Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.61.Ey" 的文章:
28502 郭敏, 郭志友, 黄晶, 刘洋, 姚舜禹
  Improvement of the carrier distribution with GaN/InGaN/AlGaN/InGaN/GaN composition-graded barrier for InGaN-based blue light-emitting diode
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28502-028502 [摘要] (211) [HTML 1 KB] [PDF 385 KB] (236)
17304 杨凌, 周小伟, 马晓华, 吕玲, 曹艳荣, 张进成, 郝跃
  Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 17304-017304 [摘要] (168) [HTML 1 KB] [PDF 450 KB] (393)
117102 李强, 李虞锋, 张敏妍, 丁文, 云峰
  Current spreading in GaN-based light-emitting diodes
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 117102-117102 [摘要] (212) [HTML 1 KB] [PDF 1077 KB] (462)
117301 耿苗, 李培咸, 罗卫军, 孙朋朋, 张蓉, 马晓华
  Small-signal modeling of GaN HEMT switch with a new intrinsic elements extraction method
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 117301-117301 [摘要] (133) [HTML 1 KB] [PDF 1091 KB] (1059)
108501 孙树祥, 吉慧芳, 姚会娟, 李胜, 金智, 丁芃, 钟英辉
  Physical modeling of direct current and radio frequency characteristics for InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 108501-108501 [摘要] (223) [HTML 1 KB] [PDF 416 KB] (692)
97202 陈俊, 吕加兵
  Spectral response modeling and analysis of p-n-p In0.53Ga0.47As/InP HPTs
    中国物理B   2016 Vol.25 (9): 97202-097202 [摘要] (258) [HTML 1 KB] [PDF 233 KB] (232)
97305 罗佳, 向钢, 余天, 兰木, 张析
  Structural, electronic, and magnetic properties of transition-metal atom adsorbed two-dimensional GaAs nanosheet
    中国物理B   2016 Vol.25 (9): 97305-097305 [摘要] (349) [HTML 1 KB] [PDF 761 KB] (364)
97306 赵博超, 卢阳, 韩文哲, 郑佳欣, 张恒爽, 马佩军, 马晓华, 郝跃
  X-band inverse class-F GaN internally-matched power amplifier
    中国物理B   2016 Vol.25 (9): 97306-097306 [摘要] (184) [HTML 1 KB] [PDF 861 KB] (692)
87308 张家琦, 王磊, 李柳暗, 王青鹏, 江滢, 朱慧超, 敖金平
  Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate
    中国物理B   2016 Vol.25 (8): 87308-087308 [摘要] (237) [HTML 1 KB] [PDF 1061 KB] (267)
67305 朱青, 马晓华, 陈伟伟, 侯斌, 祝杰杰, 张濛, 陈丽香, 曹艳荣, 郝跃
  Influence of surface states on deep level transient spectroscopy in AlGaN/GaN heterostructure
    中国物理B   2016 Vol.25 (6): 67305-067305 [摘要] (206) [HTML 1 KB] [PDF 508 KB] (267)
67306 吴立枢, 赵岩, 沈宏昌张有涛, 陈堂胜
  Heterogeneous integration of GaAs pHEMT and Si CMOS on the same chip
    中国物理B   2016 Vol.25 (6): 67306-067306 [摘要] (218) [HTML 1 KB] [PDF 1284 KB] (191)
48505 焦岗成, 刘正堂, 郭晖, 张益军
  Comparison of blue-green response between transmission-mode GaAsP-and GaAs-based photocathodes grown by molecular beam epitaxy
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 48505-048505 [摘要] (166) [HTML 1 KB] [PDF 1005 KB] (368)
38503 李柳暗, 张家琦, 刘扬, 敖金平
  Evaluation of a gate-first process for AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with low ohmic annealing temperature
    中国物理B   2016 Vol.25 (3): 38503-038503 [摘要] (218) [HTML 0 KB] [PDF 371 KB] (289)
27303 罗俊, 赵胜雷, 宓珉瀚, 陈伟伟, 侯斌, 张进成, 马晓华, 郝跃
  Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 27303-027303 [摘要] (385) [HTML 1 KB] [PDF 496 KB] (775)
28501 张诚, 孙慧卿, 李旭娜, 孙浩, 范宣聪, 张柱定, 郭志友
  Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with double electron blocking layers
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 28501-028501 [摘要] (297) [HTML 1 KB] [PDF 488 KB] (535)
127304 刘超文, 徐静平, 刘璐, 卢汉汉
  High-k gate dielectric GaAs MOS device with LaON as interlayer and NH3-plasma surface pretreatment
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 127304-127304 [摘要] (281) [HTML 1 KB] [PDF 343 KB] (285)
127306 张鹏, 赵胜雷, 薛军帅, 祝杰杰, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Investigation of trap states in Al2O3 InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 127306-127306 [摘要] (328) [HTML 1 KB] [PDF 472 KB] (410)
117305 罗俊, 赵胜雷, 宓珉瀚, 侯斌, 杨晓蕾, 张进成, 马晓华, 郝跃
  Trap states induced by reactive ion etching in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117305-117305 [摘要] (343) [HTML 1 KB] [PDF 339 KB] (505)
117307 张昇, 魏珂, 余乐, 刘果果, 黄森, 王鑫华, 庞磊, 郑英奎, 李艳奎, 马晓华, 孙兵, 刘新宇
  AlGaN/GaN high electron mobility transistorwith Al2O3+BCB passivation
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117307-117307 [摘要] (186) [HTML 1 KB] [PDF 1534 KB] (443)
105201 张晓渝, 谭仁兵, 孙建东, 李欣幸, 周宇, 吕利, 秦华
  Investigation of high sensitivity radio-frequency readout circuit based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 105201-105201 [摘要] (140) [HTML 1 KB] [PDF 1397 KB] (285)
87305 黄杰, 黎明, 赵倩, 顾雯雯, 刘纪美
  Hetero-epitaxy of Lg=0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications
    中国物理B   2015 Vol.24 (8): 87305-087305 [摘要] (158) [HTML 1 KB] [PDF 574 KB] (328)
87306 吕元杰, 冯志红, 顾国栋, 尹甲运, 房玉龙, 王元刚, 谭鑫, 周幸叶, 林兆军, 冀子武, 蔡树军
  Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor
    中国物理B   2015 Vol.24 (8): 87306-087306 [摘要] (318) [HTML 1 KB] [PDF 361 KB] (298)
56103 雷志锋, 郭红霞, 曾畅, 陈辉, 王远声, 张战刚
  Influence of heavy ion irradiation on DC and gate-lag performance of AlGaN/GaN HEMTs
    中国物理B   2015 Vol.24 (5): 56103-056103 [摘要] (296) [HTML 1 KB] [PDF 1352 KB] (406)
57303 倪毅强, 贺致远, 姚尧, 杨帆, 周德秋, 周桂林, 沈震, 钟健, 郑越, 张佰君, 刘扬
  Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors grown on Si substrate
    中国物理B   2015 Vol.24 (5): 57303-057303 [摘要] (231) [HTML 1 KB] [PDF 614 KB] (341)
48503 周幸叶, 冯志红, 王元刚, 顾国栋, 宋旭波, 蔡树军
  Transient simulation and analysis of current collapse due to trapping effects in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 48503-048503 [摘要] (429) [HTML 0 KB] [PDF 462 KB] (454)
37304 张鹏, 赵胜雷, 侯斌, 王冲, 郑雪峰, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Improvement of the off-state breakdown voltage with field plate and low-density drain in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors
    中国物理B   2015 Vol.24 (3): 37304-037304 [摘要] (150) [HTML 0 KB] [PDF 347 KB] (402)
27302 郑雪峰, 范爽, 陈永和, 康迪, 张建坤, 王冲, 默江辉, 李亮, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Transport mechanism of reverse surface leakage current in AlGaN/GaN high-electron mobility transistor with SiN passivation
    中国物理B   2015 Vol.24 (2): 27302-027302 [摘要] (325) [HTML 0 KB] [PDF 390 KB] (504)
27303 宓珉瀚, 张凯, 赵胜雷, 王冲, 张进成, 马晓华, 郝跃
  Improved performance of AlGaN/GaN HEMT by N2O plasma pre-treatment
    中国物理B   2015 Vol.24 (2): 27303-027303 [摘要] (191) [HTML 0 KB] [PDF 344 KB] (407)
17302 赵一, 张进成, 薛军帅, 周小伟, 许晟瑞, 郝跃
  Influence of compressive strain on the incorporation of indium in InGaN and InAlN ternary alloys
    中国物理B   2015 Vol.24 (1): 17302-017302 [摘要] (217) [HTML 0 KB] [PDF 456 KB] (546)
17303 孙伟伟, 郑雪峰, 范爽, 王冲, 杜鸣, 张凯, 陈伟伟, 曹艳荣, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Degradation mechanism of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine ion implantation under the on-state gate overdrive stress
    中国物理B   2015 Vol.24 (1): 17303-017303 [摘要] (240) [HTML 0 KB] [PDF 313 KB] (556)
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