Chin. Phys. B

ISSN 1674-1056 (Print)
CN 11-5639/O4
About
   » 《中国物理B》简介
   » 编委会
   » 历年SCI影响因子
   » 编辑团队
   » 联系我们
在线期刊
   » 最新录用
   » 网络预发表
   » 当期目录
   » 过刊浏览
   » 分类浏览
   » 下载排行
   » SCI高被引论文
作者中心
   » 投稿须知
   » 作者投稿
   » 作者查稿
   » 约稿通知
   » 版权协议
   » 论文模板
   » 作者常见问题
   » PACS查询
   » 文章上传预印本网站方法
审稿人
   » 审稿政策
   » 审稿人登录
   » 审稿人常见问题
   » 主编登录
   » 编委登录
   » 编辑登录
友情链接
   » 友情链接
本刊包含 PACS 号为 "61.80.Ed" 的文章:
76106 魏佳男, 贺朝会, 李培, 李永宏, 郭红霞
  Impact of proton-induced alteration of carrier lifetime on single-event transient in SiGe heterojunction bipolar transistor
    中国物理B   2019 Vol.28 (7): 76106-076106 [摘要] (101) [HTML 1 KB] [PDF 1215 KB] (97)
98501 毕津顺, 习凯, 李博, 王海滨, 季兰龙, 李金, 刘明
  Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory
    中国物理B   2018 Vol.27 (9): 98501-098501 [摘要] (169) [HTML 1 KB] [PDF 774 KB] (107)
86103 殷亚楠, 刘杰, 姬庆刚, 赵培雄, 刘天奇, 叶兵, 罗捷, 孙友梅, 侯明东
  Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells
    中国物理B   2018 Vol.27 (8): 86103-086103 [摘要] (94) [HTML 1 KB] [PDF 1134 KB] (152)
48503 戴丽华, 毕大炜, 胡志远, 刘小年, 张梦映, 张正选, 邹世昌
  Research on the radiation hardened SOI devices with single-step Si ion implantation
    中国物理B   2018 Vol.27 (4): 48503-048503 [摘要] (268) [HTML 1 KB] [PDF 1624 KB] (214)
36102 李小龙, 陆妩, 王信, 于新, 郭旗, 孙静, 刘默寒, 姚帅, 魏昕宇, 何承发
  Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor
    中国物理B   2018 Vol.27 (3): 36102-036102 [摘要] (201) [HTML 0 KB] [PDF 1128 KB] (196)
16103 J Assaf
  Bulk and surface damages in complementary bipolar junction transistors produced by high dose irradiation
    中国物理B   2018 Vol.27 (1): 16103-016103 [摘要] (159) [HTML 1 KB] [PDF 1198 KB] (199)
96102 魏佳男, 郭红霞, 张凤祁, 罗尹虹, 丁李利, 潘霄宇, 张阳, 刘玉辉
  Ionizing radiation effect on single event upset sensitivity of ferroelectric random access memory
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 96102-096102 [摘要] (168) [HTML 0 KB] [PDF 551 KB] (233)
96103 郑齐文, 崔江维, 刘梦新, 苏丹丹, 周航, 马腾, 余学峰, 陆妩, 郭旗, 赵发展
  Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 96103-096103 [摘要] (193) [HTML 0 KB] [PDF 432 KB] (274)
98505 闫薇薇, 高林春, 李晓静, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生
  Experimental and simulation studies of single-event transient in partially depleted SOI MOSFET
    中国物理B   2017 Vol.26 (9): 98505-098505 [摘要] (203) [HTML 0 KB] [PDF 2992 KB] (215)
87501 崔岩, 杨玲, 高腾, 李博, 罗家俊
  Total ionizing radiation-induced read bit-errors in toggle magnetoresistive random-access memory devices
    中国物理B   2017 Vol.26 (8): 87501-087501 [摘要] (158) [HTML 1 KB] [PDF 1555 KB] (191)
74217 赵绪尧, 孙敦陆, 罗建乔, 张会丽, 方忠庆, 权聪, 李秀丽, 程毛杰, 张庆礼, 殷绍唐
  Spectroscopic and radiation-resistant properties of Er, Pr: GYSGG laser crystal operated at 2.79μm
    中国物理B   2017 Vol.26 (7): 74217-074217 [摘要] (171) [HTML 1 KB] [PDF 519 KB] (187)
46104 赵启凤, 庄奕琪, 包军林, 胡为
  Radiation-induced 1/f noise degradation of PNP bipolar junction transistors at different dose rates
    中国物理B   2016 Vol.25 (4): 46104-046104 [摘要] (212) [HTML 1 KB] [PDF 363 KB] (351)
106106 郑齐文, 崔江维, 周航, 余德昭, 余学峰, 陆妩, 郭旗, 任迪远
  Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation
    中国物理B   2015 Vol.24 (10): 106106-106106 [摘要] (208) [HTML 1 KB] [PDF 314 KB] (372)
88503 刘远, 陈海波, 刘玉荣, 王信, 恩云飞, 李斌, 陆裕东
  Low frequency noise and radiation response in the partially depleted SOI MOSFETs with ion implanted buried oxide
    中国物理B   2015 Vol.24 (8): 88503-088503 [摘要] (215) [HTML 1 KB] [PDF 508 KB] (294)
106102 郑齐文, 余学峰, 崔江维, 郭旗, 任迪远, 丛忠超, 周航
  Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation
    中国物理B   2014 Vol.23 (10): 106102-106102 [摘要] (134) [HTML 1 KB] [PDF 473 KB] (388)
88505 毕津顺, 曾传滨, 高林春, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生
  Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET
    中国物理B   2014 Vol.23 (8): 88505-088505 [摘要] (246) [HTML 1 KB] [PDF 942 KB] (401)
98501 李兴冀, 刘超铭, 孙中亮, 肖立伊, 何世禹
  Effect of ionizing radiation on dual 8-bit analog-to-digital converters (AD9058) with various dose rates and bias conditions
    中国物理B   2013 Vol.22 (9): 98501-098501 [摘要] (219) [HTML 1 KB] [PDF 346 KB] (484)
36103 高博, 刘刚, 王立新, 韩郑生, 宋李梅, 张彦飞, 腾瑞, 吴海舟
  Radiation damage effects on power VDMOS devices with composite SiO2–Si3N4 films
    中国物理B   2013 Vol.22 (3): 36103-036103 [摘要] (320) [HTML 0 KB] [PDF 523 KB] (570)
66104 金晓明, 范如玉, 陈伟, 林东生, 杨善潮, 白小燕, 刘岩, 郭晓强, 王桂珍
  Synergistic effects of neutron and gamma ray irradiation of commercial CHMOS microcontroller
    中国物理B   2010 Vol.19 (6): 66104-066104 [摘要] (1230) [HTML 0 KB] [PDF 2464 KB] (977)
573 张春熹, 田海亭, 李 敏, 金 靖, 宋凝芳
  Space radiation effect on fibre optical gyroscope control circuit and compensation algorithm
    中国物理B   2008 Vol.17 (2): 573-577 [摘要] (991) [HTML 0 KB] [PDF 145 KB] (502)
3760 李冬梅, 王志华, 皇甫丽英, 勾秋静
  Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology
    中国物理B   2007 Vol.16 (12): 3760-3765 [摘要] (985) [HTML 0 KB] [PDF 991 KB] (1575)
662 张力, 边霞, 梅冬成
  GAMMA-RAY LIGHT CURVE AND PHASE-RESOLVED SPECTRA FROM GEMINGA PULSAR
    中国物理B   2001 Vol.10 (7): 662-665 [摘要] (668) [HTML 0 KB] [PDF 138 KB] (428)
439 刘昶时, 马忠权, 赵元富
  RADIATION-INDUCED DEFECTS IN RADIATION HARD AND SOFT OXIDES
    中国物理B   1994 Vol.3 (6): 439-444 [摘要] (536) [HTML 0 KB] [PDF 166 KB] (289)
176 张道范, 朱镛, 杨华光, 马文漪, 顾本源
  INFLUENCE OF γ-RADIATION ON THE DIELECTRIC CHARACTERISTICS IN Rb2ZnCl4 SINGLE CRYSTALS AT INCOMMENSURATE-COMMENSURATE PHASE TRANSITION
    中国物理B   1994 Vol.3 (3): 176-181 [摘要] (570) [HTML 0 KB] [PDF 162 KB] (319)
270 张兴元, 周漪琴
  STUDIES ON THE RELATIONSHIPS BETWEEN THE STRUCTURE AND THE LOCALIZED ENERGY STATES OF POLY (ETHYLENE TEREPHTHALATE) ELECTRETS
    中国物理B   1993 Vol.2 (4): 270-279 [摘要] (649) [HTML 0 KB] [PDF 302 KB] (356)
首页 | 前页 | 后页 | 末页第1页 共1页 共25条记录
Copyright © the Chinese Physical Society
Address:Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, P. O. Box 603,Beijing 100190 China(100190)
Tel: 010-82649026   Fax: 010-82649027   E-Mail: cpb@aphy.iphy.ac.cn
Supported by Beijing Magtech Co. Ltd. Tel: 86-010-62662699 E-mail: support@magtech.com.cn