Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.Hi" 的文章:
38503 徐阳, 陈选虎, 程亮, 任芳芳, 周建军, 柏松, 陆海, 顾书林, 张荣, 郑有炓, 叶建东
  High performance lateral Schottky diodes based on quasi-degenerated Ga2O3
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 38503-038503 [摘要] (220) [HTML 1 KB] [PDF 714 KB] (219)
98503 孟骁然, 平云霞, 俞文杰, 薛忠营, 魏星, 张苗, 狄增峰, 张波, 赵清太
  Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature annealing
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 98503-098503 [摘要] (158) [HTML 0 KB] [PDF 1415 KB] (128)
28102 I Orak, A Kocyigit, Ş Alındal
  Electrical and dielectric characterization of Au/ZnO/n—Si device depending frequency and voltage
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28102-028102 [摘要] (199) [HTML 1 KB] [PDF 1395 KB] (317)
38502 辛艳辉, 袁胜, 刘明堂, 刘红侠, 袁合才
  Two-dimensional models of threshold voltage andsubthreshold current for symmetrical double-material double-gate strained Si MOSFETs
    中国物理B   2016 Vol.25 (3): 38502-038502 [摘要] (181) [HTML 1 KB] [PDF 339 KB] (244)
77305 王昊, 陈星, 许光辉, 黄卡玛
  A novel physical parameter extraction approach for Schottky diodes
    中国物理B   2015 Vol.24 (7): 77305-077305 [摘要] (194) [HTML 1 KB] [PDF 378 KB] (485)
117306 E. Yağlıoğlu, Ö. Tüzün Özmen
  F4-TCNQ concentration dependence of the current–voltage characteristics in the Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si (MPS) Schottky barrier diode
    中国物理B   2014 Vol.23 (11): 117306-117306 [摘要] (246) [HTML 1 KB] [PDF 367 KB] (532)
97307 武玫, 郑大勇, 王媛, 陈伟伟, 张凯, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Schottky forward current transport mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs over a wide temperature range
    中国物理B   2014 Vol.23 (9): 97307-097307 [摘要] (227) [HTML 1 KB] [PDF 315 KB] (1426)
38504 邢英杰, 钱旻昉, 郭等柱, 张耿民
  Increased work function in PEDOT:PSS film under ultraviolet irradiation
    中国物理B   2014 Vol.23 (3): 38504-038504 [摘要] (187) [HTML 1 KB] [PDF 338 KB] (1446)
18506 Ahmet Kaya, Sedat Zeyrek, Sait Eren San, Şmsettin Altindal
  Electrical and dielectric properties of Al/p-Si and Al/perylene/p-Si type diodes in a wide frequency range
    中国物理B   2014 Vol.23 (1): 18506-018506 [摘要] (153) [HTML 1 KB] [PDF 1510 KB] (429)
108502 Mert Yíldírím, Perihan Durmuş, Şemsettin Altíndal
  Analyses of temperature-dependent interface states, series resistances, and AC electrical conductivities of Al/p–Si and Al/Bi4Ti3O12/p–Si structures by using the admittance spectroscopy method
    中国物理B   2013 Vol.22 (10): 108502-108502 [摘要] (197) [HTML 1 KB] [PDF 390 KB] (495)
128502 M. Gökcen, M. Yildirim
  Investigation of inhomogeneous barrier height of Au/Bi4Ti3O12/n-Si structure through Gaussian distribution of barrier height
    中国物理B   2012 Vol.21 (12): 128502-128502 [摘要] (544) [HTML 1 KB] [PDF 534 KB] (473)
68502 汪涛, 郭清, 刘艳, Yun Janggn
  Abnormal oxidation in nickel silicide and nickel germanosilicide in sub-micro CMOS
    中国物理B   2012 Vol.21 (6): 68502-068502 [摘要] (983) [HTML 1 KB] [PDF 279 KB] (1880)
37304 陈丰平,张玉明,张义门,汤晓燕,王悦湖,陈文豪
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (3): 37304-037304 [摘要] (952) [HTML 1 KB] [PDF 301 KB] (1727)
117301 陈丰平, 张玉明, 张义门, 汤晓燕, 王悦湖, 陈文豪
  Edge termination study and fabrication of a 4H–SiC junction barrier Schottky diode
    中国物理B   2011 Vol.20 (11): 117301-117301 [摘要] (1354) [HTML 0 KB] [PDF 413 KB] (2822)
60702 黄杰, 董军荣, 杨浩, 张海英, 田超, 郭天义
  A k-band broadband monolithic distributed frequency multiplier based on nonlinear transmission line
    中国物理B   2011 Vol.20 (6): 60702-060702 [摘要] (1126) [HTML 0 KB] [PDF 1254 KB] (1503)
107207 M. A. Yeganehx, Sh. Rahmatallahpur, A. Nozad, R. K. Mamedov
  Effect of diode size and series resistance on barrier height and ideality factor in nearly ideal Au/n type-GaAs micro Schottky contact diodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (10): 107207-107207 [摘要] (1258) [HTML 0 KB] [PDF 3060 KB] (1381)
57303 刘红侠, 吴笑峰, 胡仕刚, 石立春
  Characteristics and parameter extraction for NiGe/n-type Ge Schottky diode with variable annealing temperatures
    中国物理B   2010 Vol.19 (5): 57303-057303 [摘要] (930) [HTML 0 KB] [PDF 735 KB] (647)
47305 陈丰平, 张玉明, 张义门, 吕红亮, 宋庆文
  Simulation research on offset field-plate used as edge termination in 4H-SiC merged PiN-Schottky diodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47305-047305 [摘要] (1020) [HTML 0 KB] [PDF 342 KB] (932)
17203 王守国, 张岩, 张义门, 张玉明
  Characterization of ion-implanted 4H-SiC Schottky barrier diodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (1): 17203-017203 [摘要] (967) [HTML 0 KB] [PDF 344 KB] (857)
5029 李菲, 张小玲, 段毅, 谢雪松, 吕长志
  High-temperature current conduction through three kinds of Schottky diodes
    中国物理B   2009 Vol.18 (11): 5029-5033 [摘要] (1191) [HTML 0 KB] [PDF 712 KB] (658)
4465 安霞, 范春晖, 黄如, 郭岳, 徐聪, 张兴
  The modulation of Schottky barrier height of NiSi/n-Si Schottky diodes by silicide as diffusion source technique
    中国物理B   2009 Vol.18 (10): 4465-4469 [摘要] (1145) [HTML 0 KB] [PDF 5296 KB] (763)
1931 张林, 张义门, 张玉明, 韩超, 马永吉
  High energy electron radiation effect on Ni and Ti/4H-SiCSchottky barrier diode at room temperature
    中国物理B   2009 Vol.18 (5): 1931-1934 [摘要] (926) [HTML 0 KB] [PDF 287 KB] (609)
1614 刘芳, 王涛, 沈波, 黄森, 林芳, 马楠, 许福军, 王鹏, 姚建铨
  The leakage current mechanisms in the Schottky diode with a thin Al layer insertion between Al0.245Ga0.755N/GaN heterostructure and Ni/Au Schottky contact
    中国物理B   2009 Vol.18 (4): 1614-1617 [摘要] (1060) [HTML 1 KB] [PDF 171 KB] (772)
2120 周建军, 文博, 江若琏, 刘成祥, 姬小利, 谢自力, 陈敦军, 韩平, 张荣, 郑有炓
  Photoresponse of the In0.3 Ga0.7 N metal--insulator--semiconductor photodetectors
    中国物理B   2007 Vol.16 (7): 2120-2122 [摘要] (881) [HTML 0 KB] [PDF 184 KB] (560)
583 汤晓燕, 张义门, 张玉明, 郜锦侠
  6H-SiC Schottky barrier source/drain NMOSFET with field-induced source/drain extension
    中国物理B   2005 Vol.14 (3): 583-585 [摘要] (730) [HTML 0 KB] [PDF 223 KB] (636)
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