Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.40.-c" 的文章:
38104 马刘红, 韩伟华, 杨富华
  Coulomb blockade and hopping transport behaviors of donor-induced quantum dots in junctionless transistors
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 38104-038104 [摘要] (49) [HTML 1 KB] [PDF 2676 KB] (44)
117201 王拴虎, 李刚, 王建元, 田颖异, 张洪瑞, 邹吕宽, 孙继荣, 金克新
  Spin Seebeck effect and spin Hall magnetoresistance in the Pt/Y3Fe5O12 heterostructure under laser-heating
    中国物理B   2018 Vol.27 (11): 117201-117201 [摘要] (118) [HTML 1 KB] [PDF 831 KB] (196)
117804 闫虹, 张兆亭, 王拴虎, 金克新
  Review of photoresponsive properties at SrTiO3-based heterointerfaces
    中国物理B   2018 Vol.27 (11): 117804-117804 [摘要] (118) [HTML 1 KB] [PDF 6583 KB] (281)
88106 马刘红, 韩伟华, 赵晓松, 郭仰岩, 窦亚梅, 杨富华
  Influence of dopant concentration on electrical quantum transport behaviors in junctionless nanowire transistors
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 88106-088106 [摘要] (168) [HTML 0 KB] [PDF 2083 KB] (92)
47301 洪彦鹏, 王欣欣, 曲国良, 厉承剑, 薛红霞, 刘科践, 李永春, 熊昌民, 窦瑞芬, 何林, 聂家财
  Conductivity and band alignment of LaCrO3/SrTiO3 (111) heterostructure
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47301-047301 [摘要] (269) [HTML 1 KB] [PDF 830 KB] (144)
127102 包乌吉斯古楞, 萨初荣贵, 仇方圆
  Band offsets engineering at CdxZn1-xS/Cu2ZnSnS4 heterointerface
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 127102-127102 [摘要] (210) [HTML 1 KB] [PDF 397 KB] (219)
117402 庞远, 王骏华, 吕昭征, 杨光, 樊洁, 刘广同, 姬忠庆, 景秀年, 杨昌黎, 吕力
  Spatially resolved gap closing in single Josephson junctions constructed on Bi2Te3 surface
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 117402-117402 [摘要] (354) [HTML 1 KB] [PDF 1626 KB] (328)
78103 毛达诚, 金智, 王少青, 张大勇, 史敬元, 彭松昂, 王选芸
  Depositing aluminum as sacrificial metal to reduce metal-graphene contact resistance
    中国物理B   2016 Vol.25 (7): 78103-078103 [摘要] (209) [HTML 1 KB] [PDF 1257 KB] (288)
68103 马刘红, 韩伟华, 王昊, 吕奇峰, 张望, 杨香, 杨富华
  Electronic transport properties of silicon junctionless nanowire transistors fabricated by femtosecond laser direct writing
    中国物理B   2016 Vol.25 (6): 68103-068103 [摘要] (215) [HTML 1 KB] [PDF 1793 KB] (261)
37301 郑翌洁, 宋俊涛, 李玉现
  Suppression of Andreev conductance in a topological insulator-superconductor nanostep junction
    中国物理B   2016 Vol.25 (3): 37301-037301 [摘要] (209) [HTML 0 KB] [PDF 370 KB] (238)
37306 宋庆文, 汤晓燕, 何艳静, 唐冠男, 王悦湖, 张艺蒙, 郭辉, 贾仁需, 吕红亮, 张义门, 张玉明
  Fabrication and characterization of the normally-off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    中国物理B   2016 Vol.25 (3): 37306-037306 [摘要] (247) [HTML 0 KB] [PDF 923 KB] (340)
128101 马刘红, 韩伟华, 王昊, 杨香, 杨富华
  Charge trapping in surface accumulation layer of heavily doped junctionless nanowire transistors
    中国物理B   2015 Vol.24 (12): 128101-128101 [摘要] (289) [HTML 1 KB] [PDF 1597 KB] (351)
110702 刘灿华, 贾金锋
  In situ electrical transport measurement of superconductive ultrathin films
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 110702-110702 [摘要] (520) [HTML 1 KB] [PDF 2896 KB] (715)
117303 王锦华, 全军
  Dynamic responses of series parallel-plate mesoscopic capacitors to time-dependent external voltage
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117303-117303 [摘要] (164) [HTML 1 KB] [PDF 290 KB] (210)
67301 何晓光, 赵德刚, 江德生
  Formation of two-dimensional electron gas at AlGaN/GaN heterostructure and the derivation of its sheet density expression
    中国物理B   2015 Vol.24 (6): 67301-067301 [摘要] (355) [HTML 1 KB] [PDF 473 KB] (2015)
67302 关童, Benedikt Friess, 李永庆, 颜世申, Vladimir Umansky, Klaus von Klitzing, Jurgen H. Smet
  Disorder-enhanced nuclear spin relaxationat Landau level filling factor one
    中国物理B   2015 Vol.24 (6): 67302-067302 [摘要] (208) [HTML 1 KB] [PDF 336 KB] (256)
57303 倪毅强, 贺致远, 姚尧, 杨帆, 周德秋, 周桂林, 沈震, 钟健, 郑越, 张佰君, 刘扬
  Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors grown on Si substrate
    中国物理B   2015 Vol.24 (5): 57303-057303 [摘要] (231) [HTML 1 KB] [PDF 614 KB] (341)
47203 Muhammad Ammar Khan, 孙久勋
  Improvement of mobility edge model by using new density of states with exponential tail for organic diode
    中国物理B   2015 Vol.24 (4): 47203-047203 [摘要] (332) [HTML 0 KB] [PDF 364 KB] (430)
37201 曹亚鹏, 胡煜峰, 李剑焘, 叶海航, 吕龙锋, 宁宇, 鲁启鹏, 唐爱伟, 娄志东, 侯延冰, 滕枫
  Electrical bistable devices using composites of zinc sulfide nanoparticles and poly-(N-vinylcarbazole)
    中国物理B   2015 Vol.24 (3): 37201-037201 [摘要] (173) [HTML 0 KB] [PDF 557 KB] (336)
17701 张润兰, 陈长乐, 张云婕, 邢辉, 董祥雷, 金克新
  Ferroelectricity in hexagonal YFeO3 film at room temperature
    中国物理B   2015 Vol.24 (1): 17701-017701 [摘要] (168) [HTML 0 KB] [PDF 551 KB] (530)
87304 张婷, 殷江, 赵高峰, 张伟风, 夏奕东, 刘治国
  Bipolar resistance switching in the fully transparent BaSnO3-based memory device
    中国物理B   2014 Vol.23 (8): 87304-087304 [摘要] (127) [HTML 1 KB] [PDF 2175 KB] (757)
87811 肖志慧, 吴晓明, 华玉林, 毕文涛, 王丽, 张欣, 辛利文, 印寿根
  Effect of NaCl doped into Bphen layer on the performance of tandem organic light-emitting diodes
    中国物理B   2014 Vol.23 (8): 87811-087811 [摘要] (147) [HTML 1 KB] [PDF 456 KB] (281)
37302 温慧娟, 张进成, 陆小力, 王之哲, 哈微, 葛莎莎, 曹荣涛, 郝跃
  Improved mobility of AlGaN channel heterojunction material using an AlGaN/GaN composite buffer layer
    中国物理B   2014 Vol.23 (3): 37302-037302 [摘要] (150) [HTML 1 KB] [PDF 878 KB] (440)
127301 谢燕武, Hwang Harold Y
  Tuning the electrons at the LaAlO3/SrTiO3 interface:From growth to beyond growth
    中国物理B   2013 Vol.22 (12): 127301-127301 [摘要] (454) [HTML 1 KB] [PDF 1831 KB] (1826)
97306 李晓光, 张谷丰, 武光芬, 陈铧, 张振宇
  Proximity effects in topological insulator heterostructures
    中国物理B   2013 Vol.22 (9): 97306-097306 [摘要] (311) [HTML 1 KB] [PDF 1308 KB] (809)
77304 全军, 肖世发, 田英
  Contact effect in the dynamic electron transport of two-probe mesoscopic conductor
    中国物理B   2013 Vol.22 (7): 77304-077304 [摘要] (195) [HTML 1 KB] [PDF 304 KB] (322)
57106 张杨, 张雨溦, 王成艳, 关敏, 崔利杰, 李弋洋, 王宝强, 朱战平, 曾一平
  High sensitivity Hall devices with AlSb/InAs quantum well structures
    中国物理B   2013 Vol.22 (5): 57106-057106 [摘要] (341) [HTML 1 KB] [PDF 302 KB] (395)
27302 宋庆文, 张玉明, 韩吉胜, Philip Tanner, Sima Dimitrijev, 张义门, 汤晓燕, 郭辉
  The fabrication and characterization of 4H SiC power UMOSFETs
    中国物理B   2013 Vol.22 (2): 27302-027302 [摘要] (481) [HTML 1 KB] [PDF 441 KB] (1444)
128502 M. Gökcen, M. Yildirim
  Investigation of inhomogeneous barrier height of Au/Bi4Ti3O12/n-Si structure through Gaussian distribution of barrier height
    中国物理B   2012 Vol.21 (12): 128502-128502 [摘要] (544) [HTML 1 KB] [PDF 534 KB] (472)
107304 张婷, 白莹, 贾彩虹, 张伟风
  Interface-related switching behaviors of amorphous Pr0.67Sr0.33MnO3-based memory cells
    中国物理B   2012 Vol.21 (10): 107304-107304 [摘要] (613) [HTML 1 KB] [PDF 1372 KB] (618)
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