Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
About
   » 《中国物理B》简介
   » 编委会
   » 历年SCI影响因子
   » 编辑团队
   » 联系我们
在线期刊
   » 最新录用
   » 网络预发表
   » 当期目录
   » 过刊浏览
   » 分类浏览
   » 下载排行
   » SCI高被引论文
作者中心
   » 投稿须知
   » 作者投稿
   » 作者查稿
   » 约稿通知
   » 版权协议
   » 论文模板
   » 作者常见问题
   » PACS查询
   » 文章上传预印本网站方法
审稿人
   » 审稿政策
   » 审稿人登录
   » 审稿人常见问题
   » 主编登录
   » 编委登录
   » 编辑登录
友情链接
   » 友情链接
本刊包含 PACS 号为 "78.66.Fd" 的文章:
97801 李毅, 朱友华, 王美玉, 邓洪海, 尹海宏
  Improvement of TE-polarized emission in type-Ⅱ InAlN-AlGaN/AlGaN quantum well
    中国物理B   2019 Vol.28 (9): 97801-097801 [摘要] (76) [HTML 1 KB] [PDF 495 KB] (457)
87802 王琦, 袁国栋, 刘文强, 赵帅, 张璐, 刘志强, 王军喜, 李晋闽
  101) InGaN/GaN near white light-emitting diodes on micro-striped Si (100) substrate[J]. 中国物理B, 2019,28(8): 87802-087802')"/> Monolithic semi-polar (1101) InGaN/GaN near white light-emitting diodes on micro-striped Si (100) substrate
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 87802-087802 [摘要] (72) [HTML 1 KB] [PDF 1631 KB] (89)
27801 周孝好, 李宁, 陆卫
  Progress in quantum well and quantum cascade infrared photodetectors in SITP
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27801-027801 [摘要] (199) [HTML 1 KB] [PDF 6844 KB] (177)
87307 黎斌, 黄善津, 王海龙, 吴华龙, 吴志盛, 王钢, 江灏
  Performance improvement of InGaN/GaN multiple quantum well visible-light photodiodes by optimizing TEGa flow
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87307-087307 [摘要] (127) [HTML 1 KB] [PDF 379 KB] (138)
17805 李翔, 赵德刚, 江德生, 杨静, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 刘炜, 何晓光, 李晓静, 梁锋, 刘建平, 张立群, 杨辉, 张源涛, 杜国同, 龙衡, 李沫
  Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 17805-017805 [摘要] (178) [HTML 1 KB] [PDF 308 KB] (255)
107803 乔良, 马紫光, 陈弘, 吴海燕, 陈雪芳, 杨浩军, 赵斌, 何苗, 郑树文, 李述体
  Effects of multiple interruptions with trimethylindium-treatment in the InGaN/GaN quantum well on green light emitting diodes
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 107803-107803 [摘要] (206) [HTML 1 KB] [PDF 931 KB] (233)
87801 刘雅丽, 金鹏, 刘贵鹏, 王维颖, 齐志强, 陈长清, 王占国
  Exciton-phonon interaction in Al0.4Ga0.6N/Al0.53Ga0.47N multiple quantum wells
    中国物理B   2016 Vol.25 (8): 87801-087801 [摘要] (152) [HTML 1 KB] [PDF 300 KB] (272)
127801 刘炜, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 李翔, 梁锋, 刘建平, 杨辉
  Variation of efficiency droop with quantum well thickness in InGaN/GaN green light-emitting diode
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 127801-127801 [摘要] (321) [HTML 1 KB] [PDF 1354 KB] (381)
67804 刘军林, 张建立, 王光绪, 莫春兰, 徐龙权, 丁杰, 全知觉, 王小兰, 潘拴, 郑畅达, 吴小明, 方文卿, 江风益
  Status of GaN-based green light-emitting diodes
    中国物理B   2015 Vol.24 (6): 67804-067804 [摘要] (264) [HTML 1 KB] [PDF 1200 KB] (1947)
24219 王强, 冀子武, 王帆, 牟奇, 郑雨军, 徐现刚, 吕元杰, 冯志红
  Influences of excitation power and temperature on photoluminescence in phase-separated InGaN quantum wells
    中国物理B   2015 Vol.24 (2): 24219-024219 [摘要] (282) [HTML 0 KB] [PDF 484 KB] (328)
117803 王维颖, 刘贵鹏, 金鹏, 毛德丰, 李维, 王占国, 田武, 陈长清
  Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells
    中国物理B   2014 Vol.23 (11): 117803-117803 [摘要] (139) [HTML 1 KB] [PDF 272 KB] (386)
77801 贺振鑫, 郑厚植, 黄学骄, 王海龙, 赵建华
  What has been measured by reflection magnetic circular dichroism in Ga1-xMnxAs/GaAs structures?
    中国物理B   2014 Vol.23 (7): 77801-077801 [摘要] (219) [HTML 1 KB] [PDF 319 KB] (299)
54211 梁明明, 翁国恩, 张江勇, 蔡晓梅, 吕雪芹, 应磊莹, 张保平
  Influence of barrier thickness on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
    中国物理B   2014 Vol.23 (5): 54211-054211 [摘要] (221) [HTML 1 KB] [PDF 446 KB] (534)
48502 杨斌, 郭志友, 解楠, 张盼君, 李婧, 李方正, 林宏, 郑欢, 蔡金鑫
  A GaN–AlGaN–InGaN last quantum barrier in an InGaN/GaN multiple-quantum-well blue LED
    中国物理B   2014 Vol.23 (4): 48502-048502 [摘要] (122) [HTML 1 KB] [PDF 1099 KB] (724)
17805 邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 倪海桥, 任正伟, 贺振宏, 牛智川
  High quality above 3-μm mid-infrared InGaAsSb/AlGaInAsSb multiple-quantum well grown by molecular beam epitaxy
    中国物理B   2014 Vol.23 (1): 17805-017805 [摘要] (169) [HTML 1 KB] [PDF 1617 KB] (425)
106803 卢平元, 马紫光, 宿世臣, 张力, 陈弘, 贾海强, 江洋, 钱卫宁, 王耿, 卢太平, 何苗
  Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers
    中国物理B   2013 Vol.22 (10): 106803-106803 [摘要] (216) [HTML 1 KB] [PDF 812 KB] (479)
57105 刘波, 张森, 尹甲运, 张雄文, 敦少博, 冯志红, 蔡树军
  Effect of high-temperature buffer thickness on quality of AlN epilayer grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition
    中国物理B   2013 Vol.22 (5): 57105-057105 [摘要] (221) [HTML 1 KB] [PDF 1310 KB] (1021)
117304 刘宁炀, 刘磊, 王磊, 杨薇, 李丁, 李磊, 曹文彧, 鲁辞莽, 万成昊, 陈伟华, 胡晓东
  Improvement of doping efficiency in Mg-Al0.14Ga0.86N/GaN superlattices with AlN interlayer by suppressing donor-like defects
    中国物理B   2012 Vol.21 (11): 117304-117304 [摘要] (578) [HTML 1 KB] [PDF 215 KB] (597)
87802 张东炎, 郑新和, 李雪飞, 吴渊渊, 王辉, 王建峰, 杨辉
  Strain relaxation and optical properties of etched In0.19Ga0.81N nanorod arrays on the GaN template
    中国物理B   2012 Vol.21 (8): 87802-087802 [摘要] (1054) [HTML 1 KB] [PDF 902 KB] (924)
37804 马玉蓉,郭世方,段素青
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (3): 37804-037804 [摘要] (809) [HTML 1 KB] [PDF 207 KB] (580)
47801 赵静, 常本康, 熊雅娟, 张益军
  Spectral transmittance and module structure fitting for transmission-mode GaAs photocathodes
    中国物理B   2011 Vol.20 (4): 47801-047801 [摘要] (986) [HTML 0 KB] [PDF 607 KB] (1478)
37807 路慧敏, 陈根祥
  Optimization of a GaN-based irregular multiple quantum well structure for a dichromatic white LED
    中国物理B   2011 Vol.20 (3): 37807-037807 [摘要] (956) [HTML 0 KB] [PDF 377 KB] (662)
127204 黄征, 武莉莉, 黎兵, 郝霞, 贺剑雄, 冯良桓, 李卫, 张静全, 蔡亚平
  The electrical, optical properties of AlSb polycrystalline thin films deposited by magnetron co-sputtering without annealing
    中国物理B   2010 Vol.19 (12): 127204-127204 [摘要] (1251) [HTML 0 KB] [PDF 1701 KB] (2270)
117105 郝国栋, 陈涌海, 范亚明, 黄晓辉, 王怀兵
  22) plane GaN films[J]. 中国物理B, 2010,19(11): 117105-117106')"/> Strain effects on optical polarisation properties in (1122) plane GaN films
    中国物理B   2010 Vol.19 (11): 117105-117106 [摘要] (1026) [HTML 0 KB] [PDF 986 KB] (528)
26804 卢国军, 朱建军, 江德生, 王玉田, 赵德刚, 刘宗顺, 张书明, 杨辉
  Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
    中国物理B   2010 Vol.19 (2): 26804-026804 [摘要] (1054) [HTML 0 KB] [PDF 1455 KB] (745)
4413 吴玉新, 朱建军, 赵德刚, 刘宗顺, 江德生, 张书明, 王玉田, 王辉, 陈贵锋, 杨辉
  The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates
    中国物理B   2009 Vol.18 (10): 4413-4417 [摘要] (1146) [HTML 0 KB] [PDF 2560 KB] (1160)
4007 Y1ld1z A, ?ztürk M Kemal, Bosi M, ?z?elik S, Kasap M
  Structural, electrical and optical characterization of InGaN layers grown by MOVPE
    中国物理B   2009 Vol.18 (9): 4007-4012 [摘要] (1130) [HTML 0 KB] [PDF 217 KB] (878)
4013 邓金祥, 张晓康, 姚倩, 汪旭洋, 陈光华, 贺德衍
  Optical properties of hexagonal boron nitride thin films deposited by radio frequency bias magnetron sputtering
    中国物理B   2009 Vol.18 (9): 4013-4018 [摘要] (1196) [HTML 0 KB] [PDF 430 KB] (5402)
2868 王桓, 朱洪亮, 贾凌慧, 陈向飞, 孔端花, 王列松, 张伟, 赵玲娟, 王圩
  Application of sampled grating to control the lasing wavelength in complex-coupled DFB laser
    中国物理B   2009 Vol.18 (7): 2868-2872 [摘要] (1100) [HTML 0 KB] [PDF 1362 KB] (700)
2012 乔在祥, 孙云, 何炜瑜, 刘玮, 何青, 李长健
  Raman scattering of polycrystalline GaSb thin films grownby co-evapouration process
    中国物理B   2009 Vol.18 (5): 2012-2015 [摘要] (884) [HTML 0 KB] [PDF 299 KB] (807)
首页 | 前页 | 后页 | 末页第1页 共2页 共48条记录
Copyright © the Chinese Physical Society
Address:Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, P. O. Box 603,Beijing 100190 China(100190)
Tel: 010-82649026   Fax: 010-82649027   E-Mail: cpb@aphy.iphy.ac.cn
Supported by Beijing Magtech Co. Ltd. Tel: 86-010-62662699 E-mail: support@magtech.com.cn