Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.61.Ey" 的文章:
48501 张益军, 邹继军, 王晓晖, 常本康, 钱芸生, 张俊举, 高频
  Comparison of the photoemission behaviour between negative electron affinity GaAs and GaN photocathodes
    中国物理B   2011 Vol.20 (4): 48501-048501 [摘要] (981) [HTML 0 KB] [PDF 942 KB] (1079)
27303 马晓华, 于惠游, 全思, 杨丽媛, 潘才渊, 杨凌, 王昊, 张进成, 郝跃
  Enhancement-mode AlGaN/GaN high electronic mobility transistors with thin barrier
    中国物理B   2011 Vol.20 (2): 27303-027303 [摘要] (1175) [HTML 0 KB] [PDF 838 KB] (955)
27304 马晓华, 潘才渊, 杨丽媛, 于惠游, 杨凌, 全思, 王昊, 张进成, 郝跃
  Characterization of Al2O3/GaN/AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistors with different gate recess depths
    中国物理B   2011 Vol.20 (2): 27304-027304 [摘要] (979) [HTML 0 KB] [PDF 662 KB] (1240)
127204 黄征, 武莉莉, 黎兵, 郝霞, 贺剑雄, 冯良桓, 李卫, 张静全, 蔡亚平
  The electrical, optical properties of AlSb polycrystalline thin films deposited by magnetron co-sputtering without annealing
    中国物理B   2010 Vol.19 (12): 127204-127204 [摘要] (1258) [HTML 0 KB] [PDF 1701 KB] (2296)
107206 李述体, 曹健兴, 范广涵, 章勇, 郑树文, 苏军
  GaP layers grown on GaN with and without buffer layers
    中国物理B   2010 Vol.19 (10): 107206-107206 [摘要] (987) [HTML 0 KB] [PDF 1570 KB] (1415)
107305 王泽高, 陈远富, 陈超, 田本朗, 褚夫同, 刘兴钊, 李言荣
  Significant performance enhancement in AlGaN/GaN high electron mobility transistor by high-κ organic dielectric
    中国物理B   2010 Vol.19 (10): 107305-107305 [摘要] (941) [HTML 0 KB] [PDF 484 KB] (1483)
47205 黄俊毅, 范广涵, 郑树文, 牛巧利, 李述体, 曹健兴, 苏军, 章勇
  Improvement of the light output and contact resistance of InGaN-based light-emitting diodes based on tantalum-doped indium tin oxide as p-type electrodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47205-047205 [摘要] (1105) [HTML 0 KB] [PDF 459 KB] (1680)
5457 许志豪, 张进成, 张忠芬, 朱庆玮, 段焕涛, 郝跃
  The effects of vicinal sapphire substrates on the properties of AlGaN/GaN heterostructures
    中国物理B   2009 Vol.18 (12): 5457-5461 [摘要] (1180) [HTML 0 KB] [PDF 1716 KB] (814)
4541 张益军, 常本康, 杨智, 牛军, 邹继军
  Distribution of carriers in gradient-doping transmission-mode GaAs photocathodes grown by molecular beam epitaxy
    中国物理B   2009 Vol.18 (10): 4541-4546 [摘要] (1231) [HTML 0 KB] [PDF 193 KB] (852)
4007 Y1ld1z A, ?ztürk M Kemal, Bosi M, ?z?elik S, Kasap M
  Structural, electrical and optical characterization of InGaN layers grown by MOVPE
    中国物理B   2009 Vol.18 (9): 4007-4012 [摘要] (1140) [HTML 0 KB] [PDF 217 KB] (888)
320 闫军锋, 汪韬, 王警卫, 张志勇, 赵武
  Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition
    中国物理B   2009 Vol.18 (1): 320-323 [摘要] (757) [HTML 0 KB] [PDF 2342 KB] (1247)
1360 李新化, 钟飞, 邱凯, 尹志军, 姬长建
  Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
    中国物理B   2008 Vol.17 (4): 1360-1363 [摘要] (948) [HTML 0 KB] [PDF 1392 KB] (626)
1119 高宏玲, 曾一平, 王宝强, 朱战平, 王占国
  Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/ In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by olecular beam epitaxy
    中国物理B   2008 Vol.17 (3): 1119-1123 [摘要] (1004) [HTML 0 KB] [PDF 380 KB] (685)
3498 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 郭伟玲, 朱彦旭, 梁庭, 达小丽, 李建军, 沈光地
  AlGaInP thin-film LED with omni-directionally reflector and ITO transparent conducting n-type contact
    中国物理B   2007 Vol.16 (11): 3498-3501 [摘要] (1220) [HTML 0 KB] [PDF 1082 KB] (1188)
1135 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 朱彦旭, 梁庭, 达小丽, 沈光地
  High power and high reliability GaN/InGaN flip-chip light-emitting diodes
    中国物理B   2007 Vol.16 (4): 1135-1139 [摘要] (1046) [HTML 0 KB] [PDF 336 KB] (1314)
2735 李东临, 曾一平
  Self-consistent analysis of double-δ-doped InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
    中国物理B   2006 Vol.15 (11): 2735-2741 [摘要] (1099) [HTML 0 KB] [PDF 163 KB] (611)
1335 张杨, 曾一平, 马龙, 王宝强, 朱占平, 王良臣, 杨富华
  Nanoelectronic devices---resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature
    中国物理B   2006 Vol.15 (6): 1335-1338 [摘要] (1246) [HTML 0 KB] [PDF 308 KB] (755)
2133 冯倩, 龚欣, 张晓菊, 郝跃
  Photoluminescence characteristics of GaN:Si
    中国物理B   2005 Vol.14 (10): 2133-2136 [摘要] (849) [HTML 0 KB] [PDF 210 KB] (485)
705 陈忠, 皮飞鹏, 胡湘威, 赖天树, 徐耕, 莫党, 林位株
  EFFECTS OF BANDGAP SHRINKAGE IN FEMTOSECOND ABSORPTION SATURATION MEASUREMENTS OF GaAs FILM
    中国物理B   1996 Vol.5 (9): 705-712 [摘要] (585) [HTML 0 KB] [PDF 208 KB] (316)
531 严北平, 罗晋生, 章其麟
  DOPING BEHAVIOR AND ELECTRICAL ACTIVATION OF CARBON IN GaAs
    中国物理B   1995 Vol.4 (7): 531-535 [摘要] (601) [HTML 0 KB] [PDF 136 KB] (281)
453 陈忠辉, 刘普霖, 周涛, 史国良, 陆卫, 黄醒良, 沈学础
  FAR-INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY MECHANISM ON SHALLOW IMPURITY IN GaAs
    中国物理B   1994 Vol.3 (6): 453-459 [摘要] (545) [HTML 0 KB] [PDF 196 KB] (274)
67305 徐化勇, 陈秀芳, 彭燕, 徐明升, 沈燕, 胡小波, 徐现刚
  Progress in research of GaN-based LEDs fabricated on SiC substrate
    中国物理B   2015 Vol.24 (6): 67305-067305 [摘要] (255) [HTML 1 KB] [PDF 2886 KB] (678)
127304 林体元, 庞磊, 袁婷婷, 刘新宇
  Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method
    中国物理B   2014 Vol.23 (12): 127304-127304 [摘要] (171) [HTML 1 KB] [PDF 958 KB] (414)
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