Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
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本刊包含 PACS 号为 "71.20.Nr" 的文章:
57801 Nguyen Manh Hung, Le Thi Mai Oanh, Lam Thi Hang, Pham Do Chung, Pham Thi Duyen, Dao Viet Thang, Nguyen Van Minh
  Effect of heating time on structural, morphology, optical, and photocatalytic properties of g-C3N4 nanosheets
    中国物理B   2020 Vol.29 (5): 57801-057801 [摘要] (27) [HTML 1 KB] [PDF 903 KB] (17)
128502 洪成允, 黄刚锋, 要文文, 邓加军, 刘小龙
  Thickness-modulated in-plane Bi2O2Se homojunctions for ultrafast high-performance photodetectors
    中国物理B   2019 Vol.28 (12): 128502-128502 [摘要] (68) [HTML 1 KB] [PDF 1538 KB] (102)
88503 马晓菲, 黄元琪, 支钰崧, 王霞, 李培刚, 吴真平, 唐为华
  Rectifying characteristics and solar-blind photoresponse in β-Ga2O3/ZnO heterojunctions
    中国物理B   2019 Vol.28 (8): 88503-088503 [摘要] (61) [HTML 1 KB] [PDF 5248 KB] (72)
36101 马振洋, 王鹏, 阎芳, 史春蕾, 田毅
  Physical properties of B4N4-I and B4N4-Ⅱ: First-principles study
    中国物理B   2019 Vol.28 (3): 36101-036101 [摘要] (98) [HTML 1 KB] [PDF 1856 KB] (85)
17101 卓世异, 刘学超, 黄维, 孔海宽, 忻隽, 施尔畏
  Photoluminescence in fluorescent 4H-SiC single crystal adjusted by B, Al, and N ternary dopants
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 17101-017101 [摘要] (220) [HTML 1 KB] [PDF 455 KB] (122)
17305 王霞, 吴真平, 崔尉, 支钰崧, 李志鹏, 李培刚, 郭道友, 唐为华
  Synthesis of free-standing Ga2O3 films for flexible devices by water etching of Sr3Al2O6 sacrificial layers
    中国物理B   2019 Vol.28 (1): 17305-017305 [摘要] (187) [HTML 1 KB] [PDF 2459 KB] (175)
127803 刘双韬, 杨静, 赵德刚, 江德生, 梁锋, 陈平, 朱建军, 刘宗顺, 刘炜, 邢瑶, 彭莉媛, 张立群, 王文杰, 李沫
  Influence of carrier gas H2 flow rate on quality of p-type GaN epilayer grown and annealed at lower temperatures
    中国物理B   2018 Vol.27 (12): 127803-127803 [摘要] (101) [HTML 1 KB] [PDF 471 KB] (92)
87102 仲雪倩, 王珏, 王宝柱, 王珩宇, 郭清, 盛况
  Investigations on mesa width design for 4H-SiC trench super junction Schottky diodes
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 87102-087102 [摘要] (203) [HTML 0 KB] [PDF 1573 KB] (132)
67301 崔书娟, 梅增霞, 侯尧楠, 陈全胜, 梁会力, 张永晖, 霍文星, 杜小龙
  Enhanced photoresponse performance in Ga/Ga2O3 nanocomposite solar-blind ultraviolet photodetectors
    中国物理B   2018 Vol.27 (6): 67301-067301 [摘要] (107) [HTML 1 KB] [PDF 2796 KB] (137)
57101 王培达, 贾镇源, 钟玉菡, 梅华悦, 李春梅, 程南璞
  Effect of pressure on the elastic properties and optoelectronic behavior of Zn4B6O13: First-principles investigation
    中国物理B   2018 Vol.27 (5): 57101-057101 [摘要] (142) [HTML 1 KB] [PDF 2542 KB] (123)
47103 张轶杰, 尹志鹏, 苏艳, 王德君
  Passivation of carbon dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC (0001) interface: A first-principles study
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 47103-047103 [摘要] (165) [HTML 1 KB] [PDF 3197 KB] (174)
18806 刘定荣, 韩丹, 黄梦麟, 张弦, 张涛, 戴称民, 陈时友
  Theoretical study on the kesterite solar cells based on Cu2ZnSn(S,Se)4 and related photovoltaic semiconductors
    中国物理B   2018 Vol.27 (1): 18806-018806 [摘要] (338) [HTML 1 KB] [PDF 5457 KB] (957)
126105 马振洋, 阎芳, 王苏鑫, 贾琼琼, 于新海, 史春蕾
  Mechanical, elastic, anisotropy, and electronic properties of monoclinic phase of m-SixGe3-xN4
    中国物理B   2017 Vol.26 (12): 126105-126105 [摘要] (139) [HTML 0 KB] [PDF 1537 KB] (184)
127402 王小怀, 陈城钊, 冯胜奇, 魏心源, 李云
  A hybrid functional first-principles study on the band structure of non-strained Ge1-xSnx alloys
    中国物理B   2017 Vol.26 (12): 127402-127402 [摘要] (166) [HTML 0 KB] [PDF 3989 KB] (185)
107101 申占伟, 张峰, 韩吉胜, 闫果果, 温正欣, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平
  Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H-SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 107101-107101 [摘要] (133) [HTML 1 KB] [PDF 1086 KB] (263)
107102 刘双韬, 赵德刚, 杨静, 江德生, 梁锋, 陈平, 朱建军, 刘宗顺, 李翔, 刘炜, 邢瑶, 张立群
  The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN
    中国物理B   2017 Vol.26 (10): 107102-107102 [摘要] (130) [HTML 1 KB] [PDF 368 KB] (186)
87301 俞松, 饶勇超, 段香梅
  Modulating the properties of monolayer C2N: A promising metal-free photocatalyst for water splitting
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87301-087301 [摘要] (203) [HTML 1 KB] [PDF 11773 KB] (298)
77101 杨静, 赵德刚, 江德生, 陈平, 刘宗顺, 朱建军, 李翔, 刘炜, 梁锋, 张立群, 杨辉, 王文杰, 李沫
  Physical implications of activation energy derived from temperature dependent photoluminescence of InGaN-based materials
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 77101-077101 [摘要] (168) [HTML 1 KB] [PDF 295 KB] (373)
57101 K Bettine,O Sahnoun,M Sahnoun,M Driz
  Effect of anionic ordering on the electronic and optical properties of BaTaO2N: TB-mBJ density functional calculation
    中国物理B   2017 Vol.26 (5): 57101-057101 [摘要] (243) [HTML 1 KB] [PDF 2586 KB] (368)
46101 徐向阳, 柴常春, 樊庆扬, 杨银堂
  Theoretical prediction of new C-Si alloys in C2/m-20 structure
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 46101-046101 [摘要] (258) [HTML 1 KB] [PDF 1624 KB] (347)
47801 徐庆君, 刘斌, 张士英, 陶涛, 谢自力, 修向前, 陈敦军, 陈鹏, 韩平, 张荣, 郑有炓
  Structural characterization of Al0.55Ga0.45N epitaxial layer determined by high resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy
    中国物理B   2017 Vol.26 (4): 47801-047801 [摘要] (157) [HTML 1 KB] [PDF 590 KB] (317)
36301 A K M Farid Ul Islam,Md Nurul Huda Liton,H M Tariqul Islam,Md Al Helal,Md Kamruzzaman
  Mechanical and thermodynamical stability of BiVO4 polymorphs using first-principles study
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 36301-036301 [摘要] (146) [HTML 1 KB] [PDF 3072 KB] (401)
37104 李文波, 李玲, 王方方, 郑柳, 夏经华, 秦福文, 王晓琳, 李永平, 刘瑞, 王德君, 潘艳, 杨霏
  Passivation effects of phosphorus on 4H-SiC (0001) Si dangling bonds: A first-principles study
    中国物理B   2017 Vol.26 (3): 37104-037104 [摘要] (227) [HTML 1 KB] [PDF 1782 KB] (456)
127101 赵宗彦, 杨雯, 杨培志
  Electronic structure of O-doped SiGe calculated by DFT+U method
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 127101-127101 [摘要] (144) [HTML 1 KB] [PDF 89191 KB] (221)
127103 郭俊宏, 李廷会, 胡芳仁, 刘力哲
  Identification of surface oxygen vacancy-related phonon-plasmon coupling in TiO2 single crystal
    中国物理B   2016 Vol.25 (12): 127103-127103 [摘要] (143) [HTML 1 KB] [PDF 603 KB] (179)
118501 康海燕, 胡辉勇, 王斌
  Analytical threshold voltage model for strained silicon GAA-TFET
    中国物理B   2016 Vol.25 (11): 118501-118501 [摘要] (160) [HTML 0 KB] [PDF 354 KB] (229)
107105 孟秀清, 汤宁, 钟绵增, 叶慧群, 方允樟
  Time-dependent evolution process of Sb2Te3 from nanoplates to nanorods and their Raman scattering properties
    中国物理B   2016 Vol.25 (10): 107105-107105 [摘要] (154) [HTML 1 KB] [PDF 648 KB] (273)
97101 贾一凡, 吕红亮, 钮应喜, 李玲, 宋庆文, 汤晓燕, 李诚瞻, 赵艳黎, 肖莉, 王梁永, 唐光明, 张义门, 张玉明
  Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal-oxide-semiconductor devices
    中国物理B   2016 Vol.25 (9): 97101-097101 [摘要] (205) [HTML 0 KB] [PDF 775 KB] (259)
86201 黄昌保, 吴海信, 倪友保, 王振友, 戚鸣, 张春丽
  First-principles calculation of the structural, electronic, elastic, and optical properties of sulfur-doping ε-GaSe crystal
    中国物理B   2016 Vol.25 (8): 86201-086201 [摘要] (218) [HTML 1 KB] [PDF 1249 KB] (367)
57301 王静, 张鹏, 段香梅
  First-principles modeling hydrogenation of bilayered boron nitride
    中国物理B   2016 Vol.25 (5): 57301-057301 [摘要] (251) [HTML 1 KB] [PDF 1235 KB] (335)
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