130 宋红州, 张平, 段素青, 赵宪庚
  Quantum control of two interacting electrons in a coupled quantum dot
    中国物理B   2006 Vol.15 (9): 2130-2141 [摘要] (746) [HTML 0 KB] [PDF 249 KB] (583)
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