Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.Kk" 的文章:
5029 李菲, 张小玲, 段毅, 谢雪松, 吕长志
  High-temperature current conduction through three kinds of Schottky diodes
    中国物理B   2009 Vol.18 (11): 5029-5033 [摘要] (1189) [HTML 0 KB] [PDF 712 KB] (657)
4465 安霞, 范春晖, 黄如, 郭岳, 徐聪, 张兴
  The modulation of Schottky barrier height of NiSi/n-Si Schottky diodes by silicide as diffusion source technique
    中国物理B   2009 Vol.18 (10): 4465-4469 [摘要] (1143) [HTML 0 KB] [PDF 5296 KB] (762)
3900 徐学俊, 陈少武, 徐海华, 孙阳, 俞育德, 余金中, 王启明
  High-speed 2×2 silicon-based electro-optic switch with nanosecond switch time
    中国物理B   2009 Vol.18 (9): 3900-3904 [摘要] (1163) [HTML 0 KB] [PDF 1451 KB] (905)
3490 张林, 张义门, 张玉明, 韩超, 马永吉
  High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact
    中国物理B   2009 Vol.18 (8): 3490-3494 [摘要] (1186) [HTML 0 KB] [PDF 1316 KB] (918)
1931 张林, 张义门, 张玉明, 韩超, 马永吉
  High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiCSchottky barrier diode at room temperature
    中国物理B   2009 Vol.18 (5): 1931-1934 [摘要] (926) [HTML 0 KB] [PDF 287 KB] (609)
1614 刘芳, 王涛, 沈波, 黄森, 林芳, 马楠, 许福军, 王鹏, 姚建铨
  The leakage current mechanisms in the Schottky diode with a thin Al layer insertion between Al0.245Ga0.755N/GaN heterostructure and Ni/Au Schottky contact
    中国物理B   2009 Vol.18 (4): 1614-1617 [摘要] (1060) [HTML 1 KB] [PDF 171 KB] (771)
1242 熊继军, 毛海央, 张文栋, 王楷群
  A novel micro accelerometer with adjustable sensitivity based on resonant tunneling diodes
    中国物理B   2009 Vol.18 (3): 1242-1247 [摘要] (664) [HTML 0 KB] [PDF 1230 KB] (771)
303 马丽, 高勇
  A super junction SiGe low-loss fast switching power diode
    中国物理B   2009 Vol.18 (1): 303-308 [摘要] (819) [HTML 0 KB] [PDF 1913 KB] (1057)
4635 高勇, 刘静, 杨媛
  Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes
    中国物理B   2008 Vol.17 (12): 4635-4639 [摘要] (956) [HTML 0 KB] [PDF 236 KB] (814)
2707 龙云泽, 尹志华, 惠雯, 陈兆甲, 万梅香
  Rectifying effect of heterojunctions between metals and doped conducting polymer nanostructure pellets
    中国物理B   2008 Vol.17 (7): 2707-2711 [摘要] (984) [HTML 0 KB] [PDF 1696 KB] (858)
1472 张杨, 韩春林, 高建峰, 朱战平, 王保强, 曾一平
  Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
    中国物理B   2008 Vol.17 (4): 1472-1474 [摘要] (983) [HTML 0 KB] [PDF 157 KB] (473)
1150 王建, 张文栋, 薛晨阳, 熊继军, 刘俊, 谢斌
  Pressure effects in AlAs/InxGa1-xAs/GaAs resonant tunnelling diodes for application in micromachined sensors
    中国物理B   2007 Vol.16 (4): 1150-1154 [摘要] (830) [HTML 0 KB] [PDF 496 KB] (647)
2422 马 龙, 黄应龙, 张 杨, 杨富华, 王良臣
  A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
    中国物理B   2006 Vol.15 (10): 2422-2426 [摘要] (1136) [HTML 0 KB] [PDF 408 KB] (463)
954 张晓昕, 曾一平, 仇志军, 王宝强, 朱占平
  Observation of the current-voltage plateau-like structure of resonant tunnelling diode with prewells under different magnetic fields
    中国物理B   2004 Vol.13 (6): 954-957 [摘要] (718) [HTML 0 KB] [PDF 164 KB] (342)
1114 马丽, 高勇, 王彩琳
  A novel type of ultra fast and ultra soft recovery SiGe/Si heterojunction power diode with an ideal ohmic contact
    中国物理B   2004 Vol.13 (7): 1114-1119 [摘要] (709) [HTML 0 KB] [PDF 296 KB] (400)
1560 张晓昕, 曾一平, 王晓光, 王保强, 朱占平
  Relationship between the electric performance and the photoluminescence spectra of resonant tunnelling diodes
    中国物理B   2004 Vol.13 (9): 1560-1563 [摘要] (608) [HTML 0 KB] [PDF 171 KB] (633)
94 王守国, 张义门, 张玉明
  Parameter extraction for a Ti/4H-SiC Schottky diode
    中国物理B   2003 Vol.12 (1): 94-96 [摘要] (891) [HTML 0 KB] [PDF 216 KB] (491)
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