Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "77.22.Jp" 的文章:
37201 阙陶陶, 赵亚文, 李柳暗, 何亮, 丘秋凌, 刘振兴, 张津玮, 陈佳, 吴志盛, 刘扬
  Effect of overdrive voltage on PBTI trapping behavior in GaN MIS-HEMT with LPCVD SiNx gate dielectric
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 37201-037201 [摘要] (27) [HTML 1 KB] [PDF 1180 KB] (29)
117806 贾梓睿, 高振国, 兰笛, 成永红, 吴广磊, 吴宏景
  Effects of filler loading and surface modification on electrical and thermal properties of epoxy/montmorillonite composite
    中国物理B   2018 Vol.27 (11): 117806-117806 [摘要] (141) [HTML 1 KB] [PDF 882 KB] (208)
127701 孙秋杰, 张玉明, 宋庆文, 汤晓燕, 张艺蒙, 李诚瞻, 赵艳黎, 张义门
  Near-interface oxide traps in 4H-SiC MOS structures fabricated with and without annealing in NO
    中国物理B   2017 Vol.26 (12): 127701-127701 [摘要] (128) [HTML 0 KB] [PDF 659 KB] (140)
127303 马寒露, 王中强, 徐海阳, 张磊, 赵晓宁, 韩曼舒, 马剑钢, 刘益春
  Coexistence of unipolar and bipolar modes in Ag/ZnO/Pt resistive switching memory with oxygen-vacancy and metal-Ag filaments
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 127303-127303 [摘要] (181) [HTML 1 KB] [PDF 985 KB] (212)
87305 徐昊, 杨红, 罗维春, 徐烨峰, 王艳蓉, 唐波, 王文武, 祁路伟, 李俊峰, 闫江, 朱慧珑, 赵超, 陈大鹏, 叶甜春
  Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations
    中国物理B   2016 Vol.25 (8): 87305-087305 [摘要] (152) [HTML 1 KB] [PDF 1174 KB] (436)
87306 徐昊, 杨红, 王艳蓉, 王文武, 罗维春, 祁路伟, 李俊峰, 赵超, 陈大鹏, 叶甜春
  Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation
    中国物理B   2016 Vol.25 (8): 87306-087306 [摘要] (148) [HTML 1 KB] [PDF 349 KB] (432)
47102 宋庆文, 汤晓燕, 袁昊, 王悦湖, 张艺蒙, 郭辉, 贾仁需, 吕红亮, 张义门, 张玉明
  Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H-SiC power SBDs
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 47102-047102 [摘要] (231) [HTML 1 KB] [PDF 5205 KB] (272)
25203 蔡利兵, 王建国, 程国新, 朱湘琴
  A hybrid mode of one- and two-surface multipactor on grooved dielectric surface
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 25203-025203 [摘要] (236) [HTML 1 KB] [PDF 6740 KB] (626)
27701 蒋智, 庄奕琪, 李聪, 王 萍, 刘予琪
  Influence of trap-assisted tunneling on trap-assisted tunneling current in double gate tunnel field-effect transistor
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 27701-027701 [摘要] (243) [HTML 1 KB] [PDF 356 KB] (402)
77201 翟东媛, 朱俊, 赵毅, 蔡银飞, 施毅, 郑有炓
  High performance trench MOS barrier Schottky diode with high-k gate oxide
    中国物理B   2015 Vol.24 (7): 77201-077201 [摘要] (477) [HTML 1 KB] [PDF 523 KB] (1084)
126101 M. Ismail, M. W. Abbas, A. M. Rana, I. Talib, E. Ahmed, M. Y. Nadeem, T. L. Tsai, U. Chand, N. A. Shah, M. Hussain, A. Aziz, M. T. Bhatti
  Bipolar tri-state resistive switching characteristics in Ti/CeOx/Pt memory device
    中国物理B   2014 Vol.23 (12): 126101-126101 [摘要] (175) [HTML 1 KB] [PDF 743 KB] (322)
57102 袁昊, 汤晓燕, 张义门, 张玉明, 宋庆文, 杨霏, 吴昊
  4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystalline silicon field plate termination
    中国物理B   2014 Vol.23 (5): 57102-057102 [摘要] (185) [HTML 1 KB] [PDF 437 KB] (482)
87701 汤晓燕, 宋庆文, 张玉明, 张义门, 贾仁需, 吕红亮, 王悦湖
  Investigation of 4H–SiC metal–insulation–semiconductor structure with Al2O3/SiO2 stacked dielectric
    中国物理B   2012 Vol.21 (8): 87701-087701 [摘要] (846) [HTML 1 KB] [PDF 1498 KB] (1420)
77101 章文通, 吴丽娟, 乔明, 罗小蓉, 张波, 李肇基
  Novel high-voltage power lateral MOSFET with adaptive buried electrodes
    中国物理B   2012 Vol.21 (7): 77101-077101 [摘要] (979) [HTML 1 KB] [PDF 1101 KB] (590)
37901 赵谡玲, Bertrand Poumellec
  The charging stability of different silica glasses studied by measuring the secondary electron emission yield
    中国物理B   2011 Vol.20 (3): 37901-037901 [摘要] (944) [HTML 0 KB] [PDF 2759 KB] (886)
77306 罗小蓉, 王元刚, 邓浩, Florin Udrea
  A novel partial silicon on insulator high voltage LDMOS with low-k dielectric buried layer
    中国物理B   2010 Vol.19 (7): 77306-077306 [摘要] (1017) [HTML 0 KB] [PDF 4242 KB] (878)
40601 邵涛, 章程, 龙凯华, 王珏, 张东东, 严萍
  Measurement and control for a repetitive nanosecond-pulse breakdown experiment in polymer films
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 40601-040601 [摘要] (1052) [HTML 0 KB] [PDF 544 KB] (1145)
38602 王娜娜, 于军胜, 臧月, 蒋亚东
  Photocurrent analysis of organic photovoltaic cells based on CuPc/C60 with Alq3 as a buffer layer
    中国物理B   2010 Vol.19 (3): 38602-038602 [摘要] (1119) [HTML 0 KB] [PDF 226 KB] (1228)
2131 王晓娟, 龚志强, 钱亚峰, 朱骏, 陈小兵
  Oxygen-vacancy-related dielectric relaxation and conduction mechanisms in Bi5 TiNbWO15 ceramics
    中国物理B   2007 Vol.16 (7): 2131-2135 [摘要] (919) [HTML 0 KB] [PDF 728 KB] (556)
1936 王春明, 王矜奉, 王春雷, 陈洪存, 苏文斌, 臧国忠, 亓鹏, 赵明磊, 明保全
  Effects of barium on the nonlinear electrical characteristics and dielectric properties of SnO2-based varistors
    中国物理B   2004 Vol.13 (11): 1936-1940 [摘要] (610) [HTML 0 KB] [PDF 202 KB] (375)
2077 卢克清, 赵卫, 杨延龙, 朱香平, 李金萍, 张颜鹏
  Modulation instability of quasi-plane-wave optical beams in biased photorefractive-photovoltaic crystals
    中国物理B   2004 Vol.13 (12): 2077-2081 [摘要] (692) [HTML 0 KB] [PDF 245 KB] (436)
923 严北平, 罗晋生
  ANALYTICAL MODELING OF THE RECOMBINATION CURRENT IN THE BASE-EMITTER SPACE CHARGE REGION OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS
    中国物理B   1996 Vol.5 (12): 923-929 [摘要] (655) [HTML 0 KB] [PDF 177 KB] (414)
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