Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Kp" 的文章:
47304 朱青, 马晓华, 陈怡霖, 侯斌, 祝杰杰, 张濛, 武玫, 杨凌, 郝跃
  Negative bias-induced threshold voltage instability and zener/interface trapping mechanism in GaN-based MIS-HEMTs
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47304-047304 [摘要] (55) [HTML 1 KB] [PDF 753 KB] (90)
27201 耿昕蕾, 夏晓川, 黄火林, 孙仲豪, 张贺秋, 崔兴柱, 梁晓华, 梁红伟
  Simulation of GaN micro-structured neutron detectors for improving electrical properties
    中国物理B   2020 Vol.29 (2): 27201-027201 [摘要] (84) [HTML 1 KB] [PDF 2443 KB] (91)
27301 王中旭, 杜林, 刘俊伟, 王颖, 江芸, 季思蔚, 董士伟, 陈伟伟, 谭骁洪, 李金龙, 李小军, 赵胜雷, 张进成, 郝跃
  Breakdown voltage enhancement in GaN channel and AlGaN channel HEMTs using large gate metal height
    中国物理B   2020 Vol.29 (2): 27301-027301 [摘要] (159) [HTML 1 KB] [PDF 847 KB] (106)
127201 刘青, 蒲红斌, 王曦
  Ultra-high voltage 4H-SiC gate turn-off thyristor forlow switching time
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 127201-127201 [摘要] (90) [HTML 1 KB] [PDF 1162 KB] (77)
107301 葛梅, 蔡青, 张保花, 陈敦军, 胡立群, 薛俊俊, 陆海, 张荣, 郑有炓
  Negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs by traps in unintentionally doped GaN buffer layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107301-107301 [摘要] (87) [HTML 1 KB] [PDF 1005 KB] (133)
67304 包斯琴高娃, 马晓华, 陈伟伟, 杨凌, 侯斌, 朱青, 祝杰杰, 郝跃
  Method of evaluating interface traps in Al2O3/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67304-067304 [摘要] (115) [HTML 1 KB] [PDF 591 KB] (112)
58502 李光, 王林媛, 宋伟东, 姜健, 罗幸君, 郭佳琦, 贺龙飞, 张康, 吴启保, 李述体
  Enhanced performance of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes with linearly graded AlGaN inserting layer in electron blocking layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (5): 58502-058502 [摘要] (184) [HTML 1 KB] [PDF 494 KB] (170)
47302 韩铁成, 赵红东, 彭晓灿
  Short-gate AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with BGaN buffer
    中国物理B   2019 Vol.28 (4): 47302-047302 [摘要] (158) [HTML 1 KB] [PDF 496 KB] (122)
38502 王燕丽, 李培咸, 许晟瑞, 周小伟, 张心禹, 姜思宇, 黄茹雪, 刘洋, 訾亚丽, 吴金星, 郝跃
  Double superlattice structure for improving the performance of ultraviolet light-emitting diodes
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 38502-038502 [摘要] (179) [HTML 1 KB] [PDF 818 KB] (97)
27301 赵胜雷, 王之哲, 陈大正, 王茂俊, 戴扬, 马晓华, 张进成, 郝跃
  1.8-kV circular AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure high electron mobility transistor
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27301-027301 [摘要] (176) [HTML 1 KB] [PDF 507 KB] (137)
27302 吴浩, 段宝兴, 杨珞云, 杨银堂
  Theoretical analytic model for RESURF AlGaN/GaN HEMTs
    中国物理B   2019 Vol.28 (2): 27302-027302 [摘要] (241) [HTML 1 KB] [PDF 504 KB] (137)
18503 王林媛, 宋伟东, 胡文晓, 李光, 罗幸君, 汪虎, 肖稼凯, 郭佳琦, 王幸福, 郝锐, 易翰翔, 吴启保, 李述体
  Efficiency enhancement of ultraviolet light-emitting diodes with segmentally graded p-type AlGaN layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 18503-018503 [摘要] (127) [HTML 1 KB] [PDF 746 KB] (104)
97201 张静, 吕红亮, 倪海桥, 牛智川, 张玉明
  Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97201-097201 [摘要] (200) [HTML 1 KB] [PDF 849 KB] (164)
97203 王一栋, 陈俊
  Modeling capacitance–voltage characteristic of TiW/p-InP Schottky barrier diode
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97203-097203 [摘要] (172) [HTML 1 KB] [PDF 1187 KB] (113)
47101 李金伦, 崔少辉, 徐建星, 崔晓然, 郭春妍, 马奔, 倪海桥, 牛智川
  Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47101-047101 [摘要] (290) [HTML 1 KB] [PDF 1343 KB] (213)
47305 毛维, 王海永, 石朋毫, 王晓飞, 杜鸣, 郑雪峰, 王冲, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Low specific on-resistance GaN-based vertical heterostructure field effect transistors with nonuniform doping superjunctions
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47305-047305 [摘要] (212) [HTML 1 KB] [PDF 1596 KB] (205)
47803 赵斌, 胡巍, 唐先胜, 霍雯雪, 韩丽丽, 赵明龙, 马紫光, 王文新, 贾海强, 陈弘
  Characteristic improvements of thin film AlGaInP red light emitting diodes on a metallic substrate
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47803-047803 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 655 KB] (217)
26802 毕京云, 韩利红, 王倩, 伍力源, 屈贺如歌, 芦鹏飞
  Thermoelectric properties of two-dimensional hexagonal indium-VA
    中国物理B   2018 Vol.27 (2): 26802-026802 [摘要] (174) [HTML 0 KB] [PDF 753 KB] (169)
107301 韩铁成, 赵红东, 杨磊, 王杨
  Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transistor with AlInN back barrier
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 107301-107301 [摘要] (193) [HTML 1 KB] [PDF 349 KB] (512)
98504 李建飞, 吕元杰, 李长富, 冀子武, 庞智勇, 徐现刚, 徐明升
  Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 98504-098504 [摘要] (185) [HTML 0 KB] [PDF 937 KB] (267)
88702 徐建星, 李金伦, 魏思航, 马奔, 张翼, 张宇, 倪海桥, 牛智川
  Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 88702-088702 [摘要] (164) [HTML 1 KB] [PDF 1916 KB] (153)
47305 王辉, 王宁, 蒋苓利, 林新鹏, 赵海月, 于洪宇
  A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor with split floating gates
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47305-047305 [摘要] (266) [HTML 1 KB] [PDF 684 KB] (366)
37305 代盼, 卢建娅, 谭明, 王青松, 吴渊渊, 季莲, 边历峰, 陆书龙, 杨辉
  Transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode in III-V compound solar cell
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 37305-037305 [摘要] (382) [HTML 1 KB] [PDF 327 KB] (480)
18505 韩玺, 向伟, 郝宏玥, 蒋洞微, 孙姚耀, 王国伟, 徐应强, 牛智川
  Very long wavelength infrared focal plane arrays with 50% cutoff wavelength based on type-II InAs/GaSb superlattice
    中国物理B   2017 Vol.26 (1): 18505-018505 [摘要] (283) [HTML 1 KB] [PDF 2253 KB] (507)
127305 毛维, 范举胜, 杜鸣, 张金风, 郑雪峰, 王冲, 马晓华, 张进成, 郝跃
  Analysis of the modulation mechanisms of the electric field and breakdown performance in AlGaN/GaN HEMT with a T-shaped field-plate
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 127305-127305 [摘要] (287) [HTML 1 KB] [PDF 514 KB] (419)
117304 刘芳, 秦志新
  Effects of fluorine-based plasma treatment and thermal annealing on high-Al content AlGaN Schottky contact
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 117304-117304 [摘要] (147) [HTML 1 KB] [PDF 433 KB] (223)
117305 何云龙, 王冲, 宓珉瀚, 郑雪峰, 张濛, 赵梦荻, 张恒爽, 陈立香, 张进成, 马晓华, 郝跃
  Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with oxygen plasma treatment
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 117305-117305 [摘要] (424) [HTML 1 KB] [PDF 1879 KB] (385)
118801 沈艳娇, 陈剑辉, 杨静, 陈兵兵, 陈静伟, 李峰, 代秀红, 刘海旭, 许颖, 麦耀华
  Control of epitaxial growth at a-Si: H/c-Si heterointerface by the working pressure in PECVD
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118801-118801 [摘要] (206) [HTML 1 KB] [PDF 1393 KB] (339)
97202 陈俊, 吕加兵
  Spectral response modeling and analysis of p-n-p In0.53Ga0.47As/InP HPTs
    中国物理B   2016 Vol.25 (9): 97202-097202 [摘要] (260) [HTML 1 KB] [PDF 233 KB] (242)
97307 王文奇, 王禄, 江洋, 马紫光, 孙令, 刘洁, 孙庆灵, 赵斌, 王文新, 刘伍明, 贾海强, 陈弘
  Carrier transport in III-V quantum-dot structures for solar cells or photodetectors
    中国物理B   2016 Vol.25 (9): 97307-097307 [摘要] (319) [HTML 1 KB] [PDF 593 KB] (395)
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