Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Gk" 的文章:
86801 张文婷, 王粉霞, 李玉苗, 郭小星, 杨建红
  Organic field-effect transistor floating-gate memory using polysilicon as charge trapping layer
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 86801-086801 [摘要] (79) [HTML 1 KB] [PDF 850 KB] (54)
77303 王国才, 吴良妹, 严佳浩, 周璋, 马瑞松, 杨海方, 李俊杰, 顾长志, 鲍丽宏, 杜世萱, 高鸿钧
  Intrinsic charge transport behaviors in graphene-black phosphorus van der Waals heterojunction devices
    中国物理B   2018 Vol.27 (7): 77303-077303 [摘要] (128) [HTML 1 KB] [PDF 975 KB] (138)
47403 何格, 魏忠旭, Jérémy Brisbois, 贾艳丽, 黄裕龙, 周花雪, 倪顺利, Alejandro V Silhanek, 单磊, 朱北沂, 袁洁, 董晓莉, 周放, 赵忠贤, 金魁
  Distinction between critical current effects and intrinsic anomalies in the point-contact Andreev reflection spectra of unconventional superconductors
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47403-047403 [摘要] (291) [HTML 1 KB] [PDF 6344 KB] (162)
27304 李传新, 汪萨克, 汪军
  Enhancement of subgap conductance in a graphene superconductor junction by valley polarization
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 27304-027304 [摘要] (160) [HTML 1 KB] [PDF 329 KB] (592)
28503 Javad Vahedi, Sahar Ghasab Satoory
  Spin transfer torque in the semiconductor/ferromagnetic structure in the presence of Rashba effect
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 28503-028503 [摘要] (254) [HTML 1 KB] [PDF 7578 KB] (295)
57307 M Bati, S Sakiroglu, I Sokmen
  Electron transport in electrically biased inverse parabolic double-barrier structure
    中国物理B   2016 Vol.25 (5): 57307-057307 [摘要] (182) [HTML 1 KB] [PDF 476 KB] (243)
107102 马俊杰, 王登京, 黄海林, 汪汝武, 李云宝
  Nano LaAlO3 buffer layer-assisted tunneling current in manganite p-n heterojunction
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 107102-107102 [摘要] (317) [HTML 1 KB] [PDF 371 KB] (213)
27301 王品之, 朱素华, 潘涛, 吴银忠
  Influence of interface within the composite barrier on the tunneling electroresistance of ferroelectric tunnel junctions with symmetric electrodes
    中国物理B   2015 Vol.24 (2): 27301-027301 [摘要] (243) [HTML 0 KB] [PDF 241 KB] (278)
80502 刘念, 罗小光, 章毛连
  Solid-state resonant tunneling thermoelectric refrigeration in the cylindrical double-barrier nanostructure
    中国物理B   2014 Vol.23 (8): 80502-080502 [摘要] (180) [HTML 1 KB] [PDF 513 KB] (265)
57202 王登京, 马俊杰, 王妹, 汪汝武, 李云宝
  Effect of charge order transition on tunneling resistance in Pr0.6Ca0.4MnO3/Nb-doped SrTiO3 heterojunction
    中国物理B   2014 Vol.23 (5): 57202-057202 [摘要] (240) [HTML 1 KB] [PDF 378 KB] (342)
17202 邓伟胤, 朱瑞, 肖运昌, 邓文基
  Resonant tunneling through double-barrier structures on graphene
    中国物理B   2014 Vol.23 (1): 17202-017202 [摘要] (209) [HTML 1 KB] [PDF 1057 KB] (587)
77201 孙立风, 董利民, 吴志芳, 房超
  A comparison of the transport properties of bilayer graphene, monolayer graphene, and two-dimensional electron gas
    中国物理B   2013 Vol.22 (7): 77201-077201 [摘要] (270) [HTML 1 KB] [PDF 376 KB] (606)
47203 孙立风, 董利民, 房超
  Design of electron wave filters in monolayer graphene with velocity modulations
    中国物理B   2013 Vol.22 (4): 47203-047203 [摘要] (249) [HTML 1 KB] [PDF 310 KB] (538)
37304 邹永连, 宋俊涛
  Wave-vector filtering effect of electric–magnetic barrier in HgTe quantum wells
    中国物理B   2013 Vol.22 (3): 37304-037304 [摘要] (397) [HTML 0 KB] [PDF 304 KB] (470)
117203 李冬梅, 袁晓娟, 马嘉赛, 刘德胜
  Injection and transport of electric charge in a metal/copolymer structure
    中国物理B   2011 Vol.20 (11): 117203-117203 [摘要] (770) [HTML 0 KB] [PDF 694 KB] (546)
57303 李云
  Negative tunnelling magnetoresistance in spin filtering magnetic junctions with spin–orbit coupling
    中国物理B   2011 Vol.20 (5): 57303-057303 [摘要] (933) [HTML 0 KB] [PDF 338 KB] (1189)
40304 杨涛, 翟智远, 潘孝胤
  Exact propagator for an electron in a quadratic saddle-point potential and a magnetic field
    中国物理B   2011 Vol.20 (4): 40304-040304 [摘要] (913) [HTML 0 KB] [PDF 208 KB] (536)
27305 栾苏珍, 刘红侠
  Erratum to "Quantum compact model for thin-body double-gate Schottky barrier MOSFETs"
    中国物理B   2011 Vol.20 (2): 27305-027305 [摘要] (1020) [HTML 0 KB] [PDF 73 KB] (444)
117301 陈勇, 龚树萍, 傅邱云, 郑志平, 黄日明, 苏鹏
  Preparation and study on performance of submicron nickel powder for multilayer chip positive temperature coefficient resistance
    中国物理B   2010 Vol.19 (11): 117301-117302 [摘要] (816) [HTML 1 KB] [PDF 1553 KB] (834)
117302 解研, 段素青, 楚卫东, 杨宁
  Coherent spectroscopy of a strongly driven triple quantum dot molecule
    中国物理B   2010 Vol.19 (11): 117302-117304 [摘要] (1048) [HTML 0 KB] [PDF 2430 KB] (700)
117303 冀子武, 郑雨军, 徐现刚
  Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells
    中国物理B   2010 Vol.19 (11): 117303-117305 [摘要] (920) [HTML 0 KB] [PDF 524 KB] (550)
107202 钟光辉, 王立民
  Coherence destruction of tunneling in a quantum-dot molecule with bias
    中国物理B   2010 Vol.19 (10): 107202-107202 [摘要] (926) [HTML 0 KB] [PDF 603 KB] (591)
87301 杨芳, 金奎娟, 黄延红, 何萌, 吕惠宾, 杨国桢
  The Sr content influence on the positive magnetoresistance in La1-xSrxMnO3/Si heterojunctions
    中国物理B   2010 Vol.19 (8): 87301-087301 [摘要] (1374) [HTML 0 KB] [PDF 349 KB] (695)
67803 黄金昭, 李世帅, 冯秀鹏, 王培吉, 张仲
  Confirmation on origin of primary electron in solid state cathodoluminescence
    中国物理B   2010 Vol.19 (6): 67803-067803 [摘要] (1220) [HTML 0 KB] [PDF 106 KB] (543)
50519 欧阳仕华, 林志恒, 游建强
  Shot noise in electron transport through a double quantum dot: a master equation approach
    中国物理B   2010 Vol.19 (5): 50519-050519 [摘要] (859) [HTML 0 KB] [PDF 572 KB] (871)
30308 王海霞, 殷雯, 王芳卫
  Measurements of a periodically driving qubit using a quantum point contact
    中国物理B   2010 Vol.19 (3): 30308-030308 [摘要] (1356) [HTML 0 KB] [PDF 247 KB] (519)
27302 阎维贤, 赵亚平, 温玉兵, 李秀平, 许丽萍, 宫建平
  Tunneling current of the Coulomb-coupled quantum dots embedded in n-n junction
    中国物理B   2010 Vol.19 (2): 27302-027302 [摘要] (1234) [HTML 0 KB] [PDF 1016 KB] (915)
5029 李菲, 张小玲, 段毅, 谢雪松, 吕长志
  High-temperature current conduction through three kinds of Schottky diodes
    中国物理B   2009 Vol.18 (11): 5029-5033 [摘要] (1189) [HTML 0 KB] [PDF 712 KB] (657)
2975 张礼智, 王正川
  Analytical solution of the Boltzmann--Poisson equation and its application to MIS tunneling junctions
    中国物理B   2009 Vol.18 (7): 2975-2980 [摘要] (1040) [HTML 0 KB] [PDF 208 KB] (537)
1674 李贵君, 侯国付, 韩晓艳, 袁育洁, 魏长春, 孙建, 赵颖, 耿新华
  The study of a new n/p tunnel recombination junction and its application in a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells
    中国物理B   2009 Vol.18 (4): 1674-1678 [摘要] (1078) [HTML 1 KB] [PDF 185 KB] (866)
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