Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "85.30.-z" 的文章:
87801 吕全江, 张一鸿, 郑畅达, 高江东, 张建立, 刘军林
  Analysis of stress-induced inhomogeneous electroluminescence in GaN-based green LEDs grown on mesh-patterned Si (111) substrates with n-type AlGaN layer
    中国物理B   2020 Vol.29 (8): 87801-087801 [摘要] (41) [HTML 1 KB] [PDF 946 KB] (37)
47802 高江东, 张建立, 全知觉, 刘军林, 江风益
  Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice temperature with high injection
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47802-047802 [摘要] (85) [HTML 1 KB] [PDF 901 KB] (89)
48504 苏康, 李璟, 葛畅, 陆兴东, 李志聪, 王国宏, 李晋闽
  Stackable luminescent device integrating blue light emitting diode with red organic light emitting diode
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 48504-048504 [摘要] (58) [HTML 1 KB] [PDF 1027 KB] (55)
118501 M Micjan, M Novota, P Telek, M Donoval, M Weis
  Hunting down the ohmic contact of organic field-effect transistor
    中国物理B   2019 Vol.28 (11): 118501-118501 [摘要] (81) [HTML 1 KB] [PDF 579 KB] (68)
98503 蔡小龙, 周东, 程亮, 任芳芳, 钟宏, 张荣, 郑有炓, 陆海
  Performance improvement of 4H-SiC PIN ultraviolet avalanche photodiodes with different intrinsic layer thicknesses
    中国物理B   2019 Vol.28 (9): 98503-098503 [摘要] (113) [HTML 1 KB] [PDF 1018 KB] (98)
87302 霍文星, 梅增霞, 卢毅成, 韩祖银, 朱锐, 王涛, 隋妍心, 梁会力, 杜小龙
  Effects of active layer thickness on performance and stability of dual-active-layer amorphous InGaZnO thin-film transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 87302-087302 [摘要] (173) [HTML 1 KB] [PDF 1824 KB] (89)
48501 张东炎, 张洁, 刘晓峰, 陈沙沙, 李慧文, 刘明庆, 叶大千, 王笃祥
  Effects of hole-injection through side-walls of large V-pits on efficiency droop in Ⅲ-nitride LEDs
    中国物理B   2019 Vol.28 (4): 48501-048501 [摘要] (167) [HTML 1 KB] [PDF 701 KB] (85)
127303 刘妮, 李淑鑫, 叶迎春, 姚延立
  Enhanced performance of a solar cell based on a layer-by-layer self-assembled luminescence down-shifting layer of core-shell quantum dots
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 127303-127303 [摘要] (158) [HTML 1 KB] [PDF 1727 KB] (115)
128501 解鑫, 毕大伟, 胡志远, 朱慧龙, 张梦映, 张正选, 邹世昌
  Influence of characteristics' measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 128501-128501 [摘要] (166) [HTML 1 KB] [PDF 1013 KB] (95)
118502 李雨佳, 吴华强, 高滨, 化麒麟, 张昭, 张万荣, 钱鹤
  Impact of variations of threshold voltage and hold voltage of threshold switching selectors in 1S1R crossbar array
    中国物理B   2018 Vol.27 (11): 118502-118502 [摘要] (184) [HTML 1 KB] [PDF 528 KB] (107)
98502 郭霞, 刘巧莉, 田慧军, 郭春威, 李冲, 胡安琪, 何晓颖, 武华
  Efficiency-enhanced AlGaInP light-emitting diodes using transparent plasmonic silver nanowires
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 98502-098502 [摘要] (154) [HTML 1 KB] [PDF 1335 KB] (168)
87701 吴仕剑, 王芳, 张志超, 李毅, 韩叶梅, 杨正春, 赵金石, 张楷亮
  High uniformity and forming-free ZnO-based transparent RRAM with HfOx inserting layer
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 87701-087701 [摘要] (262) [HTML 1 KB] [PDF 2296 KB] (121)
78503 张彤, 蒲涛飞, 谢天, 李柳暗, 补钰煜, 王霄, 敖金平
  Synthesis of thermally stable HfOxNy as gate dielectric for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (7): 78503-078503 [摘要] (275) [HTML 1 KB] [PDF 1160 KB] (130)
58802 齐慧欣, 余泊含, 刘赛, 张苗, 马晓玲, 王健, 张福俊
  Efficient ternary organic solar cells with high absorption coefficient DIB-SQ as the third component
    中国物理B   2018 Vol.27 (5): 58802-058802 [摘要] (225) [HTML 1 KB] [PDF 2325 KB] (198)
48501 丰亚洁, 李冲, 刘巧莉, 王华强, 胡安琪, 何晓颖, 郭霞
  Scalability of dark current in silicon PIN photodiode
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48501-048501 [摘要] (202) [HTML 1 KB] [PDF 631 KB] (207)
28501 张梦映, 胡志远, 毕大炜, 戴丽华, 张正选
  Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation
    中国物理B   2018 Vol.27 (2): 28501-028501 [摘要] (172) [HTML 0 KB] [PDF 469 KB] (298)
77303 郑芳林, 刘程晟, 任佳琪, 石艳玲, 孙亚宾, 李小进
  Analytical capacitance model for 14 nm FinFET considering dual-k spacer
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77303-077303 [摘要] (213) [HTML 1 KB] [PDF 1849 KB] (538)
37307 李学飞, 熊雄, 吴燕庆
  Toward high-performance two-dimensional black phosphorus electronic and optoelectronic devices
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 37307-037307 [摘要] (289) [HTML 1 KB] [PDF 5935 KB] (412)
28102 I Orak, A Kocyigit, Ş Alındal
  Electrical and dielectric characterization of Au/ZnO/n—Si device depending frequency and voltage
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28102-028102 [摘要] (209) [HTML 1 KB] [PDF 1395 KB] (361)
18504 张书琴, 梁仁荣, 王敬, 谭桢, 许军
  Heteromaterial-gate line tunnel field-effect transistor based on Si/Ge heterojunction
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 18504-018504 [摘要] (180) [HTML 1 KB] [PDF 329 KB] (429)
118503 吕凯, 陈静, 黄瑜萍, 刘军, 罗杰馨, 王曦
  Ultra-low temperature radio-frequency performance of partially depleted silicon-on-insulator n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with tunnel diode body contact structures
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118503-118503 [摘要] (131) [HTML 1 KB] [PDF 1579 KB] (273)
118504 刘立滨, 梁仁荣, 单柏霖, 许军, 王敬
  Technology demonstration of a novel poly-Si nanowire thin film transistor
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118504-118504 [摘要] (127) [HTML 1 KB] [PDF 1232 KB] (704)
107302 苏帅, 鉴肖川, 王芳, 韩叶梅, 田雨仙, 王晓旸, 张宏智, 张楷亮
  Resistive switching characteristic and uniformity of low-power HfOx-based resistive random access memory with the BN insertion layer
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 107302-107302 [摘要] (226) [HTML 1 KB] [PDF 1458 KB] (254)
108503 Shweta Tripathi
  A two-dimensional analytical modeling for channel potential and threshold voltage of short channel triple material symmetrical gate Stack (TMGS) DG-MOSFET
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 108503-108503 [摘要] (160) [HTML 1 KB] [PDF 5433 KB] (645)
88502 伦志远, 李云, 赵凯, 杜刚, 刘晓彦, 王漪
  Modeling of trap-assisted tunneling on performance of charge trapping memory with consideration of trap position and energy level
    中国物理B   2016 Vol.25 (8): 88502-088502 [摘要] (232) [HTML 1 KB] [PDF 816 KB] (542)
47305 刘凡宇, 刘衡竹, 刘必慰, 郭宇峰
  An analytical model for nanowire junctionless SOI FinFETs with considering three-dimensional coupling effect
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 47305-047305 [摘要] (209) [HTML 1 KB] [PDF 663 KB] (569)
38501 赵彦晓, 张万荣, 黄鑫, 谢红云, 金冬月, 付强
  Effect of lateral structure parameters of SiGe HBTs on synthesized active inductors
    中国物理B   2016 Vol.25 (3): 38501-038501 [摘要] (173) [HTML 0 KB] [PDF 347 KB] (298)
105201 张晓渝, 谭仁兵, 孙建东, 李欣幸, 周宇, 吕利, 秦华
  Investigation of high sensitivity radio-frequency readout circuit based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 105201-105201 [摘要] (152) [HTML 1 KB] [PDF 1397 KB] (312)
108501 朱键卓, 祁令辉, 杜会静, 柴莺春
  Simulation study of the losses and influences of geminate and bimolecular recombination on the performances of bulk heterojunction organic solar cells
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 108501-108501 [摘要] (277) [HTML 1 KB] [PDF 1300 KB] (370)
88501 吕凯, 陈静, 罗杰馨, 何伟伟, 黄建强, 柴展, 王曦
  Effects of back gate bias on radio-frequency performance in partially depleted silicon-on-inslator nMOSFETs
    中国物理B   2015 Vol.24 (8): 88501-088501 [摘要] (154) [HTML 1 KB] [PDF 291 KB] (367)
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