Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "77.55.df" 的文章:
98201 包建辉, 陶科, 林苡任, 贾锐, 刘爱民
  The n-type Si-based materials applied on the front surface of IBC-SHJ solar cells
    中国物理B   2019 Vol.28 (9): 98201-098201 [摘要] (107) [HTML 1 KB] [PDF 567 KB] (77)
48103 张昱, 徐军, 周大雨, 王行行, 陆文琪, Chi-Kyu Choi
  Structural and electrical properties of reactive magnetron sputtered yttrium-doped HfO2 films
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48103-048103 [摘要] (128) [HTML 1 KB] [PDF 1218 KB] (157)
48502 陈雪, 汪志刚, 王喜, James B Kuo
  Closed-form breakdown voltage/specific on-resistance model using charge superposition technique for vertical power double-diffused metal-oxide-semiconductor device with high-κ insulator
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48502-048502 [摘要] (230) [HTML 1 KB] [PDF 1087 KB] (136)
108503 曾严, 李小进, 卿健, 孙亚宾, 石艳玲, 郭奥, 胡少坚
  Detailed study of NBTI characterization in 40-nm CMOS process using comprehensive models
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 108503-108503 [摘要] (143) [HTML 1 KB] [PDF 701 KB] (178)
87802 姜帅, 贾锐, 陶科, 侯彩霞, 孙恒超, 于志泳, 李勇滔
  Studies on the polycrystalline silicon/SiO2 stack as front surface field for IBC solar cells by two-dimensional simulations
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87802-087802 [摘要] (161) [HTML 1 KB] [PDF 1007 KB] (290)
77303 郑芳林, 刘程晟, 任佳琪, 石艳玲, 孙亚宾, 李小进
  Analytical capacitance model for 14 nm FinFET considering dual-k spacer
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77303-077303 [摘要] (190) [HTML 1 KB] [PDF 1849 KB] (409)
17701 李威, 郑直, 汪志刚, 李平, 付晓君, 何峥嵘, 刘凡, 杨丰, 向凡, 刘伦才
  A novel P-channel SOI LDMOS structure with non-depletion potential-clamped layer
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 17701-017701 [摘要] (281) [HTML 1 KB] [PDF 1290 KB] (412)
106701 顾晓敏, 王伟, 周国泰, 高凯歌, 蔡宏灵, 张凤鸣, 吴小山
  Effects of Si surficial structure on transport properties of La2/3Sr1/3MnO3 films
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 106701-106701 [摘要] (213) [HTML 1 KB] [PDF 1280 KB] (253)
47305 刘凡宇, 刘衡竹, 刘必慰, 郭宇峰
  An analytical model for nanowire junctionless SOI FinFETs with considering three-dimensional coupling effect
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 47305-047305 [摘要] (176) [HTML 1 KB] [PDF 663 KB] (459)
27701 蒋智, 庄奕琪, 李聪, 王 萍, 刘予琪
  Influence of trap-assisted tunneling on trap-assisted tunneling current in double gate tunnel field-effect transistor
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 27701-027701 [摘要] (243) [HTML 1 KB] [PDF 356 KB] (401)
67701 林猛, 安霞, 黎明, 云全新, 李敏, 李志强, 刘朋强, 张兴, 黄如
  Fabricating GeO2 passivation layer by N2O plasma oxidation for Ge NMOSFETs application
    中国物理B   2014 Vol.23 (6): 67701-067701 [摘要] (140) [HTML 1 KB] [PDF 410 KB] (668)
97701 汤振杰, 李荣, 殷江
  Performance improvement of charge trap flash memory by using a composition-modulated high-k trapping layer
    中国物理B   2013 Vol.22 (9): 97701-097701 [摘要] (315) [HTML 1 KB] [PDF 379 KB] (442)
78501 翟亚红, 李威, 李平, 李俊宏, 胡滨, 霍伟荣, 范雪, 王刚
  Lead zirconate titanate behaviors in LDMOS
    中国物理B   2013 Vol.22 (7): 78501-078501 [摘要] (225) [HTML 1 KB] [PDF 439 KB] (427)
67702 汤振杰, 李荣, 殷江
  The charge storage characteristics of ZrO2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory
    中国物理B   2013 Vol.22 (6): 67702-067702 [摘要] (291) [HTML 1 KB] [PDF 578 KB] (409)
47701 郑直, 李威, 李平
  Non-depletion floating layer in SOI LDMOS for enhancing breakdown voltage and eliminating back-gate bias effect
    中国物理B   2013 Vol.22 (4): 47701-047701 [摘要] (323) [HTML 1 KB] [PDF 967 KB] (667)
47701 汤振杰, 李荣, 张希威
  Improvement of memory characteristics by employing a charge trapping layer with combining bent and flat energy bands
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47701-047701 [摘要] (1) [HTML 0 KB] [PDF 1085 KB] (1)
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