Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Ty" 的文章:
77303 赵舒燕, 宋禹忻, 梁好, 金婷婷, 林家杰, 岳丽, 游天桂, 王长, 欧欣, 王庶民
  Stress and strain analysis of Si-based Ⅲ-V template fabricated by ion-slicing
    中国物理B   2020 Vol.29 (7): 77303-077303 [摘要] (63) [HTML 1 KB] [PDF 1788 KB] (86)
27101 吴丽娟, 章中杰, 宋月, 杨航, 胡利民, 袁娜
  Novel high-K with low specific on-resistance high voltage lateral double-diffused MOSFET
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 27101-027101 [摘要] (184) [HTML 1 KB] [PDF 651 KB] (351)
127304 何逸涛, 乔明, 张波
  Ultralow turnoff loss dual-gate SOI LIGBT with trench gate barrier and carrier stored layer
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 127304-127304 [摘要] (211) [HTML 1 KB] [PDF 431 KB] (221)
27305 王裕如, 刘祎鹤, 林兆江, 方冬, 李成州, 乔明, 张波
  Modeling of a triple reduced surface field silicon-on-insulator lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with low on-state resistance
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 27305-027305 [摘要] (323) [HTML 1 KB] [PDF 379 KB] (347)
27306 张彦辉, 魏杰, 尹超, 谭桥, 刘建平, 李鹏程, 罗小蓉
  A uniform doping ultra-thin SOI LDMOS with accumulation-mode extended gate and back-side etching technology
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 27306-027306 [摘要] (283) [HTML 1 KB] [PDF 857 KB] (868)
47304 李鹏程, 罗小蓉, 罗尹春, 周坤, 石先龙, 张彦辉, 吕孟山
  An ultra-low specific on-resistance trench LDMOS with a U-shaped gate and accumulation layer
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 47304-047304 [摘要] (332) [HTML 0 KB] [PDF 618 KB] (611)
77306 罗尹春, 罗小蓉, 胡刚毅, 范远航, 李鹏程, 魏杰, 谭桥, 张波
  A low specific on-resistance SOI LDMOS with a novel junction field plate
    中国物理B   2014 Vol.23 (7): 77306-077306 [摘要] (402) [HTML 1 KB] [PDF 451 KB] (515)
67101 胡盛东, 武星河, 朱志, 金晶晶, 陈银晖
  Partial-SOI high voltage laterally double-diffused MOS with a partially buried n+-layer
    中国物理B   2014 Vol.23 (6): 67101-067101 [摘要] (159) [HTML 1 KB] [PDF 1752 KB] (589)
77309 付强, 张波, 罗小蓉, 李肇基
  A dual-gate and dielectric-inserted lateral trench insulated gate bipolar transistor on a silicon-on-insulator substrate
    中国物理B   2013 Vol.22 (7): 77309-077309 [摘要] (223) [HTML 1 KB] [PDF 585 KB] (592)
67306 周坤, 罗小蓉, 范远航, 罗尹春, 胡夏融, 张波
  A low on-resistance buried current path SOI p-channel LDMOS compatible with n-channel LDMOS
    中国物理B   2013 Vol.22 (6): 67306-067306 [摘要] (277) [HTML 1 KB] [PDF 938 KB] (721)
27303 罗小蓉, 王琦, 姚国亮, 王元刚, 雷天飞, 王沛, 蒋永恒, 周坤, 张波
  A high voltage silicon-on-insulator lateral insulated gate bipolar transistor with a reduced cell-pitch
    中国物理B   2013 Vol.22 (2): 27303-027303 [摘要] (352) [HTML 1 KB] [PDF 809 KB] (773)
27304 罗小蓉, 罗尹春, 范叶, 胡刚毅, 王骁玮, 张正元, 范远航, 蔡金勇, 王沛, 周坤
  A low specific on-resistance SOI MOSFET with dual gates and recessed drain
    中国物理B   2013 Vol.22 (2): 27304-027304 [摘要] (398) [HTML 1 KB] [PDF 684 KB] (685)
27305 王沛, 罗小蓉, 蒋永恒, 王琦, 周坤, 吴丽娟, 王骁玮, 蔡金勇, 罗尹春, 范叶, 胡夏融, 范远航, 魏杰, 张波
  Ultra-low specific on-resistance vertical double-diffused metal-oxide semiconductor with a high-k dielectric-filled extended trench
    中国物理B   2013 Vol.22 (2): 27305-027305 [摘要] (361) [HTML 1 KB] [PDF 535 KB] (670)
47303 张健,何进,周幸叶,张立宁,马玉涛,陈沁,张勖凯,杨张,王睿斐,韩雨,陈文新
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (4): 47303-047303 [摘要] (1095) [HTML 1 KB] [PDF 303 KB] (687)
37305 庄翔,乔明,张波,李肇基
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (3): 37305-037305 [摘要] (748) [HTML 1 KB] [PDF 1679 KB] (24088)
27101 胡盛东,吴丽娟,周建林,甘平,张波,李肇基
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (2): 27101-027101 [摘要] (809) [HTML 1 KB] [PDF 580 KB] (618)
97304 周幸叶, 张健, 周致赜, 张立宁, 马晨月, 吴文, 赵巍, 张兴
  An improvement to computational efficiency of the drain current model for double-gate MOSFET
    中国物理B   2011 Vol.20 (9): 97304-097304 [摘要] (1080) [HTML 0 KB] [PDF 371 KB] (913)
77304 王元刚, 罗小蓉, 葛锐, 吴丽娟, 陈曦, 姚国亮, 雷天飞, 王琦, 范杰, 胡夏融
  Compound buried layer SOI high voltage device with a step buried oxide
    中国物理B   2011 Vol.20 (7): 77304-077304 [摘要] (1051) [HTML 0 KB] [PDF 1859 KB] (834)
16102 何进, 刘峰, 周幸叶, 张健, 张立宁
  A continuous analytic channel potential solution to doped symmetric double-gate MOSFETs from the accumulation to the strong-inversion region
    中国物理B   2011 Vol.20 (1): 16102-016102 [摘要] (1166) [HTML 0 KB] [PDF 589 KB] (1329)
67304 张健, 何进, 张立宁
  One-dimensional continuous analytic potential solution to generic oxide-silicon-oxide system
    中国物理B   2010 Vol.19 (6): 67304-067304 [摘要] (1149) [HTML 0 KB] [PDF 367 KB] (646)
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