Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.61.Ey" 的文章:
57306 祁路伟, 刘晓宇, 孟进, 张德海, 周静涛
  Improvements in reverse breakdown characteristics of THz GaAs Schottky barrier varactor based on metal-brim structure
    中国物理B   2020 Vol.29 (5): 57306-057306 [摘要] (31) [HTML 1 KB] [PDF 874 KB] (46)
47302 冯伟
  Hydrodynamic simulation of chaotic dynamics in InGaAs oscillator in terahertz region
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47302-047302 [摘要] (57) [HTML 1 KB] [PDF 790 KB] (85)
47303 郭娇欣, 丁杰, 莫春兰, 郑畅达, 潘拴, 江风益
  Effect of AlGaN interlayer on luminous efficiency and reliability of GaN-based green LEDs on silicon substrate
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47303-047303 [摘要] (60) [HTML 1 KB] [PDF 1344 KB] (54)
47304 朱青, 马晓华, 陈怡霖, 侯斌, 祝杰杰, 张濛, 武玫, 杨凌, 郝跃
  Negative bias-induced threshold voltage instability and zener/interface trapping mechanism in GaN-based MIS-HEMTs
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47304-047304 [摘要] (55) [HTML 1 KB] [PDF 753 KB] (90)
47305 王伟凡, 王建峰, 张育民, 李腾坤, 熊瑞, 徐科
  Fabrication and characterization of vertical GaN Schottky barrier diodes with boron-implanted termination
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47305-047305 [摘要] (73) [HTML 1 KB] [PDF 1329 KB] (81)
38502 钟英辉, 杨博, 常明铭, 丁芃, 马刘红, 李梦珂, 段智勇, 杨洁, 金智, 魏志超
  Enhancement of radiation hardness of InP-based HEMT with double Si-doped plane
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38502-038502 [摘要] (52) [HTML 1 KB] [PDF 714 KB] (60)
27201 耿昕蕾, 夏晓川, 黄火林, 孙仲豪, 张贺秋, 崔兴柱, 梁晓华, 梁红伟
  Simulation of GaN micro-structured neutron detectors for improving electrical properties
    中国物理B   2020 Vol.29 (2): 27201-027201 [摘要] (85) [HTML 1 KB] [PDF 2443 KB] (92)
27301 王中旭, 杜林, 刘俊伟, 王颖, 江芸, 季思蔚, 董士伟, 陈伟伟, 谭骁洪, 李金龙, 李小军, 赵胜雷, 张进成, 郝跃
  Breakdown voltage enhancement in GaN channel and AlGaN channel HEMTs using large gate metal height
    中国物理B   2020 Vol.29 (2): 27301-027301 [摘要] (161) [HTML 1 KB] [PDF 847 KB] (106)
17301 王一夫, Mussaab I Niass, 王芳, 刘玉怀
  Improvement of radiative recombination rate in deep ultraviolet laser diodes with step-like quantum barrier and aluminum-content graded electron blocking layer
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 17301-017301 [摘要] (93) [HTML 1 KB] [PDF 723 KB] (72)
107801 陈彦旭, 许栋梁, 徐开凯, 张宁, 刘斯扬, 赵建明, 罗谦, Lukas W. Snyman, Jacobus W. Swart
  Optoelectronic properties analysis of silicon light-emitting diode monolithically integrated in standard CMOS IC
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107801-107801 [摘要] (260) [HTML 1 KB] [PDF 1215 KB] (154)
86105 刘雪飞, 罗子江, 周勋, 魏节敏, 王一, 郭祥, 吕兵, 丁召
  Structural, mechanical, and electronic properties of 25 kinds of Ⅲ-V binary monolayers:A computational study with first-principles calculation
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 86105-086105 [摘要] (102) [HTML 1 KB] [PDF 3949 KB] (184)
78501 孙树祥, 常明铭, 李梦珂, 马刘红, 钟英辉, 李玉晓, 丁芃, 金智, 魏志超
  Effect of defects properties on InP-based high electron mobility transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (7): 78501-078501 [摘要] (106) [HTML 1 KB] [PDF 1176 KB] (103)
67304 包斯琴高娃, 马晓华, 陈伟伟, 杨凌, 侯斌, 朱青, 祝杰杰, 郝跃
  Method of evaluating interface traps in Al2O3/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67304-067304 [摘要] (115) [HTML 1 KB] [PDF 591 KB] (114)
67305 张天然, 方芳, 王小兰, 张建立, 吴小明, 潘栓, 刘军林, 江风益
  Aging mechanism of GaN-based yellow LEDs with V-pits
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67305-067305 [摘要] (107) [HTML 1 KB] [PDF 1504 KB] (93)
67701 吉雪, 董文秀, 张育民, 王建峰, 徐科
  Fabrication and characterization of one-port surface acoustic wave resonators on semi-insulating GaN substrates
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67701-067701 [摘要] (173) [HTML 1 KB] [PDF 1232 KB] (124)
37302 侯明辰, 谢刚, 盛况
  Mechanism of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures via laser annealing
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 37302-037302 [摘要] (162) [HTML 1 KB] [PDF 2166 KB] (117)
27301 赵胜雷, 王之哲, 陈大正, 王茂俊, 戴扬, 马晓华, 张进成, 郝跃
  1.8-kV circular AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure high electron mobility transistor
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27301-027301 [摘要] (176) [HTML 1 KB] [PDF 507 KB] (141)
97203 王一栋, 陈俊
  Modeling capacitance–voltage characteristic of TiW/p-InP Schottky barrier diode
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97203-097203 [摘要] (173) [HTML 1 KB] [PDF 1187 KB] (113)
97308 王冲, 王鑫, 郑雪峰, 王允, 何云龙, 田野, 何晴, 吴忌, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Characteristics and threshold voltage model of GaN-based FinFET with recessed gate
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97308-097308 [摘要] (214) [HTML 1 KB] [PDF 804 KB] (134)
97309 张昇, 魏珂, 肖洋, 马晓华, 张一川, 刘果果, 雷天民, 郑英奎, 黄森, 汪宁, Muhammad Asif, 刘新宇
  Effect of SiN: Hx passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97309-097309 [摘要] (308) [HTML 1 KB] [PDF 892 KB] (139)
47307 刘婷婷, 张凯, 朱广润, 周建军, 孔月婵, 郁鑫鑫, 陈堂胜
  Influence of fin architectures on linearity characteristics of AlGaN/GaNFinFETs
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47307-047307 [摘要] (172) [HTML 1 KB] [PDF 799 KB] (239)
28502 孙树祥, 魏志超, 夏鹏辉, 王文斌, 段智勇, 李玉晓, 钟英辉, 丁芃, 金智
  Effects of proton irradiation at different incident angles on InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs
    中国物理B   2018 Vol.27 (2): 28502-028502 [摘要] (143) [HTML 0 KB] [PDF 1730 KB] (188)
87307 黎斌, 黄善津, 王海龙, 吴华龙, 吴志盛, 王钢, 江灏
  Performance improvement of InGaN/GaN multiple quantum well visible-light photodiodes by optimizing TEGa flow
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87307-087307 [摘要] (136) [HTML 1 KB] [PDF 379 KB] (159)
87308 赵琳娜, 于沛洪, 郭子骧, 闫大为, 周浩, 吴锦波, 崔志强, 孙华锐, 顾晓峰
  Progressive current degradation and breakdown behavior in GaN LEDs under high reverse bias stress
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87308-087308 [摘要] (185) [HTML 1 KB] [PDF 1376 KB] (187)
87311 李阳锋, 江洋, 迭俊珲, 王彩玮, 严珅, 马紫光, 吴海燕, 王禄, 贾海强, 王文新, 陈弘
  Improvement of green InGaN-based LEDs efficiency using a novel quantum well structure
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87311-087311 [摘要] (358) [HTML 1 KB] [PDF 1381 KB] (295)
88504 任彬, 郭晖, 石峰, 程宏昌, 刘晖, 刘健, 申志辉, 史衍丽, 刘培
  A theoretical and experimental evaluation of III-nitride solar-blind UV photocathode
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 88504-088504 [摘要] (143) [HTML 1 KB] [PDF 886 KB] (208)
47303 郝宏玥, 向伟, 王国伟, 徐应强, 韩玺, 孙瑶耀, 蒋洞微, 张宇, 廖永平, 魏思航, 牛智川
  Etching mask optimization of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infared 640×512 focal plane array
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47303-047303 [摘要] (209) [HTML 1 KB] [PDF 3694 KB] (493)
37201 王磊, 张家琦, 李柳暗, 前田裕太郎, 敖金平
  Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 37201-037201 [摘要] (245) [HTML 1 KB] [PDF 311 KB] (270)
37305 代盼, 卢建娅, 谭明, 王青松, 吴渊渊, 季莲, 边历峰, 陆书龙, 杨辉
  Transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode in III-V compound solar cell
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 37305-037305 [摘要] (384) [HTML 1 KB] [PDF 327 KB] (485)
37306 黄杰, 顾雯雯, 赵倩
  Broadband microwave frequency doubler based on left-handed nonlinear transmission lines
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 37306-037306 [摘要] (237) [HTML 0 KB] [PDF 853 KB] (276)
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