Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "71.55.Eq" 的文章:
57102 余丁, 沈桂英, 谢辉, 刘京明, 孙静, 赵有文
  Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal
    中国物理B   2019 Vol.28 (5): 57102-057102 [摘要] (82) [HTML 1 KB] [PDF 456 KB] (64)
97104 李阳锋, 江洋, 迭俊珲, 王彩玮, 严珅, 吴海燕, 马紫光, 王禄, 贾海强, 王文新, 陈弘
  Visualizing light-to-electricity conversion process in InGaN/GaN multi-quantum wells with a p-n junction
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 97104-097104 [摘要] (176) [HTML 1 KB] [PDF 666 KB] (103)
27103 马淑芳, 屈媛, 班士良
  Intersubband optical absorption of electrons in double parabolic quantum wells of AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs
    中国物理B   2018 Vol.27 (2): 27103-027103 [摘要] (121) [HTML 0 KB] [PDF 560 KB] (199)
17302 郑卫民, 丛伟艳, 李素梅, 王爱芳, 李斌, 黄海北
  Raman spectrum study of δ -doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells
    中国物理B   2018 Vol.27 (1): 17302-017302 [摘要] (162) [HTML 1 KB] [PDF 642 KB] (132)
127102 崔鹏, 林兆军, 付晨, 刘艳, 吕元杰
  Effects of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
    中国物理B   2017 Vol.26 (12): 127102-127102 [摘要] (153) [HTML 0 KB] [PDF 495 KB] (126)
116801 薛俊俊, 蔡青, 张保花, 葛梅, 陈敦军, 智婷, 陈将伟, 汪联辉, 张荣, 郑有炓
  Structural characterization of indium-rich nanoprecipitate in InGaN V-pits formed by annealing
    中国物理B   2017 Vol.26 (11): 116801-116801 [摘要] (182) [HTML 1 KB] [PDF 2165 KB] (147)
100201 龚姣丽, 刘劲松, 张曼, 褚政, 杨振刚, 王可嘉, 姚建铨
  Linear and nonlinear characteristics of time-resolved photoluminescence modulation by terahertz pulse
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 100201-100201 [摘要] (494) [HTML 1 KB] [PDF 422 KB] (442)
107102 刘双韬, 赵德刚, 杨静, 江德生, 梁锋, 陈平, 朱建军, 刘宗顺, 李翔, 刘炜, 邢瑶, 张立群
  The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 107102-107102 [摘要] (128) [HTML 1 KB] [PDF 368 KB] (180)
97104 刘艳, 林兆军, 吕元杰, 崔鹏, 付晨, 韩瑞龙, 霍宇, 杨铭
  Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 97104-097104 [摘要] (147) [HTML 0 KB] [PDF 409 KB] (177)
77101 杨静, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 李翔, 刘炜, 梁锋, 张立群, 杨辉, 王文杰, 李沫
  Physical implications of activation energy derived from temperature dependent photoluminescence of InGaN-based materials
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77101-077101 [摘要] (151) [HTML 1 KB] [PDF 295 KB] (344)
27105 雷勇, 苏静, 吴红艳, 杨翠红, 饶伟锋
  On the reverse leakage current of Schottky contacts on free-standing GaN at high reverse biases
    中国物理B   2017 Vol.26 (2): 27105-027105 [摘要] (188) [HTML 1 KB] [PDF 306 KB] (311)
117102 李强, 李虞锋, 张敏妍, 丁文, 云峰
  Current spreading in GaN-based light-emitting diodes
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 117102-117102 [摘要] (200) [HTML 1 KB] [PDF 1077 KB] (445)
100203 龚姣丽, 刘劲松, 褚政, 杨振刚, 王可嘉, 姚建铨
  Nonlinear radiation response of n-doped indium antimonide and indium arsenide in intense terahertz field
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 100203-100203 [摘要] (218) [HTML 1 KB] [PDF 1553 KB] (240)
107106 王元刚, 冯志红, 吕元杰, 谭鑫, 敦少博, 房玉龙, 蔡树军
  Modified model of gate leakage currents in AlGaN/GaN HEMTs
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 107106-107106 [摘要] (179) [HTML 1 KB] [PDF 369 KB] (250)
47302 郑卫民, 李素梅, 丛伟艳, 王爱芳, 李斌, 黄海北
  Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 47302-047302 [摘要] (194) [HTML 1 KB] [PDF 304 KB] (212)
27102 杨静, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 乐伶聪, 李晓静, 何晓光, 张立群, 杨辉
  Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films
    中国物理B   2016 Vol.25 (2): 27102-027102 [摘要] (261) [HTML 1 KB] [PDF 722 KB] (335)
117103 杨铭, 林兆军, 赵景涛, 王玉堂, 李志远, 吕元杰, 冯志红
  Improvement of switching characteristics by substrate bias in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors
    中国物理B   2015 Vol.24 (11): 117103-117103 [摘要] (139) [HTML 1 KB] [PDF 257 KB] (231)
27101 马晓华, 张亚嫚, 王鑫华, 袁婷婷, 庞磊, 陈伟伟, 刘新宇
  Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness values
    中国物理B   2015 Vol.24 (2): 27101-027101 [摘要] (196) [HTML 0 KB] [PDF 457 KB] (477)
127104 赵景涛, 林兆军, 栾崇彪, 吕元杰, 冯志宏, 杨铭
  Effects of GaN cap layer thickness on an AlN/GaN heterostructure
    中国物理B   2014 Vol.23 (12): 127104-127104 [摘要] (232) [HTML 1 KB] [PDF 532 KB] (617)
77104 Ö L Ünsal, B Gönül, M Temiz
  A theoretical investigation of the band alignment of type-I direct band gap dilute nitride phosphide alloy of GaNxAsyP1-x-y/GaP quantum wells on GaP substrates
    中国物理B   2014 Vol.23 (7): 77104-077104 [摘要] (97) [HTML 1 KB] [PDF 259 KB] (326)
77105 吕元杰, 冯志红, 林兆军, 郭红雨, 顾国栋, 尹甲运, 王元刚, 徐鹏, 宋旭波, 蔡树军
  Influence of temperature on strain-induced polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
    中国物理B   2014 Vol.23 (7): 77105-077105 [摘要] (166) [HTML 1 KB] [PDF 269 KB] (321)
67103 李亮, 杨林安, 薛军帅, 曹荣涛, 许晟瑞, 张进成, 郝跃
  Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched In0.17Al0.83N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal–organic chemical vapor deposition
    中国物理B   2014 Vol.23 (6): 67103-067103 [摘要] (176) [HTML 1 KB] [PDF 1120 KB] (450)
47104 邓金祥, 陈亮, 满超, 孔乐, 崔敏, 高学飞
  Deposition of hexagonal boron nitride thin films on silver nanoparticle substrates and surface enhanced infrared absorption
    中国物理B   2014 Vol.23 (4): 47104-047104 [摘要] (221) [HTML 1 KB] [PDF 479 KB] (370)
20701 刘宇安, 庄奕琪, 马晓华, 杜鸣, 包军林, 李聪
  A unified drain current 1/f noise model for GaN-based high electron mobility transistors
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 20701-020701 [摘要] (204) [HTML 1 KB] [PDF 306 KB] (571)
27101 吕元杰, 冯志红, 林兆军, 顾国栋, 敦少博, 尹甲运, 韩婷婷, 蔡树军
  Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 27101-027101 [摘要] (165) [HTML 1 KB] [PDF 268 KB] (626)
27102 吕元杰, 冯志红, 顾国栋, 敦少博, 尹甲运, 王元刚, 徐鹏, 韩婷婷, 宋旭波, 蔡树军, 栾崇彪, 林兆军
  Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
    中国物理B   2014 Vol.23 (2): 27102-027102 [摘要] (174) [HTML 1 KB] [PDF 281 KB] (446)
117103 纪延俊, 杜玉杰, 王美山
  Electronic structure and optical properties of Al and Mg co-doped GaN
    中国物理B   2013 Vol.22 (11): 117103-117103 [摘要] (160) [HTML 1 KB] [PDF 529 KB] (603)
107302 薛百清, 王盛凯, 韩乐, 常虎东, 孙兵, 赵威, 刘洪刚
  High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation
    中国物理B   2013 Vol.22 (10): 107302-107302 [摘要] (167) [HTML 1 KB] [PDF 502 KB] (471)
108402 杨皓宇, 刘仁俊, 王连锴, 吕游, 李天天, 李国兴, 张源涛, 张宝林
  The design and numerical analysis of tandem thermophotovoltaic cells
    中国物理B   2013 Vol.22 (10): 108402-108402 [摘要] (198) [HTML 1 KB] [PDF 316 KB] (643)
86803 王敏帅, 黄晓菁
  Light-extraction efficiency and forward voltage in GaN-based light-emitting diodes with different patterns of V-shaped pits
    中国物理B   2013 Vol.22 (8): 86803-086803 [摘要] (203) [HTML 1 KB] [PDF 367 KB] (1212)
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