Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "81.05.Ea" 的文章:
38103 丁姗, 李悦文, 修向前, 华雪梅, 谢自力, 陶涛, 陈鹏, 刘斌, 张荣, 郑有炓
  Comparison study of GaN films grown on porous andplanar GaN templates
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38103-038103 [摘要] (34) [HTML 1 KB] [PDF 650 KB] (24)
38504 李炫璋, 孙令, 鲁金蕾, 刘洁, 岳琛, 谢莉莉, 王文新, 陈弘, 贾海强, 王禄
  A method to extend wavelength into middle-wavelength infrared based on InAsSb/(Al)GaSb interband transition quantum well infrared photodetector
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38504-038504 [摘要] (27) [HTML 1 KB] [PDF 494 KB] (15)
26104 张育民, 王建峰, 蔡德敏, 任国强, 徐俞, 王明月, 胡晓剑, 徐科
  Growth and doping of bulk GaN by hydride vapor phase epitaxy
    中国物理B   2020 Vol.29 (2): 26104-026104 [摘要] (102) [HTML 1 KB] [PDF 3570 KB] (104)
10703 黄佳瑶, 尚林, 马淑芳, 韩斌, 尉国栋, 刘青明, 郝晓东, 单恒升, 许并社
  Low temperature photoluminescence study of GaAs defect states
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 10703-010703 [摘要] (31) [HTML 1 KB] [PDF 956 KB] (33)
118102 张静, 吕红亮, 倪海桥, 杨施政, 崔晓然, 牛智川, 张义门, 张玉明
  Effect of growth temperature of GaAsxSb1-x metamorphic buffer layer on electron mobility of InAs/AlSb heterostructures grown on Si substrate
    中国物理B   2019 Vol.28 (11): 118102-118102 [摘要] (46) [HTML 1 KB] [PDF 2517 KB] (37)
108501 许会芳, 崔健, 孙雯, 韩新风
  Analysis of non-uniform hetero-gate-dielectric dual-material control gate TFET for suppressing ambipolar nature and improving radio-frequency performance
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 108501-108501 [摘要] (74) [HTML 1 KB] [PDF 564 KB] (42)
88103 程菲, 李悦文, 赵红, 修向前, 贾志泰, 刘铎, 华雪梅, 谢自力, 陶涛, 陈鹏, 刘斌, 张荣, 郑有炓
  Study on the nitridation of β-Ga2O3 films
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 88103-088103 [摘要] (81) [HTML 1 KB] [PDF 7705 KB] (68)
78104 郝慧明, 苏向斌, 张静, 倪海桥, 牛智川
  Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μ quantum dot lasers
    中国物理B   2019 Vol.28 (7): 78104-078104 [摘要] (121) [HTML 1 KB] [PDF 609 KB] (64)
67701 吉雪, 董文秀, 张育民, 王建峰, 徐科
  Fabrication and characterization of one-port surface acoustic wave resonators on semi-insulating GaN substrates
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67701-067701 [摘要] (152) [HTML 1 KB] [PDF 1232 KB] (102)
67801 练芸路, 于贺, 梁志清, 董翔
  Gradient refractive structured NiCr thin film absorber for pyroelectric infrared detectors
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67801-067801 [摘要] (69) [HTML 1 KB] [PDF 898 KB] (63)
57102 余丁, 沈桂英, 谢辉, 刘京明, 孙静, 赵有文
  Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal
    中国物理B   2019 Vol.28 (5): 57102-057102 [摘要] (83) [HTML 1 KB] [PDF 456 KB] (64)
28101 张静, 吕红亮, 倪海桥, 杨施政, 崔晓然, 牛智川, 张义门, 张玉明
  Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 28101-028101 [摘要] (173) [HTML 1 KB] [PDF 1447 KB] (95)
127805 王海龙, 张晓涵, 王红霞, 黎斌, 陈冲, 李永贤, 颜欢, 吴志盛, 江灏
  Suppression of indium-composition fluctuations in InGaN epitaxial layers by periodically-pulsed mixture of N2 and H2 carrier gas
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 127805-127805 [摘要] (90) [HTML 1 KB] [PDF 1622 KB] (90)
128102 张永刚, 顾溢, 邵秀梅, 李雪, 龚海梅, 方家熊
  Short-wave infrared InGaAs photodetectors and focal plane arrays
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 128102-128102 [摘要] (138) [HTML 1 KB] [PDF 577 KB] (187)
97201 张静, 吕红亮, 倪海桥, 牛智川, 张玉明
  Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97201-097201 [摘要] (188) [HTML 1 KB] [PDF 849 KB] (146)
58101 吴孔平, 马文飞, 孙昌旭, 陈昌兆, 凌六一, 王仲根
  101)/diamond heterointerface[J]. 中国物理B, 2018,27(5): 058101-058101')"/> Band offset and electronic properties at semipolar plane AlN(1101)/diamond heterointerface
    中国物理B   2018 Vol.27 (5): 58101-058101 [摘要] (92) [HTML 0 KB] [PDF 1211 KB] (160)
47101 李金伦, 崔少辉, 徐建星, 崔晓然, 郭春妍, 马奔, 倪海桥, 牛智川
  Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47101-047101 [摘要] (280) [HTML 1 KB] [PDF 1343 KB] (200)
48101 李家恺, 艾立鹍, 齐鸣, 徐安怀, 王庶民
  Effects of growth conditions on optical quality and surface morphology of InGaAsBi
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48101-048101 [摘要] (187) [HTML 0 KB] [PDF 1889 KB] (111)
28101 邢瑶, 赵德刚, 江德生, 李翔, 刘宗顺, 朱建军, 陈平, 杨静, 刘炜, 梁锋, 刘双韬, 张立群, 王文杰, 李沫, 张源涛, 杜国同
  Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
    中国物理B   2018 Vol.27 (2): 28101-028101 [摘要] (134) [HTML 0 KB] [PDF 355 KB] (189)
128101 齐栋宇, 张冬利, 王明湘
  Positive gate bias stress-induced hump-effect in elevated-metal metal-oxide thin film transistors
    中国物理B   2017 Vol.26 (12): 128101-128101 [摘要] (149) [HTML 0 KB] [PDF 443 KB] (334)
88101 张望, 韩伟华, 赵晓松, 吕奇峰, 季祥海, 杨涛, 杨富华
  Horizontal InAs nanowire transistors grown on patterned silicon-on-insulator substrate
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 88101-088101 [摘要] (158) [HTML 1 KB] [PDF 1726 KB] (132)
78503 Muna E. Raypah,Mutharasu Devarajan,Fauziah Sulaiman
  Evaluation of current and temperature effects on optical performance of InGaAlP thin-film SMD LED mounted on different substrate packages
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 78503-078503 [摘要] (168) [HTML 1 KB] [PDF 2570 KB] (172)
68101 陈杰, 黄溥曼, 韩小标, 潘郑州, 钟昌明, 梁捷智, 吴志盛, 刘扬, 张佰君
  Influence of adatom migration on wrinkling morphologies of AlGaN/GaN micro-pyramids grown by selective MOVPE
    中国物理B   2017 Vol.26 (6): 68101-068101 [摘要] (113) [HTML 1 KB] [PDF 9659 KB] (171)
47305 王辉, 王宁, 蒋苓利, 林新鹏, 赵海月, 于洪宇
  A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor with split floating gates
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47305-047305 [摘要] (250) [HTML 1 KB] [PDF 684 KB] (324)
38102 何洋, 孙玉润, 赵勇明, 于淑珍, 董建荣
  Dislocation distributions and tilts in Al(Ga)InAs reverse-graded layers grown on misorientated GaAs substrates
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 38102-038102 [摘要] (130) [HTML 1 KB] [PDF 938 KB] (199)
38104 刘诗涛, 全知觉, 王立
  Carrier transport via V-shaped pits in InGaN/GaN MQW solar cells
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 38104-038104 [摘要] (200) [HTML 0 KB] [PDF 1517 KB] (283)
128101 李士颜, 周旭亮, 孔祥挺, 李梦珂, 米俊萍, 王梦琦, 潘教青
  Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si (001) substrate
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 128101-128101 [摘要] (140) [HTML 1 KB] [PDF 1510 KB] (141)
117305 何云龙, 王冲, 宓珉瀚, 郑雪峰, 张濛, 赵梦荻, 张恒爽, 陈立香, 张进成, 马晓华, 郝跃
  Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with oxygen plasma treatment
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 117305-117305 [摘要] (408) [HTML 1 KB] [PDF 1879 KB] (342)
108101 武利翻, 张玉明, 吕红亮, 张义门
  Atomic-layer-deposited Al2O3 and HfO2 on InAlAs: A comparative study of interfacial and electrical characteristics
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 108101-108101 [摘要] (139) [HTML 1 KB] [PDF 364 KB] (258)
108502 关云鹤, 李尊朝, 骆东旭, 孟庆之, 张也非
  Characteristics of cylindrical surrounding-gate GaAsxSb1-x/InyGa1-yAs heterojunction tunneling field-effect transistors
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 108502-108502 [摘要] (151) [HTML 1 KB] [PDF 460 KB] (170)
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