Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Ns" 的文章:
117303 袁昊, 宋庆文, 韩超, 汤晓燕, 何晓宁, 张玉明, 张义门
  Hysteresis effect in current-voltage characteristics of Ni/n-type 4H-SiC Schottky structure
    中国物理B   2019 Vol.28 (11): 117303-117303 [摘要] (78) [HTML 1 KB] [PDF 594 KB] (56)
97305 董升旭, 白云, 汤益丹, 陈宏, 田晓丽, 杨成樾, 刘新宇
  Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97305-097305 [摘要] (198) [HTML 1 KB] [PDF 938 KB] (167)
118101 于淑珍, 宋焱, 董建荣, 孙玉润, 赵勇明, 何洋
  Low specific contact resistivity to graphene achieved by AuGe/Ni/Au and annealing process
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118101-118101 [摘要] (155) [HTML 0 KB] [PDF 438 KB] (321)
126801 周天宇, 刘学超, 黄维, 卓世异, 郑燕青, 施尔畏
  Electrical properties and microstructural characterization of Ni/Ta contacts to n-type 6H-SiC
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 126801-126801 [摘要] (147) [HTML 1 KB] [PDF 2134 KB] (324)
117307 张昇, 魏珂, 余乐, 刘果果, 黄森, 王鑫华, 庞磊, 郑英奎, 李艳奎, 马晓华, 孙兵, 刘新宇
  AlGaN/GaN high electron mobility transistorwith Al2O3+BCB passivation
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117307-117307 [摘要] (186) [HTML 1 KB] [PDF 1534 KB] (441)
117308 戴宪起, 王小龙, 李伟, 王天兴
  Electronic properties of the SnSe-metal contacts: First-principles study
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117308-117308 [摘要] (285) [HTML 1 KB] [PDF 1220 KB] (525)
87308 钟红霞, 屈贺如歌, 王洋洋, 史俊杰, 吕劲
  Silicene on substrates: A theoretical perspective
    中国物理B   2015 Vol.24 (8): 87308-087308 [摘要] (287) [HTML 1 KB] [PDF 7810 KB] (445)
127302 韩林超, 申华军, 刘可安, 王弋宇, 汤益丹, 白云, 许恒宇, 吴煜东, 刘新宇
  Annealing temperature influence on the degree of inhomogeneity of the Schottky barrier in Ti/4H–SiC contacts
    中国物理B   2014 Vol.23 (12): 127302-127302 [摘要] (121) [HTML 1 KB] [PDF 461 KB] (395)
107306 邓宁, 庞华, 吴畏
  Effects of different dopants on switching behavior of HfO2-based resistive random access memory
    中国物理B   2014 Vol.23 (10): 107306-107306 [摘要] (115) [HTML 1 KB] [PDF 953 KB] (1938)
66803 代冲冲, 刘学超, 周天宇, 卓世异, 石彪, 施尔畏
  Effects of annealing temperature on the electrical property and microstructure of aluminum contact on n-type 3C-SiC
    中国物理B   2014 Vol.23 (6): 66803-066803 [摘要] (140) [HTML 1 KB] [PDF 717 KB] (279)
107306 马飞, 刘红侠, 樊继斌, 王树龙
  A two-dimensional threshold voltage analytical model for metal-gate/high-k/SiO2/Si stacked MOSFETs
    中国物理B   2012 Vol.21 (10): 107306-107306 [摘要] (621) [HTML 1 KB] [PDF 197 KB] (890)
37304 陈丰平,张玉明,张义门,汤晓燕,王悦湖,陈文豪
 
    中国物理B   2012 Vol.21 (3): 37304-037304 [摘要] (952) [HTML 1 KB] [PDF 301 KB] (1724)
117301 陈丰平, 张玉明, 张义门, 汤晓燕, 王悦湖, 陈文豪
  Edge termination study and fabrication of a 4H–SiC junction barrier Schottky diode
    中国物理B   2011 Vol.20 (11): 117301-117301 [摘要] (1354) [HTML 0 KB] [PDF 413 KB] (2822)
27202 张光沉, 冯士维, 周舟, 李静婉, 郭春生
  Evaluation of thermal resistance constitution for packaged AlGaN/GaN high electron mobility transistors by structure function method
    中国物理B   2011 Vol.20 (2): 27202-027202 [摘要] (1037) [HTML 0 KB] [PDF 1563 KB] (1392)
16102 何进, 刘峰, 周幸叶, 张健, 张立宁
  A continuous analytic channel potential solution to doped symmetric double-gate MOSFETs from the accumulation to the strong-inversion region
    中国物理B   2011 Vol.20 (1): 16102-016102 [摘要] (1146) [HTML 0 KB] [PDF 589 KB] (1302)
117201 徐宁, 王保林, 孙厚谦, 孔凡杰
  Disorder-induced enhancement of conductance in doped nanowires
    中国物理B   2010 Vol.19 (11): 117201-117202 [摘要] (975) [HTML 0 KB] [PDF 839 KB] (554)
107207 M. A. Yeganehx, Sh. Rahmatallahpur, A. Nozad, R. K. Mamedov
  Effect of diode size and series resistance on barrier height and ideality factor in nearly ideal Au/n type-GaAs micro Schottky contact diodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (10): 107207-107207 [摘要] (1258) [HTML 0 KB] [PDF 3060 KB] (1380)
17204 王守国, 张岩, 张义门, 张玉明
  Ohmic contacts of 4H-SiC on ion-implantation layers
    中国物理B   2010 Vol.19 (1): 17204-017204 [摘要] (1055) [HTML 0 KB] [PDF 322 KB] (729)
17307 王良吉, 张书明, 朱继红, 朱建军, 赵德刚, 刘宗顺, 江德生, 王玉田, 杨辉
  Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
    中国物理B   2010 Vol.19 (1): 17307-017307 [摘要] (997) [HTML 0 KB] [PDF 689 KB] (1092)
4470 王阳元, 郭辉, 王悦湖, 张玉明, 乔大勇, 张义门
  Formation of the intermediate semiconductor larger for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation
    中国物理B   2009 Vol.18 (10): 4470-4473 [摘要] (1130) [HTML 0 KB] [PDF 2869 KB] (684)
3490 张林, 张义门, 张玉明, 韩超, 马永吉
  High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact
    中国物理B   2009 Vol.18 (8): 3490-3494 [摘要] (1187) [HTML 0 KB] [PDF 1316 KB] (919)
2707 龙云泽, 尹志华, 惠雯, 陈兆甲, 万梅香
  Rectifying effect of heterojunctions between metals and doped conducting polymer nanostructure pellets
    中国物理B   2008 Vol.17 (7): 2707-2711 [摘要] (984) [HTML 0 KB] [PDF 1696 KB] (859)
2696 杨凌, 马晓华, 冯倩, 郝跃
  Reliability analysis of GaN-based light emitting diodes for solid state illumination
    中国物理B   2008 Vol.17 (7): 2696-2700 [摘要] (1052) [HTML 0 KB] [PDF 3423 KB] (789)
2204 陈鹏, Takamura K
  Magnetic and electrical properties of zincblende CrAs
    中国物理B   2008 Vol.17 (6): 2204-2207 [摘要] (1003) [HTML 0 KB] [PDF 996 KB] (529)
3498 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 郭伟玲, 朱彦旭, 梁庭, 达小丽, 李建军, 沈光地
  AlGaInP thin-film LED with omni-directionally reflector and ITO transparent conducting n-type contact
    中国物理B   2007 Vol.16 (11): 3498-3501 [摘要] (1220) [HTML 0 KB] [PDF 1082 KB] (1188)
2151 张同意, 赵卫, 朱海燕, 朱少岚, 刘雪明
  A full numerical calculation of the Franz--Keldysh effect on magnetoexcitons in a bulk semiconductor
    中国物理B   2006 Vol.15 (9): 2151-2157 [摘要] (874) [HTML 0 KB] [PDF 196 KB] (506)
460 宣凯, 颜晓红, 丁书龙, 杨玉荣, 肖杨, 郭朝辉
  The influence of electronic transport across interface junction between Si substrate and the root of ZnO micro-prism on field emission performance
    中国物理B   2006 Vol.15 (2): 460-465 [摘要] (705) [HTML 0 KB] [PDF 0 KB] (155)
1639 竺士炀, 茹国平, 周嘉, 黄宜平
  I-V-T studies on Ni-silicide/n-Si(100) contacts formed by Ti-Ni-Si solid state reaction
    中国物理B   2005 Vol.14 (8): 1639-1643 [摘要] (778) [HTML 0 KB] [PDF 289 KB] (374)
1114 马丽, 高勇, 王彩琳
  A novel type of ultra fast and ultra soft recovery SiGe/Si heterojunction power diode with an ideal ohmic contact
    中国物理B   2004 Vol.13 (7): 1114-1119 [摘要] (709) [HTML 0 KB] [PDF 296 KB] (400)
1110 汤晓燕, 张义门, 张玉明, 郜锦侠
  Analysis of the effect of sidewall on the performance of 6H-SiC Schottky barrier source/drain NMOSFETs
    中国物理B   2004 Vol.13 (7): 1110-1113 [摘要] (723) [HTML 0 KB] [PDF 190 KB] (335)
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