Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "78.40.Fy" 的文章:
76103 廖庆, 李炳生, 康龙, 李小刚
  Comparison of cavities and extended defects formed in helium-implanted 6H-SiC at room temperature and 750 ℃
    中国物理B   2020 Vol.29 (7): 76103-076103 [摘要] (17) [HTML 1 KB] [PDF 5017 KB] (24)
57504 王焕明, 孙森, 徐家胤, 吕晓伟, 汪渊, 彭勇, 张析, 向钢
  Microstructure and ferromagnetism ofheavily Mn doped SiGe thin flims
    中国物理B   2020 Vol.29 (5): 57504-057504 [摘要] (117) [HTML 1 KB] [PDF 3605 KB] (144)
17801 刘利博, 邓洪祥, 祖小涛, 袁晓东, 郑万国
  Non-parabolic effect for femtosecond laser-induced ultrafast electro-absorption in solids
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 17801-017801 [摘要] (81) [HTML 1 KB] [PDF 542 KB] (67)
77801 余小威, 崔慧源, 朱茂东, 夏志林, 赛青林
  Influence of annealing treatment on the luminescent properties of Ta:β-Ga2O3 single crystal
    中国物理B   2019 Vol.28 (7): 77801-077801 [摘要] (123) [HTML 1 KB] [PDF 572 KB] (64)
57802 安雪娥, 商正君, 马传贺, 郑新和, 张翠玲, 孙琳, 越方禹, 李波, 陈晔
  Temperature and excitation dependence of stimulated emission and spontaneous emission in InGaN epilayer
    中国物理B   2019 Vol.28 (5): 57802-057802 [摘要] (104) [HTML 1 KB] [PDF 522 KB] (72)
17803 李营, 史志锋, 李新建, 单崇新
  Photodetectors based on inorganic halide perovskites: Materials and devices
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 17803-017803 [摘要] (144) [HTML 1 KB] [PDF 3520 KB] (504)
127803 刘双韬, 杨静, 赵德刚, 江德生, 梁锋, 陈平, 朱建军, 刘宗顺, 刘炜, 邢瑶, 彭莉媛, 张立群, 王文杰, 李沫
  Influence of carrier gas H2 flow rate on quality of p-type GaN epilayer grown and annealed at lower temperatures
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 127803-127803 [摘要] (108) [HTML 1 KB] [PDF 471 KB] (99)
98502 郭霞, 刘巧莉, 田慧军, 郭春威, 李冲, 胡安琪, 何晓颖, 武华
  Efficiency-enhanced AlGaInP light-emitting diodes using transparent plasmonic silver nanowires
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 98502-098502 [摘要] (140) [HTML 1 KB] [PDF 1335 KB] (158)
48504 栗旭阳, 喻志农, 程锦, 陈永华, 薛建设, 郭建, 薛唯
  Water-based processed and alkoxide-based processed indium oxide thin-film transistors at different annealing temperatures
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48504-048504 [摘要] (171) [HTML 1 KB] [PDF 4283 KB] (157)
94211 黄昌保, 吴海信, 倪友保, 王振友, 陈诗静
  Optical and defect properties of S-doped and Al-doped GaSe crystals
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 94211-094211 [摘要] (164) [HTML 0 KB] [PDF 1417 KB] (165)
96301 黄海铭, 姜振益, 罗时军
  First-principles investigations on the mechanical, thermal,electronic, and optical properties of the defect perovskites Cs2SnX6 (X= Cl, Br, I)
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 96301-096301 [摘要] (206) [HTML 1 KB] [PDF 661 KB] (614)
67804 丁琪, 张晓松, 李岚, 徐建萍, 周平, 董晓菲, 晏明
  Temperature-dependent photoluminescence of size-tunable ZnAgInSe quaternary quantum dots
    中国物理B   2017 Vol.26 (6): 67804-067804 [摘要] (147) [HTML 1 KB] [PDF 979 KB] (222)
127103 郭俊宏, 李廷会, 胡芳仁, 刘力哲
  Identification of surface oxygen vacancy-related phonon-plasmon coupling in TiO2 single crystal
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 127103-127103 [摘要] (147) [HTML 1 KB] [PDF 603 KB] (189)
77503 陈碧娟, 邓正, 望贤成, 冯少敏, 袁真, 张思佳, 刘清青, 靳常青
  Structural stability at high pressure, electronic, and magnetic properties of BaFZnAs: A new candidate of host material of diluted magnetic semiconductors
    中国物理B   2016 Vol.25 (7): 77503-077503 [摘要] (216) [HTML 1 KB] [PDF 890 KB] (425)
24211 张东亮, 成步文, 薛春来, 张旭, 丛慧, 刘智, 张广泽, 王启明
  Theoretical study of the optical gain characteristics of a Ge1-xSnx alloy for a short-wave infrared laser
    中国物理B   2015 Vol.24 (2): 24211-024211 [摘要] (257) [HTML 0 KB] [PDF 359 KB] (365)
124215 曹琛, 张冰, 吴龙胜, 李娜, 王俊峰
  A quantum efficiency analytical model for complementary metal–oxide–semiconductor image pixels with a pinned photodiode structure
    中国物理B   2014 Vol.23 (12): 124215-124215 [摘要] (168) [HTML 1 KB] [PDF 594 KB] (438)
117804 刘晓娟, 张晓松, 李岚, 王雪亮, 苑琳琳
  Fabrication and temperature-dependent photoluminescence spectra of Zn-Cu-In-S quaternary nanocrystals
    中国物理B   2014 Vol.23 (11): 117804-117804 [摘要] (132) [HTML 1 KB] [PDF 1357 KB] (905)
68801 杨静, 赵德刚, 江德生, 刘宗顺, 陈平, 李亮, 吴亮亮, 乐伶聪, 李晓静, 何晓光, 王辉, 朱建军, 张书明, 张宝顺, 杨辉
  Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells
    中国物理B   2014 Vol.23 (6): 68801-068801 [摘要] (175) [HTML 1 KB] [PDF 429 KB] (433)
27304 章杰, 俞金玲, 程树英, 赖云锋, 陈涌海
  Investigation of the mode splitting induced by electro-optic birefringence in a vertical-cavity surface-emitting laser by polarized electroluminescence
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 27304-027304 [摘要] (189) [HTML 1 KB] [PDF 250 KB] (390)
27801 邓洪祥, 祖皓月, 邬邵轶, 孙凯, 祖小涛
  Red-shift law of intense laser-induced electro-absorption in solids
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 27801-027801 [摘要] (171) [HTML 1 KB] [PDF 357 KB] (693)
98801 杨静, 赵德刚, 江德生, 刘宗顺, 陈平, 李亮, 吴亮亮, 乐伶聪, 李晓静, 何晓光, 王辉, 朱建军, 张书明, 张宝顺, 杨辉
  Dependence of InGaN solar cell performance on polarization-induced electric field and carrier lifetime
    中国物理B   2013 Vol.22 (9): 98801-098801 [摘要] (200) [HTML 1 KB] [PDF 446 KB] (590)
68802 李亮, 赵德刚, 江德生, 刘宗顺, 陈平, 吴亮亮, 乐伶聪, 王辉, 杨辉
  The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p-i-n solar cells
    中国物理B   2013 Vol.22 (6): 68802-068802 [摘要] (351) [HTML 1 KB] [PDF 276 KB] (984)
57801 王青, 梁纪锋, 张仁辉, 李强, 戴剑锋
  First-principle study on optical properties of N-La-codoped anatase TiO
    中国物理B   2013 Vol.22 (5): 57801-057801 [摘要] (215) [HTML 1 KB] [PDF 2076 KB] (1049)
47803 张国恒, 邓小燕, 薛华, 向钢
  Engineering of electronic and optical properties of ZnO thin films via Cu doping
    中国物理B   2013 Vol.22 (4): 47803-047803 [摘要] (281) [HTML 1 KB] [PDF 299 KB] (1642)
27802 李邓玥, 李洪涛, 孙合辉, 赵连城
  Effects of rapid thermal annealing on the morphology and optical properity of ultrathin InSb film deposited on SiO2/Si substrate
    中国物理B   2013 Vol.22 (2): 27802-027802 [摘要] (352) [HTML 1 KB] [PDF 1524 KB] (1042)
88502 张倩, 张玉明, 元磊, 张义门, 汤晓燕, 宋庆文
  Fabrication and characterization of 4H–SiC bipolar junction transistor with double base epilayer
    中国物理B   2012 Vol.21 (8): 88502-088502 [摘要] (939) [HTML 1 KB] [PDF 907 KB] (1176)
78104 Jijoy. P. Mathew, George Varghese, Jacob Mathew
  Effect of post thermal annealing on the structural and optical properties of ZnO thin films prepared from polymer precursor
    中国物理B   2012 Vol.21 (7): 78104-078104 [摘要] (988) [HTML 1 KB] [PDF 227 KB] (1756)
56104 王颖,焦文利,胡海帆,刘云涛,曹菲
  A gate enhanced power U-shaped MOSFET integrated with a Schottky rectifier
    中国物理B   2012 Vol.21 (5): 56104-056104 [摘要] (1057) [HTML 1 KB] [PDF 216 KB] (526)
37301 谷利英,李艳芳,楚卫东,卫英慧
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (3): 37301-037301 [摘要] (701) [HTML 1 KB] [PDF 396 KB] (571)
27301 谷利英,李艳芳,楚卫东,卫英慧
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (2): 27301-027301 [摘要] (722) [HTML 1 KB] [PDF 1165 KB] (515)
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