Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Qv" 的文章:
107302 荆思淇, 马晓华, 祝杰杰, 张新创, 刘思雨, 朱青, 郝跃
  Interface and border trapping effects in normally-off Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs with different post-etch surface treatments
    中国物理B   2020 Vol.29 (10): 107302-107302 [摘要] (10) [HTML 1 KB] [PDF 1123 KB] (4)
97301 郝继龙, 白云, 刘新宇, 李诚瞻, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 陆江, 王盛凯
  Improved electrical properties of NO-nitrided SiC/SiO2 interface after electron irradiation
    中国物理B   2020 Vol.29 (9): 97301-097301 [摘要] (26) [HTML 1 KB] [PDF 547 KB] (23)
87304 赵垚澎, 王冲, 郑雪峰, 马晓华, 刘凯, 李昂, 何云龙, 郝跃
  Comparative study on characteristics of Si-based AlGaN/GaN recessed MIS-HEMTs with HfO2 and Al2O3 gate insulators
    中国物理B   2020 Vol.29 (8): 87304-087304 [摘要] (40) [HTML 1 KB] [PDF 1089 KB] (48)
64212 刘振, 贾维国, 王红玉, 汪洋, 门克内木乐, 张俊萍
  Effect of dark soliton on the spectral evolution of bright soliton in a silicon-on-insulator waveguide
    中国物理B   2020 Vol.29 (6): 64212-064212 [摘要] (45) [HTML 1 KB] [PDF 2058 KB] (68)
68503 朱玲, 梁海莲, 顾晓峰, 许杰
  Design of a novel high holding voltage LVTSCR with embedded clamping diode
    中国物理B   2020 Vol.29 (6): 68503-068503 [摘要] (46) [HTML 1 KB] [PDF 645 KB] (49)
47701 汤振杰, 李荣, 张希威
  Improvement of memory characteristics by employing a charge trapping layer with combining bent and flat energy bands
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47701-047701 [摘要] (77) [HTML 1 KB] [PDF 1331 KB] (80)
37301 刘新宇, 郝继龙, 尤楠楠, 白云, 汤益丹, 杨成樾, 王盛凯
  High-mobility SiC MOSFET with low density of interface traps using high pressure microwave plasma oxidation
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 37301-037301 [摘要] (86) [HTML 1 KB] [PDF 1104 KB] (106)
38503 姚佳飞, 郭宇锋, 张振宇, 杨可萌, 张茂林, 夏天
  Numerical and analytical investigations for the SOI LDMOS with alternated high-k dielectric and step doped silicon pillars
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38503-038503 [摘要] (85) [HTML 1 KB] [PDF 637 KB] (87)
38505 张先乐, 常鹏鹰, 杜刚, 刘晓彦
  Role of remote Coulomb scattering on the hole mobility at cryogenic temperatures in SOI p-MOSFETs
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38505-038505 [摘要] (72) [HTML 1 KB] [PDF 667 KB] (92)
14203 刘振, 贾维国, 汪洋, 王红玉, 门克内木乐, 张俊萍
  Propagation characteristics of parallel dark solitons in silicon-on-insulator waveguide
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 14203-014203 [摘要] (97) [HTML 1 KB] [PDF 4913 KB] (77)
17302 陈潜, 杨松鹤, 董磊, 蔡思源, 许家驹, 许宗祥
  Tetraalkyl-substituted zinc phthalocyanines used as anode buffer layers for organic light-emitting diodes
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 17302-017302 [摘要] (73) [HTML 1 KB] [PDF 2018 KB] (69)
128101 陈建颖, 赵心愿, 刘璐, 徐静平
  Improved performance of back-gate MoS2 transistors by NH3-plasma treating high-k gate dielectrics
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 128101-128101 [摘要] (146) [HTML 1 KB] [PDF 1778 KB] (130)
88502 韩朝阳, 刘远, 刘玉荣, 陈雅怡, 王黎, 陈荣盛
  Negative gate bias stress effects on conduction and low frequency noise characteristics in p-type poly-Si thin-film transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 88502-088502 [摘要] (116) [HTML 1 KB] [PDF 558 KB] (109)
37201 李琦, 张昭阳, 李海鸥, 孙堂友, 陈永和, 左园
  Stacked lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor with enhanced depletion effect by surface substrate
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 37201-037201 [摘要] (161) [HTML 1 KB] [PDF 1984 KB] (117)
17105 刘增, 李培刚, 支钰崧, 王小龙, 褚旭龙, 唐为华
  Review of gallium oxide based field-effect transistors and Schottky barrier diodes
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 17105-017105 [摘要] (236) [HTML 1 KB] [PDF 5647 KB] (384)
97306 李永亮, 徐秋霞, 王文武
  Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97306-097306 [摘要] (169) [HTML 1 KB] [PDF 1824 KB] (129)
97308 王冲, 王鑫, 郑雪峰, 王允, 何云龙, 田野, 何晴, 吴忌, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Characteristics and threshold voltage model of GaN-based FinFET with recessed gate
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97308-097308 [摘要] (228) [HTML 1 KB] [PDF 804 KB] (166)
97309 张昇, 魏珂, 肖洋, 马晓华, 张一川, 刘果果, 雷天民, 郑英奎, 黄森, 汪宁, Muhammad Asif, 刘新宇
  Effect of SiN: Hx passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97309-097309 [摘要] (322) [HTML 1 KB] [PDF 892 KB] (158)
67303 王尘, 许怡红, 陈松岩, 李成, 汪建元, 黄巍, 赖虹凯, 郭榕榕
  Improved performance of Au nanocrystal nonvolatile memory by N2-plasma treatment on HfO2 blocking layer
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 67303-067303 [摘要] (153) [HTML 0 KB] [PDF 1779 KB] (118)
68504 王黎, 刘远, 耿魁伟, 陈雅怡, 恩云飞
  Degradation of current-voltage and low frequency noise characteristics under negative bias illumination stress in InZnO thin film transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 68504-068504 [摘要] (119) [HTML 0 KB] [PDF 1319 KB] (210)
47307 刘婷婷, 张凯, 朱广润, 周建军, 孔月婵, 郁鑫鑫, 陈堂胜
  Influence of fin architectures on linearity characteristics of AlGaN/GaNFinFETs
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47307-047307 [摘要] (189) [HTML 1 KB] [PDF 799 KB] (255)
38501 潘霄宇, 郭红霞, 罗尹虹, 张凤祁, 丁李利
  Analysis of multiple cell upset sensitivity in bulk CMOS SRAM after neutron irradiation
    中国物理B   2018 Vol.27 (3): 38501-038501 [摘要] (151) [HTML 0 KB] [PDF 2130 KB] (271)
107101 申占伟, 张峰, 韩吉胜, 闫果果, 温正欣, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平
  Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H-SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 107101-107101 [摘要] (153) [HTML 1 KB] [PDF 1086 KB] (330)
87304 王艳蓉, 杨红, 徐昊, 罗维春, 祁路伟, 张淑祥, 王文武, 闫江, 朱慧珑, 赵超, 陈大鹏, 叶甜春
  Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87304-087304 [摘要] (203) [HTML 1 KB] [PDF 1310 KB] (217)
77303 郑芳林, 刘程晟, 任佳琪, 石艳玲, 孙亚宾, 李小进
  Analytical capacitance model for 14 nm FinFET considering dual-k spacer
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77303-077303 [摘要] (217) [HTML 1 KB] [PDF 1849 KB] (546)
77304 齐钊, 乔明, 何逸涛, 张波
  High holding voltage SCR for robust electrostatic discharge protection
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77304-077304 [摘要] (215) [HTML 1 KB] [PDF 1057 KB] (341)
67301 阙妙玲, 王贤迪, 彭轶瑶, 潘曹峰
  Flexible electrically pumped random lasing from ZnO nanowires based on metal-insulator-semiconductor structure
    中国物理B   2017 Vol.26 (6): 67301-067301 [摘要] (402) [HTML 1 KB] [PDF 1951 KB] (396)
47306 毛维, 王海永, 王晓飞, 杜鸣, 张金风, 郑雪峰, 王冲, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Improvement of reverse blocking performance in vertical power MOSFETs with Schottky-drain-connected semisuperjunctions
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47306-047306 [摘要] (249) [HTML 1 KB] [PDF 9012 KB] (343)
27101 吴丽娟, 章中杰, 宋月, 杨航, 胡利民, 袁娜
  Novel high-K with low specific on-resistance high voltage lateral double-diffused MOSFET
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 27101-027101 [摘要] (184) [HTML 1 KB] [PDF 651 KB] (351)
27701 马雪丽, 杨红, 项金娟, 王晓磊, 王文武, 张建齐, 殷华湘, 朱慧珑, 赵超
  Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 27701-027701 [摘要] (229) [HTML 1 KB] [PDF 1226 KB] (727)
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