Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.Kk" 的文章:
48502 杨超, 梁红伟, 张振中, 夏晓川, 张贺秋, 申人升, 骆英民, 杜国同
  Effect of temperature on photoresponse properties of solar-blind Schottky barrier diode photodetector based on single crystal Ga2O3
    中国物理B   2019 Vol.28 (4): 48502-048502 [摘要] (130) [HTML 1 KB] [PDF 1181 KB] (67)
127302 王辉, 蒋苓利, 林新鹏, 雷思琦, 于洪宇
  A simulation study of field plate termination in Ga2O3 Schottky barrier diodes
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 127302-127302 [摘要] (191) [HTML 1 KB] [PDF 650 KB] (81)
128502 胡思奇, 田睿娟, 罗小光, 殷瑞, 程迎春, 赵建林, 王肖沐, 甘雪涛
  Photovoltaic effects in reconfigurable heterostructured black phosphorus transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 128502-128502 [摘要] (216) [HTML 1 KB] [PDF 1749 KB] (125)
66106 庞正鹏, 王欣, 陈健, 杨盼, 张洋, 田永辉, 杨建红
  Non-monotonic dependence of current upon i-width in silicon p-i-n diodes
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 66106-066106 [摘要] (129) [HTML 0 KB] [PDF 747 KB] (100)
18502 王尘, 许怡红, 李成, 林海军
  Improved performance of Ge n+/p diode by combining laser annealing and epitaxial Si passivation
    中国物理B   2018 Vol.27 (1): 18502-018502 [摘要] (142) [HTML 1 KB] [PDF 552 KB] (111)
98503 孟骁然, 平云霞, 俞文杰, 薛忠营, 魏星, 张苗, 狄增峰, 张波, 赵清太
  Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature annealing
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 98503-098503 [摘要] (153) [HTML 0 KB] [PDF 1415 KB] (123)
87308 赵琳娜, 于沛洪, 郭子骧, 闫大为, 周浩, 吴锦波, 崔志强, 孙华锐, 顾晓峰
  Progressive current degradation and breakdown behavior in GaN LEDs under high reverse bias stress
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87308-087308 [摘要] (164) [HTML 1 KB] [PDF 1376 KB] (160)
38504 魏侠, 闫法光, 申超, 吕全山, 王开友
  Photodetectors based on junctions of two-dimensional transition metal dichalcogenides
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 38504-038504 [摘要] (307) [HTML 1 KB] [PDF 7098 KB] (606)
28102 I Orak, A Kocyigit, Ş Alındal
  Electrical and dielectric characterization of Au/ZnO/n—Si device depending frequency and voltage
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28102-028102 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 1395 KB] (302)
128501 张立忠, 王源, 何燕冬
  Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 128501-128501 [摘要] (144) [HTML 1 KB] [PDF 2266 KB] (168)
108503 张立忠, 王源, 陆光易, 曹健, 张兴
  A novel diode string triggered gated-PiN junction device for electrostatic discharge protection in 65-nm CMOS technology
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 108503-108503 [摘要] (218) [HTML 1 KB] [PDF 1613 KB] (274)
128503 李军帅, 张霞, 颜鑫, 陈雄, 李亮, 崔建功, 黄永清, 任晓敏
  Fabrication and electrical properties of axial and radial GaAs nanowire pn junction diode arrays
    中国物理B   2014 Vol.23 (12): 128503-128503 [摘要] (290) [HTML 1 KB] [PDF 2390 KB] (359)
97308 蒋超, 陆海, 陈敦军, 任芳芳, 张荣, 郑有炓
  Breakdown characteristics of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes fabricated on a silicon substrate
    中国物理B   2014 Vol.23 (9): 97308-097308 [摘要] (216) [HTML 1 KB] [PDF 1081 KB] (637)
18506 Ahmet Kaya, Sedat Zeyrek, Sait Eren San, Şmsettin Altindal
  Electrical and dielectric properties of Al/p-Si and Al/perylene/p-Si type diodes in a wide frequency range
    中国物理B   2014 Vol.23 (1): 18506-018506 [摘要] (143) [HTML 1 KB] [PDF 1510 KB] (411)
108502 Mert Yíldírím, Perihan Durmuş, Şemsettin Altíndal
  Analyses of temperature-dependent interface states, series resistances, and AC electrical conductivities of Al/p–Si and Al/Bi4Ti3O12/p–Si structures by using the admittance spectroscopy method
    中国物理B   2013 Vol.22 (10): 108502-108502 [摘要] (191) [HTML 1 KB] [PDF 390 KB] (485)
128502 M. Gökcen, M. Yildirim
  Investigation of inhomogeneous barrier height of Au/Bi4Ti3O12/n-Si structure through Gaussian distribution of barrier height
    中国物理B   2012 Vol.21 (12): 128502-128502 [摘要] (533) [HTML 1 KB] [PDF 534 KB] (456)
68502 汪涛, 郭清, 刘艳, Yun Janggn
  Abnormal oxidation in nickel silicide and nickel germanosilicide in sub-micro CMOS
    中国物理B   2012 Vol.21 (6): 68502-068502 [摘要] (973) [HTML 1 KB] [PDF 279 KB] (1806)
117301 陈丰平, 张玉明, 张义门, 汤晓燕, 王悦湖, 陈文豪
  Edge termination study and fabrication of a 4H–SiC junction barrier Schottky diode
    中国物理B   2011 Vol.20 (11): 117301-117301 [摘要] (1329) [HTML 0 KB] [PDF 413 KB] (2797)
118401 黄健华, 吕红亮, 张玉明, 张义门, 汤晓燕, 陈丰平, 宋庆文
  Simulation study of a mixed terminal structure for 4H-SiC merged PiN/Schottky diode
    中国物理B   2011 Vol.20 (11): 118401-118401 [摘要] (908) [HTML 0 KB] [PDF 304 KB] (945)
67102 张发生, 李欣然
  Research on high-voltage 4H–SiC P–i–N diode with planar edge junction termination techniques
    中国物理B   2011 Vol.20 (6): 67102-067102 [摘要] (905) [HTML 0 KB] [PDF 473 KB] (997)
107101 蒲红斌, 曹琳, 陈治明, 仁杰, 南雅公
  Modeling of 4H–SiC multi-floating-junction Schottky barrier diode
    中国物理B   2010 Vol.19 (10): 107101-107101 [摘要] (1116) [HTML 0 KB] [PDF 280 KB] (747)
107304 南雅公, 蒲红斌, 曹琳, 任杰
  Study and optimal simulation of 4H–SiC floating junction Schottky barrier diodes' structures and electric properties
    中国物理B   2010 Vol.19 (10): 107304-107304 [摘要] (973) [HTML 0 KB] [PDF 532 KB] (756)
57303 刘红侠, 吴笑峰, 胡仕刚, 石立春
  Characteristics and parameter extraction for NiGe/n-type Ge Schottky diode with variable annealing temperatures
    中国物理B   2010 Vol.19 (5): 57303-057303 [摘要] (920) [HTML 0 KB] [PDF 735 KB] (628)
47201 宋庆文, 张玉明, 张义门, 张倩, 郭辉, 李志云, 王中旭
  Influence of geometrical parameters on the behaviour of SiC merged PiN Schottky rectifiers with junction termination extension
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47201-047201 [摘要] (1034) [HTML 0 KB] [PDF 298 KB] (608)
47305 陈丰平, 张玉明, 张义门, 吕红亮, 宋庆文
  Simulation research on offset field-plate used as edge termination in 4H-SiC merged PiN-Schottky diodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47305-047305 [摘要] (1011) [HTML 0 KB] [PDF 342 KB] (914)
47310 李秋柱, 王楷群, 菅傲群, 刘鑫, 张斌珍
  Pressure effect study on the IV property of the GaAs-based resonant tunnelling structure by photoluminescence measurement
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47310-047310 [摘要] (1012) [HTML 0 KB] [PDF 363 KB] (503)
36803 王悦湖, 张义门, 张玉明, 张林, 贾仁需, 陈达
  SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier diodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (3): 36803-036803 [摘要] (1197) [HTML 0 KB] [PDF 1651 KB] (788)
17203 王守国, 张岩, 张义门, 张玉明
  Characterization of ion-implanted 4H-SiC Schottky barrier diodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (1): 17203-017203 [摘要] (955) [HTML 0 KB] [PDF 344 KB] (838)
5474 宋庆文, 张玉明, 张义门, 吕红亮, 陈丰平, 郑庆立
  Analytical model for reverse characteristics of 4H--SiC merged PN--Schottky (MPS) diodes
    中国物理B   2009 Vol.18 (12): 5474-5478 [摘要] (1243) [HTML 0 KB] [PDF 134 KB] (891)
5029 李菲, 张小玲, 段毅, 谢雪松, 吕长志
  High-temperature current conduction through three kinds of Schottky diodes
    中国物理B   2009 Vol.18 (11): 5029-5033 [摘要] (1175) [HTML 0 KB] [PDF 712 KB] (643)
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