Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.Cg" 的文章:
118501 M Micjan, M Novota, P Telek, M Donoval, M Weis
  Hunting down the ohmic contact of organic field-effect transistor
    中国物理B   2019 Vol.28 (11): 118501-118501 [摘要] (56) [HTML 1 KB] [PDF 579 KB] (35)
108201 徐国军, 金晨鑫, 孔凯捷, 杨西西, 岳之浩, 李晓敏, 孙福根, 黄海宾, 周浪
  Performance of n-type silicon/silver composite anode material in lithium ion batteries: A study on effect of work function matching degree
    中国物理B   2018 Vol.27 (10): 108201-108201 [摘要] (133) [HTML 1 KB] [PDF 1979 KB] (61)
77303 王国才, 吴良妹, 严佳浩, 周璋, 马瑞松, 杨海方, 李俊杰, 顾长志, 鲍丽宏, 杜世萱, 高鸿钧
  Intrinsic charge transport behaviors in graphene-black phosphorus van der Waals heterojunction devices
    中国物理B   2018 Vol.27 (7): 77303-077303 [摘要] (123) [HTML 1 KB] [PDF 975 KB] (111)
18803 高守帅, 姜振武, 武莉, 敖建平, 曾玉, 孙云, 张毅
  Interfaces of high-efficiency kesterite Cu2ZnSnS(e)4 thin film solar cells
    中国物理B   2018 Vol.27 (1): 18803-018803 [摘要] (352) [HTML 1 KB] [PDF 6884 KB] (627)
97104 刘艳, 林兆军, 吕元杰, 崔鹏, 付晨, 韩瑞龙, 霍宇, 杨铭
  Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 97104-097104 [摘要] (148) [HTML 0 KB] [PDF 409 KB] (177)
37305 代盼, 卢建娅, 谭明, 王青松, 吴渊渊, 季莲, 边历峰, 陆书龙, 杨辉
  Transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode in III-V compound solar cell
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 37305-037305 [摘要] (358) [HTML 1 KB] [PDF 327 KB] (443)
78110 向锋, 李碧渊, 黎应芬, 周健, 甘卫平
  Preparation of silver-coated glass frit and its application in silicon solar cells
    中国物理B   2016 Vol.25 (7): 78110-078110 [摘要] (191) [HTML 1 KB] [PDF 2001 KB] (1006)
57306 武辰飞, 陈允峰, 陆海, 黄晓明, 任芳芳, 陈敦军, 张荣, 郑有炓
  Contact resistance asymmetry of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors by scanning Kelvin probe microscopy
    中国物理B   2016 Vol.25 (5): 57306-057306 [摘要] (234) [HTML 1 KB] [PDF 654 KB] (473)
117304 韩超, 张玉明, 宋庆文, 汤晓燕, 张义门, 郭辉, 王悦湖
  Low specific contact resistance on epitaxial p-type 4H-SiC with a step-bunching surface
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117304-117304 [摘要] (223) [HTML 1 KB] [PDF 2545 KB] (303)
107303 程越, 赵高杰, 刘益宏, 孙玉俊, 王涛, 陈之战
  Effect of the annealing temperature on the long-term thermal stability of Pt/Si/Ta/Ti/4H-SiC contacts
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 107303-107303 [摘要] (308) [HTML 1 KB] [PDF 1149 KB] (314)
47203 Muhammad Ammar Khan, 孙久勋
  Improvement of mobility edge model by using new density of states with exponential tail for organic diode
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 47203-047203 [摘要] (320) [HTML 0 KB] [PDF 364 KB] (422)
57303 张永平, 陈之战, 卢吴越, 谈嘉慧, 程越, 石旺舟
  Effect of additional silicon on titanium/4H-SiC contacts properties
    中国物理B   2014 Vol.23 (5): 57303-057303 [摘要] (127) [HTML 1 KB] [PDF 1338 KB] (318)
38505 李海强, 于军胜, 黄伟, 施薇, 黄江
  High performance pentacene organic field-effect transistors consisting of biocompatible PMMA/silk fibroin bilayer dielectric
    中国物理B   2014 Vol.23 (3): 38505-038505 [摘要] (444) [HTML 1 KB] [PDF 492 KB] (62349)
124203 吴坚, 崔怀洋, 黄梦, 马明磊
  Control of gain and thermal carrier loss profiles for mode optimization in 980-nm broad-area vertical-cavity surface-emitting lasers
    中国物理B   2013 Vol.22 (12): 124203-124203 [摘要] (98) [HTML 1 KB] [PDF 701 KB] (329)
67202 尚大山, 孙继荣, 沈保根, Wuttig Matthias
  Resistance switching in oxides with inhomogeneous conductivity
    中国物理B   2013 Vol.22 (6): 67202-067202 [摘要] (481) [HTML 1 KB] [PDF 4383 KB] (1177)
127201 郭伟玲, 闫薇薇, 朱彦旭, 刘建朋, 丁艳, 崔德胜, 吴国庆
  Analysis on electrical characteristics of high-voltage GaN-based light-emitting diodes
    中国物理B   2012 Vol.21 (12): 127201-127201 [摘要] (628) [HTML 1 KB] [PDF 462 KB] (3012)
117307 于欣格, 于军胜, 黄伟, 曾红娟
  Enhanced charge carrier injection in heterojunction organic field-effect transistor by inserting an MoO3 buffer layer
    中国物理B   2012 Vol.21 (11): 117307-117307 [摘要] (623) [HTML 1 KB] [PDF 410 KB] (643)
104207 黄梦, 吴坚, 崔怀洋, 钱建强, 宁永强
  Modeling of resistance characteristics of a continuously-graded distributed Bragg reflector in a 980-nm vertical-cavity surface-emitting laser
    中国物理B   2012 Vol.21 (10): 104207-104207 [摘要] (656) [HTML 1 KB] [PDF 616 KB] (878)
96801 常少辉, 刘学超, 黄维, 熊泽, 杨建华, 施尔畏
  Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature annealing
    中国物理B   2012 Vol.21 (9): 96801-096801 [摘要] (719) [HTML 1 KB] [PDF 7350 KB] (1082)
17103 曹芝芳, 林兆军, 吕元杰, 栾崇彪, 于英霞, 陈弘, 王占国
  Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
    中国物理B   2012 Vol.21 (1): 17103-017103 [摘要] (920) [HTML 1 KB] [PDF 247 KB] (1094)
127303 陈跃宁, 徐征, 赵谡玲, 尹飞飞, 张成文, 焦碧媛, 董宇航
  Research on the electrical characteristics of an organic thin-film field-effect transistor based on alternating-current resistance
    中国物理B   2011 Vol.20 (12): 127303-127303 [摘要] (872) [HTML 1 KB] [PDF 430 KB] (584)
87306 王宏, 姬濯宇, 商立伟, 刘兴华, 彭应全, 刘明
  Top contact organic field effect transistors fabricated using a photolithographic process
    中国物理B   2011 Vol.20 (8): 87306-087306 [摘要] (958) [HTML 0 KB] [PDF 873 KB] (878)
46101 李涛, 秦志新, 许正昱, 沈波, 张国义
  Structural characterization of V/Al/V/Au Ohmic contacts to n-type Al0.4Ga0.6N
    中国物理B   2011 Vol.20 (4): 46101-046101 [摘要] (994) [HTML 0 KB] [PDF 1911 KB] (988)
47205 黄俊毅, 范广涵, 郑树文, 牛巧利, 李述体, 曹健兴, 苏军, 章勇
  Improvement of the light output and contact resistance of InGaN-based light-emitting diodes based on tantalum-doped indium tin oxide as p-type electrodes
    中国物理B   2010 Vol.19 (4): 47205-047205 [摘要] (1090) [HTML 0 KB] [PDF 459 KB] (1653)
17204 王守国, 张岩, 张义门, 张玉明
  Ohmic contacts of 4H-SiC on ion-implantation layers
    中国物理B   2010 Vol.19 (1): 17204-017204 [摘要] (1050) [HTML 0 KB] [PDF 322 KB] (714)
4470 王阳元, 郭辉, 王悦湖, 张玉明, 乔大勇, 张义门
  Formation of the intermediate semiconductor larger for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation
    中国物理B   2009 Vol.18 (10): 4470-4473 [摘要] (1127) [HTML 0 KB] [PDF 2869 KB] (679)
3490 张林, 张义门, 张玉明, 韩超, 马永吉
  High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact
    中国物理B   2009 Vol.18 (8): 3490-3494 [摘要] (1156) [HTML 0 KB] [PDF 1316 KB] (907)
3530 刘舸, 刘明, 王宏, 商立伟, 姬濯宇, 刘兴华, 柳江
  Study of top and bottom contact resistance in one organic field-effect transistor
    中国物理B   2009 Vol.18 (8): 3530-3534 [摘要] (1190) [HTML 0 KB] [PDF 1752 KB] (901)
1753 郭辉, 张义门, 乔大勇, 孙磊, 张玉明
  The fabrication of nickel silicide ohmic contacts to n-type 6H-silicon carbide
    中国物理B   2007 Vol.16 (6): 1753-1756 [摘要] (907) [HTML 0 KB] [PDF 925 KB] (856)
1434 李宗良, 邹斌, 闫循旺, 王传奎
  Charge transfer and variation of potential distributions in the formation of 4, 4'-bipyridine molecular junction
    中国物理B   2007 Vol.16 (5): 1434-1439 [摘要] (778) [HTML 0 KB] [PDF 491 KB] (414)
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