Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.De" 的文章:
98502 宋文强, 侯飞, 杜飞波, 刘志伟, 刘俊杰
  Enhanced gated-diode-triggered silicon-controlled rectifier for robust electrostatic discharge (ESD) protection applications
    中国物理B   2020 Vol.29 (9): 98502-098502 [摘要] (14) [HTML 1 KB] [PDF 1050 KB] (9)
87305 胡晟, 杨凌, 宓珉瀚, 侯斌, 刘晟, 张濛, 武玫, 朱青, 武盛, 卢阳, 祝杰杰, 周小伟, 吕玲, 马晓华, 郝跃
  Trap analysis of composite 2D-3D channel in AlGaN/GaN/graded-AlGaN: Si/GaN: C multi-heterostructure at different temperatures
    中国物理B   2020 Vol.29 (8): 87305-087305 [摘要] (44) [HTML 1 KB] [PDF 744 KB] (31)
88501 刘巧莉, 张海燕, 郝凌翔, 胡安琪, 吴光, 郭霞
  Total dose test with γ-ray for silicon single photon avalanche diodes
    中国物理B   2020 Vol.29 (8): 88501-088501 [摘要] (31) [HTML 1 KB] [PDF 641 KB] (49)
78501 Ahmed M. Elseddawy, Adel H. Phillips, Ahmed S Bayoumi
  Carbon nanotube-based nanoelectromechanical resonatoras mass biosensor
    中国物理B   2020 Vol.29 (7): 78501-078501 [摘要] (38) [HTML 1 KB] [PDF 416 KB] (33)
68503 朱玲, 梁海莲, 顾晓峰, 许杰
  Design of a novel high holding voltage LVTSCR with embedded clamping diode
    中国物理B   2020 Vol.29 (6): 68503-068503 [摘要] (43) [HTML 1 KB] [PDF 645 KB] (42)
57701 吴丽娟, 朱琳, 陈星
  Variable-K double trenches SOI LDMOS with high-concentration P-pillar
    中国物理B   2020 Vol.29 (5): 57701-057701 [摘要] (45) [HTML 1 KB] [PDF 484 KB] (47)
47302 冯伟
  Hydrodynamic simulation of chaotic dynamics in InGaAs oscillator in terahertz region
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47302-047302 [摘要] (70) [HTML 1 KB] [PDF 790 KB] (96)
48503 喻文娟, 张钰, 许明珠, 逯鑫淼
  Dark count in single-photon avalanche diodes: A novel statistical behavioral model
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 48503-048503 [摘要] (65) [HTML 1 KB] [PDF 629 KB] (76)
38502 钟英辉, 杨博, 常明铭, 丁芃, 马刘红, 李梦珂, 段智勇, 杨洁, 金智, 魏志超
  Enhancement of radiation hardness of InP-based HEMT with double Si-doped plane
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38502-038502 [摘要] (59) [HTML 1 KB] [PDF 714 KB] (65)
38503 姚佳飞, 郭宇锋, 张振宇, 杨可萌, 张茂林, 夏天
  Numerical and analytical investigations for the SOI LDMOS with alternated high-k dielectric and step doped silicon pillars
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38503-038503 [摘要] (78) [HTML 1 KB] [PDF 637 KB] (78)
38504 李炫璋, 孙令, 鲁金蕾, 刘洁, 岳琛, 谢莉莉, 王文新, 陈弘, 贾海强, 王禄
  A method to extend wavelength into middle-wavelength infrared based on InAsSb/(Al)GaSb interband transition quantum well infrared photodetector
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38504-038504 [摘要] (79) [HTML 1 KB] [PDF 494 KB] (81)
18502 韩炎兵, Sage Bauers, 张群, Andriy Zakutayev
  High-throughput fabrication and semi-automated characterization of oxide thin film transistors
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 18502-018502 [摘要] (92) [HTML 1 KB] [PDF 4344 KB] (109)
127201 刘青, 蒲红斌, 王曦
  Ultra-high voltage 4H-SiC gate turn-off thyristor forlow switching time
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 127201-127201 [摘要] (113) [HTML 1 KB] [PDF 1162 KB] (93)
128503 黄海宾, 周浪, 袁吉仁, 全知觉
  Simulation of a-Si: H/c-Si heterojunction solar cells: From planar junction to local junction
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 128503-128503 [摘要] (121) [HTML 1 KB] [PDF 1339 KB] (98)
118103 吴倩倩, 曹璠, 孔令媚, 杨绪勇
  InP quantum dots-based electroluminescent devices
    中国物理B   2019 Vol.28 (11): 118103-118103 [摘要] (163) [HTML 1 KB] [PDF 4160 KB] (254)
104212 金晓明, 陈伟, 李俊霖, 齐超, 郭晓强, 李瑞宾, 刘岩
  Single event upset on static random access memory devices due to spallation, reactor, and monoenergetic neutrons
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 104212-104212 [摘要] (88) [HTML 1 KB] [PDF 5125 KB] (91)
107301 葛梅, 蔡青, 张保花, 陈敦军, 胡立群, 薛俊俊, 陆海, 张荣, 郑有炓
  Negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs by traps in unintentionally doped GaN buffer layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107301-107301 [摘要] (96) [HTML 1 KB] [PDF 1005 KB] (162)
98502 陈蕊, 金冬月, 张万荣, 王利凡, 郭斌, 陈虎, 殷凌寒, 贾晓雪
  Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design of microwave power HBTs with two-dimensional array layout
    中国物理B   2019 Vol.28 (9): 98502-098502 [摘要] (98) [HTML 1 KB] [PDF 2321 KB] (91)
98503 蔡小龙, 周东, 程亮, 任芳芳, 钟宏, 张荣, 郑有炓, 陆海
  Performance improvement of 4H-SiC PIN ultraviolet avalanche photodiodes with different intrinsic layer thicknesses
    中国物理B   2019 Vol.28 (9): 98503-098503 [摘要] (111) [HTML 1 KB] [PDF 1018 KB] (96)
88501 侯飞, 陈瑞博, 杜飞波, 刘继芝, 刘志伟, 刘俊杰
  Improving robustness of GGNMOS with P-base layer for electrostatic discharge protection in 0.5-μm BCD process
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 88501-088501 [摘要] (103) [HTML 1 KB] [PDF 1117 KB] (83)
88801 Slimane Latreche, Mohamed Fathi, Abderrahmane Kadri
  New design of ferroelectric solar cell combined with luminescent solar concentrator
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 88801-088801 [摘要] (186) [HTML 1 KB] [PDF 2649 KB] (182)
78501 孙树祥, 常明铭, 李梦珂, 马刘红, 钟英辉, 李玉晓, 丁芃, 金智, 魏志超
  Effect of defects properties on InP-based high electron mobility transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (7): 78501-078501 [摘要] (121) [HTML 1 KB] [PDF 1176 KB] (109)
67302 刘岩, 陈伟, 贺朝会, 苏春垒, 王晨辉, 金晓明, 李俊霖, 薛院院
  Analysis of displacement damage effects on bipolar transistors irradiated by spallation neutrons
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67302-067302 [摘要] (115) [HTML 1 KB] [PDF 1403 KB] (87)
68502 Taha Haddadifam, Mohammad Azim Karami
  Dark count rate and band to band tunneling optimization for single photon avalanche diode topologies
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 68502-068502 [摘要] (187) [HTML 1 KB] [PDF 6731 KB] (108)
68504 温正欣, 张峰, 申占伟, 陈俊, 何亚伟, 闫果果, 刘兴昉, 赵万顺, 王雷, 孙国胜, 曾一平
  Design and fabrication of 10-kV silicon-carbide p-channel IGBTs with hexagonal cells and step space modulated junction termination extension
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 68504-068504 [摘要] (120) [HTML 1 KB] [PDF 1521 KB] (132)
58503 汪志刚, 廖涛, 王亚南
  Modeling electric field of power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with dielectric trench based on Schwarz-Christoffel transformation
    中国物理B   2019 Vol.28 (5): 58503-058503 [摘要] (137) [HTML 1 KB] [PDF 1019 KB] (104)
47302 韩铁成, 赵红东, 彭晓灿
  Short-gate AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with BGaN buffer
    中国物理B   2019 Vol.28 (4): 47302-047302 [摘要] (170) [HTML 1 KB] [PDF 496 KB] (134)
37804 刘铭, 王丛, 周立庆
  Development of small pixel HgCdTe infrared detectors
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 37804-037804 [摘要] (328) [HTML 1 KB] [PDF 5437 KB] (583)
27302 吴浩, 段宝兴, 杨珞云, 杨银堂
  Theoretical analytic model for RESURF AlGaN/GaN HEMTs
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27302-027302 [摘要] (254) [HTML 1 KB] [PDF 504 KB] (150)
18505 韩茹, 张海潮, 王党辉, 李翠
  Optimization of ambipolar current and analog/RF performance for T-shaped tunnel field-effect transistor with gate dielectric spacer
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 18505-018505 [摘要] (208) [HTML 1 KB] [PDF 792 KB] (121)
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