Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "73.21.Fg" 的文章:
47303 郭娇欣, 丁杰, 莫春兰, 郑畅达, 潘拴, 江风益
  Effect of AlGaN interlayer on luminous efficiency and reliability of GaN-based green LEDs on silicon substrate
    中国物理B   2020 Vol.29 (4): 47303-047303 [摘要] (41) [HTML 1 KB] [PDF 1344 KB] (39)
34206 陈平, 赵德刚, 江德生, 杨静, 朱建军, 刘宗顺, 刘炜, 梁锋, 刘双韬, 邢瑶, 张立群
  Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electroluminescence spectra shift
    中国物理B   2020 Vol.29 (3): 34206-034206 [摘要] (39) [HTML 1 KB] [PDF 705 KB] (50)
17301 王一夫, Mussaab I Niass, 王芳, 刘玉怀
  Improvement of radiative recombination rate in deep ultraviolet laser diodes with step-like quantum barrier and aluminum-content graded electron blocking layer
    中国物理B   2020 Vol.29 (1): 17301-017301 [摘要] (68) [HTML 1 KB] [PDF 723 KB] (60)
124207 H Noverola-Gamas, L M Gaggero-Sager, O Oubram
  Interlayer distance effects on absorption coefficient and refraction index change in p-type double-δ-doped GaAs quantum wells
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 124207-124207 [摘要] (53) [HTML 1 KB] [PDF 506 KB] (81)
107302 吴晓光
  Optical response of an inverted InAs/GaSb quantum well in an in-plane magnetic field
    中国物理B   2019 Vol.28 (10): 107302-107302 [摘要] (70) [HTML 1 KB] [PDF 4387 KB] (53)
67305 张天然, 方芳, 王小兰, 张建立, 吴小明, 潘栓, 刘军林, 江风益
  Aging mechanism of GaN-based yellow LEDs with V-pits
    中国物理B   2019 Vol.28 (6): 67305-067305 [摘要] (99) [HTML 1 KB] [PDF 1504 KB] (85)
97104 李阳锋, 江洋, 迭俊珲, 王彩玮, 严珅, 吴海燕, 马紫光, 王禄, 贾海强, 王文新, 陈弘
  Visualizing light-to-electricity conversion process in InGaN/GaN multi-quantum wells with a p-n junction
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97104-097104 [摘要] (184) [HTML 1 KB] [PDF 666 KB] (107)
37804 杨景景, 方庆清, 杜文汉, 董大舜
  High mobility ultrathin ZnO p-n homojunction modulated by Zn0.85Mg0.15O quantum barriers
    中国物理B   2018 Vol.27 (3): 37804-037804 [摘要] (122) [HTML 1 KB] [PDF 1060 KB] (133)
27103 马淑芳, 屈媛, 班士良
  Intersubband optical absorption of electrons in double parabolic quantum wells of AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs
    中国物理B   2018 Vol.27 (2): 27103-027103 [摘要] (125) [HTML 0 KB] [PDF 560 KB] (203)
27801 王光辉, 张金珂
  Optimizing effective phase modulation in coupled double quantum well Mach-Zehnder modulators
    中国物理B   2018 Vol.27 (2): 27801-027801 [摘要] (116) [HTML 0 KB] [PDF 324 KB] (132)
17302 郑卫民, 丛伟艳, 李素梅, 王爱芳, 李斌, 黄海北
  Raman spectrum study of δ -doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells
    中国物理B   2018 Vol.27 (1): 17302-017302 [摘要] (175) [HTML 1 KB] [PDF 642 KB] (137)
87311 李阳锋, 江洋, 迭俊珲, 王彩玮, 严珅, 马紫光, 吴海燕, 王禄, 贾海强, 王文新, 陈弘
  Improvement of green InGaN-based LEDs efficiency using a novel quantum well structure
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87311-087311 [摘要] (349) [HTML 1 KB] [PDF 1381 KB] (275)
77101 杨静, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 李翔, 刘炜, 梁锋, 张立群, 杨辉, 王文杰, 李沫
  Physical implications of activation energy derived from temperature dependent photoluminescence of InGaN-based materials
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77101-077101 [摘要] (166) [HTML 1 KB] [PDF 295 KB] (371)
47302 郑卫民, 李素梅, 丛伟艳, 王爱芳, 李斌, 黄海北
  Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 47302-047302 [摘要] (202) [HTML 1 KB] [PDF 304 KB] (226)
97105 赵凤岐, 张敏, 白金花
  Effects of electron-optical phonon interactions on the polaron energy in a wurtzite ZnO/MxZn1-xO quantum well
    中国物理B   2015 Vol.24 (9): 97105-097105 [摘要] (247) [HTML 1 KB] [PDF 396 KB] (224)
97301 吴晓光, 庞蜜
  Landau level transitions in InAs/AlSb/GaSb quantum wells
    中国物理B   2015 Vol.24 (9): 97301-097301 [摘要] (437) [HTML 1 KB] [PDF 2750 KB] (298)
97304 Hassen Dakhlaoui
  Intersubband transitions in InxAl(1-x)N/InyGa(1-y)Nquantum well operating at 1.55 μm
    中国物理B   2014 Vol.23 (9): 97304-097304 [摘要] (99) [HTML 1 KB] [PDF 259 KB] (371)
77104 Ö L Ünsal, B Gönül, M Temiz
  A theoretical investigation of the band alignment of type-I direct band gap dilute nitride phosphide alloy of GaNxAsyP1-x-y/GaP quantum wells on GaP substrates
    中国物理B   2014 Vol.23 (7): 77104-077104 [摘要] (107) [HTML 1 KB] [PDF 259 KB] (336)
27304 章杰, 俞金玲, 程树英, 赖云锋, 陈涌海
  Investigation of the mode splitting induced by electro-optic birefringence in a vertical-cavity surface-emitting laser by polarized electroluminescence
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 27304-027304 [摘要] (188) [HTML 1 KB] [PDF 250 KB] (374)
117306 谭仁兵, 秦华, 张晓渝, 徐文
  Electric field driven plasmon dispersion in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    中国物理B   2013 Vol.22 (11): 117306-117306 [摘要] (225) [HTML 1 KB] [PDF 342 KB] (891)
77305 王建霞, 杨少延, 王俊, 刘贵鹏, 李志伟, 李辉杰, 金东东, 刘祥林, 朱勤生, 王占国
  Electron mobility limited by surface and interface roughness scatterings in AlxGa1-xN/GaN quantum wells
    中国物理B   2013 Vol.22 (7): 77305-077305 [摘要] (274) [HTML 1 KB] [PDF 419 KB] (531)
67305 何珂, 马旭村, 陈曦, 吕力, 王亚愚, 薛其坤
  From magnetically doped topological insulator to the quantum anomalous Hall effect
    中国物理B   2013 Vol.22 (6): 67305-067305 [摘要] (384) [HTML 1 KB] [PDF 2635 KB] (789)
57302 田武, 鄢伟一, 熊晖, 戴江南, 方妍妍, 吴志浩, 余晨辉, 陈长清
  Effects of polarization on intersubband transitions of AlxGa1-xN/GaN multi-quantum wells
    中国物理B   2013 Vol.22 (5): 57302-057302 [摘要] (191) [HTML 1 KB] [PDF 396 KB] (588)
17102 郝亚非
  Spin–orbit interaction in coupled quantum wells
    中国物理B   2013 Vol.22 (1): 17102-017102 [摘要] (414) [HTML 0 KB] [PDF 266 KB] (557)
107103 赵凤岐, 咏梅
  Built-in electric field effect on cyclotron mass of magnetopolarons in a wurtzite InxGa1-xN/GaN quantum well
    中国物理B   2012 Vol.21 (10): 107103-107103 [摘要] (605) [HTML 1 KB] [PDF 203 KB] (418)
107305 谷承艳, 刘贵鹏, 时凯, 宋亚峰, 李成明, 刘祥林, 杨少延, 朱勤生, 王占国
  Spacer layer thickness fluctuation scattering in a modulation-doped AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs quantum well
    中国物理B   2012 Vol.21 (10): 107305-107305 [摘要] (585) [HTML 1 KB] [PDF 137 KB] (499)
97301 朱俊, 班士良, 哈斯花
  Phonon-assisted intersubband transitions in wurtzite GaN/InxGa1-xN quantum wells
    中国物理B   2012 Vol.21 (9): 97301-097301 [摘要] (817) [HTML 1 KB] [PDF 175 KB] (546)
87302 A. John Peter, Chang Woo Lee
  Electronic and optical properties of CdS/CdZnS nanocrystals
    中国物理B   2012 Vol.21 (8): 87302-087302 [摘要] (1174) [HTML 1 KB] [PDF 2064 KB] (2836)
77301 汪明, 谷永先, 季海铭, 杨涛, 王占国
  Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 μm using the eight-band model
    中国物理B   2011 Vol.20 (7): 77301-077301 [摘要] (896) [HTML 0 KB] [PDF 1146 KB] (710)
30507 迂修, 谷永先, 王青, 韦欣, 陈良惠
  Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k·p model
    中国物理B   2011 Vol.20 (3): 30507-030507 [摘要] (1044) [HTML 0 KB] [PDF 272 KB] (649)
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