Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "78.60.Fi" 的文章:
47303 郭娇欣, 丁杰, 莫春兰, 郑畅达, 潘拴, 江风益
  Effect of AlGaN interlayer on luminous efficiency and reliability of GaN-based green LEDs on silicon substrate
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47303-047303 [摘要] (59) [HTML 1 KB] [PDF 1344 KB] (45)
47802 高江东, 张建立, 全知觉, 刘军林, 江风益
  Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice temperature with high injection
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47802-047802 [摘要] (66) [HTML 1 KB] [PDF 901 KB] (67)
48504 苏康, 李璟, 葛畅, 陆兴东, 李志聪, 王国宏, 李晋闽
  Stackable luminescent device integrating blue light emitting diode with red organic light emitting diode
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 48504-048504 [摘要] (45) [HTML 1 KB] [PDF 1027 KB] (32)
34206 陈平, 赵德刚, 江德生, 杨静, 朱建军, 刘宗顺, 刘炜, 梁锋, 刘双韬, 邢瑶, 张立群
  Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electroluminescence spectra shift
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 34206-034206 [摘要] (49) [HTML 1 KB] [PDF 705 KB] (59)
17301 王一夫, Mussaab I Niass, 王芳, 刘玉怀
  Improvement of radiative recombination rate in deep ultraviolet laser diodes with step-like quantum barrier and aluminum-content graded electron blocking layer
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 17301-017301 [摘要] (90) [HTML 1 KB] [PDF 723 KB] (66)
107801 陈彦旭, 许栋梁, 徐开凯, 张宁, 刘斯扬, 赵建明, 罗谦, Lukas W. Snyman, Jacobus W. Swart
  Optoelectronic properties analysis of silicon light-emitting diode monolithically integrated in standard CMOS IC
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107801-107801 [摘要] (248) [HTML 1 KB] [PDF 1215 KB] (142)
67305 张天然, 方芳, 王小兰, 张建立, 吴小明, 潘栓, 刘军林, 江风益
  Aging mechanism of GaN-based yellow LEDs with V-pits
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67305-067305 [摘要] (105) [HTML 1 KB] [PDF 1504 KB] (89)
107801 寇志起, 唐宇, 杨丽萍, 杨飞宇, 郭文军
  Improvement of electro-optic performances in white organic light emitting diodes with color stability by buffer layer and multiple dopants structure
    中国物理B   2018 Vol.27 (10): 107801-107801 [摘要] (157) [HTML 1 KB] [PDF 498 KB] (95)
77301 郭钞宇, 孟祥志, 王钦, 江颖
  Image charge effect on the light emission of rutile TiO2(110) induced by a scanning tunneling microscope
    中国物理B   2018 Vol.27 (7): 77301-077301 [摘要] (368) [HTML 1 KB] [PDF 1087 KB] (188)
47803 赵斌, 胡巍, 唐先胜, 霍雯雪, 韩丽丽, 赵明龙, 马紫光, 王文新, 贾海强, 陈弘
  Characteristic improvements of thin film AlGaInP red light emitting diodes on a metallic substrate
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47803-047803 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 655 KB] (214)
98507 高建, 于倩倩, 张娟, 刘洋, 贾若飞, 韩俊, 吴晓明, 华玉林, 印寿根
  Lowering the driving voltage and improving the luminance of blue fluorescent organic light-emitting devices by thermal annealing a hole injection layer of pentacene
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 98507-098507 [摘要] (157) [HTML 1 KB] [PDF 1744 KB] (154)
87302 朱云柯, 钟建, 雷疏影, 陈辉, 邵双双, 林宇
  High-efficiency organic light-emitting diodes based on ultrathin blue phosphorescent modification layer
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87302-087302 [摘要] (175) [HTML 1 KB] [PDF 849 KB] (147)
87311 李阳锋, 江洋, 迭俊珲, 王彩玮, 严珅, 马紫光, 吴海燕, 王禄, 贾海强, 王文新, 陈弘
  Improvement of green InGaN-based LEDs efficiency using a novel quantum well structure
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87311-087311 [摘要] (355) [HTML 1 KB] [PDF 1381 KB] (284)
47302 王子君, 赵娟, 周畅, 祁一歌, 于军胜
  Enhancement of Förster energy transfer from thermally activated delayed fluorophores layer to ultrathin phosphor layer for high color stability in non-doped hybrid white organic light-emitting devices
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47302-047302 [摘要] (233) [HTML 1 KB] [PDF 867 KB] (248)
47703 卢英杰, 史志锋, 单崇新, 申德振
  ZnO-based deep-ultraviolet light-emitting devices
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47703-047703 [摘要] (221) [HTML 1 KB] [PDF 4943 KB] (489)
36801 于远方, 缪峰, 何军, 倪振华
  Photodetecting and light-emitting devices based on two-dimensional materials
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 36801-036801 [摘要] (296) [HTML 1 KB] [PDF 7301 KB] (813)
28502 郭敏, 郭志友, 黄晶, 刘洋, 姚舜禹
  Improvement of the carrier distribution with GaN/InGaN/AlGaN/InGaN/GaN composition-graded barrier for InGaN-based blue light-emitting diode
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28502-028502 [摘要] (215) [HTML 1 KB] [PDF 385 KB] (242)
17805 李翔, 赵德刚, 江德生, 杨静, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 刘炜, 何晓光, 李晓静, 梁锋, 刘建平, 张立群, 杨辉, 张源涛, 杜国同, 龙衡, 李沫
  Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 17805-017805 [摘要] (189) [HTML 1 KB] [PDF 308 KB] (274)
126104 何超, 刘智, 成步文
  Room temperature direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge ridge waveguide on Si
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 126104-126104 [摘要] (193) [HTML 1 KB] [PDF 482 KB] (151)
108505 魏昌庭, 庄锦勇, 陈雅丽, 张东煜, 苏文明, 崔铮
  Surface treatment on polyethylenimine interlayer to improve inverted OLED performance
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 108505-108505 [摘要] (250) [HTML 1 KB] [PDF 1102 KB] (485)
28501 张诚, 孙慧卿, 李旭娜, 孙浩, 范宣聪, 张柱定, 郭志友
  Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with double electron blocking layers
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 28501-028501 [摘要] (300) [HTML 1 KB] [PDF 488 KB] (544)
127801 刘炜, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 李翔, 梁锋, 刘建平, 杨辉
  Variation of efficiency droop with quantum well thickness in InGaN/GaN green light-emitting diode
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 127801-127801 [摘要] (336) [HTML 1 KB] [PDF 1354 KB] (398)
117801 杜勇, 邵冲云, 董永军, 杨秋红, 华伟
  Spectral investigation of R, Ce:YAG (R: Pr3+, Eu3+, Gd3+) single crystals and their applications in white LEDs
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117801-117801 [摘要] (215) [HTML 1 KB] [PDF 726 KB] (538)
118102 陈龙, 裴嘉鼎, 史达特, 李成, 张建明, 俞文杰, 狄增峰, 王曦
  Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 118102-118102 [摘要] (272) [HTML 1 KB] [PDF 1912 KB] (408)
107304 王小波, 李勇, 闫玲玲, 李新建
  Rectification and electroluminescence of nanostructured GaN/Si heterojunction based on silicon nanoporous pillar array
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 107304-107304 [摘要] (378) [HTML 1 KB] [PDF 421 KB] (375)
97202 马莉, 沈光地, 高志远, 徐晨
  Enhanced performances of AlGaInP-based light-emitting diodes with Schottky current blocking layers
    中国物理B   2015 Vol.24 (9): 97202-097202 [摘要] (359) [HTML 1 KB] [PDF 414 KB] (304)
67303 汪莱, 杨迪, 郝智彪, 罗毅
  Metal-organic-vapor phase epitaxy of InGaN quantum dots and their applications in light-emitting diodes
    中国物理B   2015 Vol.24 (6): 67303-067303 [摘要] (284) [HTML 1 KB] [PDF 1149 KB] (678)
57802 苗艳勤, 高志翔, 张爱琴, 李源浩, 王华, 贾虎生, 刘旭光, Tsuboi Taiju
  High color rendering index white organic light-emitting diode using levofloxacin as blue emitter
    中国物理B   2015 Vol.24 (5): 57802-057802 [摘要] (256) [HTML 1 KB] [PDF 496 KB] (280)
37802 辛利文, 吴晓明, 华玉林, 肖志慧, 王丽, 张欣, 印寿根
  Improvement of electron injection of organic light-emitting devices by inserting a thin aluminum layer into cesium carbonate injection layer
    中国物理B   2015 Vol.24 (3): 37802-037802 [摘要] (211) [HTML 0 KB] [PDF 256 KB] (317)
116103 何超, 刘智, 张旭, 黄文奇, 薛春来, 成步文
  Direct-bandgap electroluminescence from tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells at room temperature
    中国物理B   2014 Vol.23 (11): 116103-116103 [摘要] (247) [HTML 1 KB] [PDF 719 KB] (271)
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