Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "78.67.De" 的文章:
107302 吴晓光
  Optical response of an inverted InAs/GaSb quantum well in an in-plane magnetic field
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107302-107302 [摘要] (84) [HTML 1 KB] [PDF 4387 KB] (66)
107803 李长富, 时凯居, 徐明升, 徐现刚, 冀子武
  Photoluminescence properties of blue and green multiple InGaN/GaN quantum wells
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107803-107803 [摘要] (100) [HTML 1 KB] [PDF 1958 KB] (85)
97801 李毅, 朱友华, 王美玉, 邓洪海, 尹海宏
  Improvement of TE-polarized emission in type-Ⅱ InAlN-AlGaN/AlGaN quantum well
    中国物理B   2019 Vol.28 (9): 97801-097801 [摘要] (125) [HTML 1 KB] [PDF 495 KB] (485)
87802 王琦, 袁国栋, 刘文强, 赵帅, 张璐, 刘志强, 王军喜, 李晋闽
  101) InGaN/GaN near white light-emitting diodes on micro-striped Si (100) substrate[J]. 中国物理B, 2019,28(8): 87802-087802')"/> Monolithic semi-polar (1101) InGaN/GaN near white light-emitting diodes on micro-striped Si (100) substrate
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 87802-087802 [摘要] (85) [HTML 1 KB] [PDF 1631 KB] (115)
87803 Monica Gambhir, Vinod Prasad
  Non-perturbative multiphoton excitation studies in an excitonic coupled quantum well system using high-intensity THz laser fields
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 87803-087803 [摘要] (113) [HTML 1 KB] [PDF 2802 KB] (103)
34202 尚金铭, 冯健, 杨成奥, 谢圣文, 张一, 佟存柱, 张宇, 牛智川
  High quality 2-μm GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 34202-034202 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 1109 KB] (103)
27801 周孝好, 李宁, 陆卫
  Progress in quantum well and quantum cascade infrared photodetectors in SITP
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27801-027801 [摘要] (240) [HTML 1 KB] [PDF 6844 KB] (229)
14208 谢圣文, 张宇, 杨成奥, 黄书山, 袁野, 张一, 尚金铭, 邵福会, 徐应强, 倪海桥, 牛智川
  High performance GaSb based digital-grown InGaSb/AlGaAsSb mid-infrared lasers and bars
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 14208-014208 [摘要] (361) [HTML 1 KB] [PDF 580 KB] (190)
37804 杨景景, 方庆清, 杜文汉, 董大舜
  High mobility ultrathin ZnO p-n homojunction modulated by Zn0.85Mg0.15O quantum barriers
    中国物理B   2018 Vol.27 (3): 37804-037804 [摘要] (133) [HTML 1 KB] [PDF 1060 KB] (153)
17803 徐峰, 陈鹏, 蒋府龙, 刘亚云, 谢自立, 修向前, 华雪梅, 施毅, 张荣, 郑有炓
  High-efficiency InGaN/AlInGaN multiple quantum wells with lattice-matched AlInGaN superlattices barrier
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 17803-017803 [摘要] (211) [HTML 1 KB] [PDF 684 KB] (408)
17805 李翔, 赵德刚, 江德生, 杨静, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 刘炜, 何晓光, 李晓静, 梁锋, 刘建平, 张立群, 杨辉, 张源涛, 杜国同, 龙衡, 李沫
  Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 17805-017805 [摘要] (196) [HTML 1 KB] [PDF 308 KB] (301)
107803 乔良, 马紫光, 陈弘, 吴海燕, 陈雪芳, 杨浩军, 赵斌, 何苗, 郑树文, 李述体
  Effects of multiple interruptions with trimethylindium-treatment in the InGaN/GaN quantum well on green light emitting diodes
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 107803-107803 [摘要] (218) [HTML 1 KB] [PDF 931 KB] (282)
24204 杨成奥, 张宇, 廖永平, 邢军亮, 魏思航, 张立春, 徐应强, 倪海桥, 牛智川
  2-μm single longitudinal mode GaSb-based laterally coupled distributed feedback laser with regrowth-free shallow-etched gratings by interference lithography
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 24204-024204 [摘要] (283) [HTML 1 KB] [PDF 966 KB] (322)
14202 佘彦超, 罗婷婷, 张蔚曦, 冉茂武, 王登龙
  Steady-state linear optical properties and Kerr nonlinear optical response of a four-level quantum dot with phonon-assisted transition
    中国物理B   2016 Vol.25 (1): 14202-014202 [摘要] (294) [HTML 1 KB] [PDF 673 KB] (339)
127801 刘炜, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 李翔, 梁锋, 刘建平, 杨辉
  Variation of efficiency droop with quantum well thickness in InGaN/GaN green light-emitting diode
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 127801-127801 [摘要] (344) [HTML 1 KB] [PDF 1354 KB] (428)
97301 吴晓光, 庞蜜
  Landau level transitions in InAs/AlSb/GaSb quantum wells
    中国物理B   2015 Vol.24 (9): 97301-097301 [摘要] (469) [HTML 1 KB] [PDF 2750 KB] (339)
24219 王强, 冀子武, 王帆, 牟奇, 郑雨军, 徐现刚, 吕元杰, 冯志红
  Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
    中国物理B   2015 Vol.24 (2): 24219-024219 [摘要] (301) [HTML 0 KB] [PDF 484 KB] (376)
124202 佘彦超, 郑学军, 王登龙
  Enhancement of four-wave mixing process in a four-level double semiconductor quantum well
    中国物理B   2014 Vol.23 (12): 124202-124202 [摘要] (137) [HTML 1 KB] [PDF 331 KB] (295)
116103 何超, 刘智, 张旭, 黄文奇, 薛春来, 成步文
  Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature
    中国物理B   2014 Vol.23 (11): 116103-116103 [摘要] (258) [HTML 1 KB] [PDF 719 KB] (297)
44205 田思聪, 佟存柱, 万仁刚, 宁永强, 秦丽, 刘云, 王立军, 张航, 王增斌, 高锦岳
  Phase control of light amplification in steady and transient processes in an inverted-Y atomic system with spontaneously generated coherence
    中国物理B   2014 Vol.23 (4): 44205-044205 [摘要] (156) [HTML 1 KB] [PDF 494 KB] (352)
48502 杨斌, 郭志友, 解楠, 张盼君, 李婧, 李方正, 林宏, 郑欢, 蔡金鑫
  A GaN–AlGaN–InGaN last quantum barrier in an InGaN/GaN multiple-quantum-well blue LED
    中国物理B   2014 Vol.23 (4): 48502-048502 [摘要] (138) [HTML 1 KB] [PDF 1099 KB] (798)
27304 章杰, 俞金玲, 程树英, 赖云锋, 陈涌海
  Investigation of the mode splitting induced by electro-optic birefringence in a vertical-cavity surface-emitting laser by polarized electroluminescence
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 27304-027304 [摘要] (195) [HTML 1 KB] [PDF 250 KB] (406)
17805 邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 倪海桥, 任正伟, 贺振宏, 牛智川
  High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
    中国物理B   2014 Vol.23 (1): 17805-017805 [摘要] (186) [HTML 1 KB] [PDF 1617 KB] (463)
17806 俞金玲, 陈涌海, 赖云锋, 程树英
  Spin–orbit coupling effects on the in-plane optical anisotropy of semiconductor quantum wells
    中国物理B   2014 Vol.23 (1): 17806-017806 [摘要] (145) [HTML 1 KB] [PDF 359 KB] (382)
117804 钟灿涛, 于彤军, 颜建, 陈志忠, 张国义
  Degradation behaviors of high power GaN-based blue light emitting diodes
    中国物理B   2013 Vol.22 (11): 117804-117804 [摘要] (184) [HTML 1 KB] [PDF 261 KB] (1047)
47801 杨薇, 武翌阳, 刘宁炀, 刘磊, 陈钊, 胡晓东
  Optical properties of ultra-thin InN layer embedded in InGaN matrix for light emitters
    中国物理B   2013 Vol.22 (4): 47801-047801 [摘要] (295) [HTML 1 KB] [PDF 260 KB] (486)
37802 顾溢, 张永刚, 宋禹忻, 叶虹, 曹远迎, 李爱珍, 王庶民
  Optical properties of InGaAsBi/GaAs strained quantum wells studied by temperature-dependent photoluminescence
    中国物理B   2013 Vol.22 (3): 37802-037802 [摘要] (359) [HTML 0 KB] [PDF 305 KB] (1102)
26102 严启荣, 闫其昂, 石培培, 牛巧利, 李述体, 章勇
  Dual-blue light-emitting diode based on strain-compensated InGaN-AlGaN/GaN quantum wells
    中国物理B   2013 Vol.22 (2): 26102-026102 [摘要] (469) [HTML 1 KB] [PDF 372 KB] (745)
84207 曹小龙, 李忠洋, 姚建铨, 王与烨, 朱能念, 钟凯, 徐德刚
  Intersubband absorption with difference-frequency generation in GaAs asymmetric quantum wells
    中国物理B   2012 Vol.21 (8): 84207-084207 [摘要] (781) [HTML 1 KB] [PDF 3030 KB] (591)
57107 张伟利,饶云江
  Optical Tamm state polaritons in a quantum well microcavity with gold layers
    中国物理B   2012 Vol.21 (5): 57107-057107 [摘要] (1098) [HTML 1 KB] [PDF 685 KB] (625)
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